公开(公告)号：CN110828552B

公开(公告)日：2024-04-12

申请号：CN201911118416.2

申请日：2015-07-21

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 人罗俊实 ,  织田真也 ,  高塚章夫

IPC: H01L29/24 ,  H01L21/34 ,  H01L29/739 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/808 ,  H01L29/812 ,  H01L29/872 ,  H01L33/26

Abstract: 本发明提供半导体特性优异、特别是可抑制漏电流，耐压性和放热性优异的半导体膜和板状体，以及半导体装置。本发明提供结晶性半导体膜或板状体、以及具备含有所述结晶性半导体膜或所述板状体的半导体结构的半导体装置，所述结晶性半导体膜的特征在于，含有具有刚玉结构的氧化物半导体作为主成分，且含有半导体成分即选自镓、铟和铝中的1种或2种以上的氧化物作为主成分，膜厚为1μm以上。

公开(公告)号：CN107799584B

公开(公告)日：2022-08-26

申请号：CN201710772734.5

申请日：2017-08-31

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 德田梨绘 ,  织田真也 ,  人罗俊实

IPC: H01L29/12 ,  H01L21/205 ,  C23C16/40

Abstract: 本发明提供一种电特性优异的结晶性氧化物半导体膜。本发明提供一种结晶性氧化物半导体装置，以及结晶性氧化物半导膜的结晶性氧化物半导体系统。作为本发明的目的之一，提出一种结晶性氧化物半导体膜。结晶性氧化物半导体膜含有：结晶性氧化物半导体，具有刚玉结构，含有结晶性氧化物作为主成分；以及掺杂剂，结晶性氧化物半导体的电子迁移率为30cm2/Vs以上。

公开(公告)号：CN110952077A

公开(公告)日：2020-04-03

申请号：CN201911347903.6

申请日：2015-08-28

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 织田真也 ,  人罗俊实

IPC: C23C16/448 ,  C23C16/18

Abstract: 提供一种能够有利于工业上形成密合性优良的金属膜的金属膜形成方法以及通过其方法形成的金属膜。一种在基体上形成金属膜的金属膜形成方法，包括在氧化剂、胺化合物或者质子酸的有机溶剂中,使金属溶解或分散形成原料溶液，将原料溶液雾化产生雾的雾化工序，将载气提供给所述雾的载气供给工序,通过所述载气将所述雾提供给所述基体的供给工序和使所述雾热反应，在所述基体表面的一部分或者全部层积金属膜的金属膜形成工序。

公开(公告)号：CN110828551A

公开(公告)日：2020-02-21

申请号：CN201911118243.4

申请日：2015-07-21

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 人罗俊实 ,  织田真也 ,  高塚章夫

IPC: H01L29/24 ,  H01L29/06 ,  H01L29/40

Abstract: 本发明提供半导体特性优异、特别是可抑制漏电流，耐压性和放热性优异的半导体膜和板状体，以及半导体装置。本发明提供结晶性半导体膜或板状体、以及具备含有所述结晶性半导体膜或所述板状体的半导体结构的半导体装置，所述结晶性半导体膜的特征在于，含有具有刚玉结构的氧化物半导体作为主成分，且含有半导体成分即选自镓、铟和铝中的1种或2种以上的氧化物作为主成分，膜厚为1μm以上。

公开(公告)号：CN110828536A

公开(公告)日：2020-02-21

申请号：CN201911117985.5

申请日：2015-07-21

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 人罗俊实 ,  织田真也 ,  高塚章夫

IPC: H01L29/04 ,  H01L29/24 ,  H01L21/02 ,  H01L29/739 ,  H01L29/772 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/808 ,  H01L29/812 ,  H01L29/872 ,  H01L21/331 ,  H01L21/335 ,  H01L21/336 ,  H01L21/329 ,  H01L33/44 ,  C23C16/448 ,  C23C16/40

Abstract: 本发明提供半导体特性优异、特别是可抑制漏电流，耐压性和放热性优异的半导体膜和板状体，以及半导体装置。本发明提供结晶性半导体膜或板状体、以及具备含有所述结晶性半导体膜或所述板状体的半导体结构的半导体装置，所述结晶性半导体膜的特征在于，含有具有刚玉结构的氧化物半导体作为主成分，且含有半导体成分即选自镓、铟和铝中的1种或2种以上的氧化物作为主成分，膜厚为1μm以上。

公开(公告)号：CN110684960A

公开(公告)日：2020-01-14

申请号：CN201911118021.2

申请日：2015-07-21

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 人罗俊实 ,  织田真也 ,  高塚章夫

IPC: C23C16/40 ,  C23C16/448 ,  H01L21/02 ,  H01L29/04 ,  H01L29/24 ,  H01L21/331 ,  H01L21/335 ,  H01L21/336 ,  H01L29/739 ,  H01L29/772 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/808 ,  H01L29/812 ,  H01L29/872 ,  H01L33/44

Abstract: 本发明提供半导体特性优异、特别是可抑制漏电流，耐压性和放热性优异的半导体膜和板状体，以及半导体装置。本发明提供结晶性半导体膜或板状体、以及具备含有所述结晶性半导体膜或所述板状体的半导体结构的半导体装置，所述结晶性半导体膜的特征在于，含有具有刚玉结构的氧化物半导体作为主成分，且含有半导体成分即选自镓、铟和铝中的1种或2种以上的氧化物作为主成分，膜厚为1μm以上。

公开(公告)号：CN109643660B

公开(公告)日：2024-03-05

申请号：CN201780053309.9

申请日：2017-08-29

Applicant: 株式会社FLOSFIA ,  国立大学法人京都大学

Inventor： 藤田静雄 ,  金子健太郎 ,  织田真也 ,  人罗俊实

IPC: H01L21/365 ,  C23C16/40 ,  C23C16/448 ,  H01L21/329 ,  H01L21/331 ,  H01L21/336 ,  H01L21/337 ,  H01L21/338 ,  H01L21/368 ,  H01L29/12 ,  H01L29/24 ,  H01L29/737 ,  H01L29/739 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/808 ,  H01L29/812 ,  H01L29/872 ,  H01L33/26

Abstract: 本申请提供了一种具有宽带隙和增强的电导率的新型且有用的p‑型氧化物半导体，以及制造该p‑型氧化物半导体的方法。将根据需要的包含铱和其他金属的原料溶液雾化以产生喷雾，并且在使用载气将喷雾传送到基材的表面附近之后，通过使基材表面附近的喷雾发生热反应，在基材上形成包含铱的金属氧化物的晶体或混合晶体，从而制造p‑型氧化物半导体。(56)对比文件US 2010155720 A1,2010.06.24CN 102916097 A,2013.02.06US 2006089006 A1,2006.04.27US 2015076496 A1,2015.03.19TW M296476 U,2006.08.21US 2013214271 A1,2013.08.22JP 2013234106 A,2013.11.21CN 103597597 A,2014.02.19

公开(公告)号：CN108474115B

公开(公告)日：2021-04-23

申请号：CN201680075857.7

申请日：2016-12-21

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 香取重尊 ,  广木一亮 ,  织田真也 ,  人罗俊实

IPC: B05D1/02

Abstract: 为了提供具有工业优势质量的薄膜的目的，本发明提出了一种成膜方法。本发明的方法的实施方式包括：将含有非质子溶剂(可以是内酯或内酰胺)的原料溶液变成雾或液滴(雾化步骤)，将雾或液滴携带至设置在成膜室的基体上(雾的运送步骤)，以及优选在250℃或以下的温度使雾或液滴反应，从而在基体上成膜(成膜步骤)。

公开(公告)号：CN110310996B

公开(公告)日：2020-09-08

申请号：CN201910634597.8

申请日：2015-03-30

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 人罗俊实 ,  织田真也

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/24 ,  H01L29/04 ,  H01L21/02 ,  H01L21/34

Abstract: 本发明的目的是提供一种半导体特性出色的结晶性层叠结构体以及半导体装置。所述结晶性层叠结构体包括：底层基板；和刚玉结构的结晶性氧化物半导体薄膜，直接或介由其他层设置于所述底层基板上，其中所述结晶性氧化物半导体薄膜的表面粗糙度Ra为0.1μm以下，所述结晶性氧化物半导体薄膜的厚度为1μm以上。

公开(公告)号：CN110804728A

公开(公告)日：2020-02-18

申请号：CN201911118630.8

申请日：2015-07-21

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 人罗俊实 ,  织田真也 ,  高塚章夫

IPC: C23C16/40 ,  C23C16/448 ,  H01L21/365 ,  H01L21/368 ,  H01L29/04 ,  H01L29/24 ,  H01L21/34 ,  H01L29/739 ,  H01L29/772 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/808 ,  H01L29/812 ,  H01L29/872 ,  H01L33/44

Abstract: 本发明提供半导体特性优异、特别是可抑制漏电流，耐压性和放热性优异的半导体膜和板状体，以及半导体装置。本发明提供结晶性半导体膜或板状体、以及具备含有所述结晶性半导体膜或所述板状体的半导体结构的半导体装置，所述结晶性半导体膜的特征在于，含有具有刚玉结构的氧化物半导体作为主成分，且含有半导体成分即选自镓、铟和铝中的1种或2种以上的氧化物作为主成分，膜厚为1μm以上。