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公开(公告)号：CN110828552B
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN201911118416.2
申请日：2015-07-21
Applicant: 株式会社FLOSFIA
IPC: H01L29/24 , H01L21/34 , H01L29/739 , H01L29/778 , H01L29/78 , H01L29/808 , H01L29/812 , H01L29/872 , H01L33/26
Abstract: 本发明提供半导体特性优异、特别是可抑制漏电流，耐压性和放热性优异的半导体膜和板状体，以及半导体装置。本发明提供结晶性半导体膜或板状体、以及具备含有所述结晶性半导体膜或所述板状体的半导体结构的半导体装置，所述结晶性半导体膜的特征在于，含有具有刚玉结构的氧化物半导体作为主成分，且含有半导体成分即选自镓、铟和铝中的1种或2种以上的氧化物作为主成分，膜厚为1μm以上。
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公开(公告)号：CN117795520A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202280054238.5
申请日：2022-08-03
Applicant: 株式会社FLOSFIA , 三菱重工业株式会社
IPC: G06F30/398 , G06F115/12
Abstract: 提供一种在将高度不同的多个电子部件配置在部件内置基板内的情况下，能够在确保电子部件的选择自由度的同时，在短时间内进行高度调整的需要与否以及高度调整构件的详细设计的设计支援装置、设计支援程序以及设计支援方法。电子部件内置基板的设计支援装置具备：高度差分计算部，根据包括搭载在电子部件内置基板内的第一电子部件的高度信息的第一部件信息和包括搭载在所述电子部件内置基板内的第二电子部件的高度信息的第二部件信息，来计算第一电子部件的高度与第二电子部件的高度的差分；以及高度调整需要与否判断部，对所述差分与预先设定的基准值进行比较，来判断是否需要在所述第一电子部件和/或所述第二电子部件上配置的高度调整构件。
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公开(公告)号：CN109427915B
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN201810972334.3
申请日：2018-08-24
Applicant: 株式会社FLOSFIA
IPC: H01L29/872 , H01L29/12 , H01L21/329
Abstract: 本发明提供一种具有p型半导体层、n型半导体层和i型半导体层间的良好的接合且半导体特性优异的半导体装置。本发明制造一种半导体装置，所述半导体装置至少包括：n型半导体层，包括第一半导体作为主要成分；i型半导体层，包括第二半导体作为主要成分；以及p型半导体层，包括第三半导体作为主要成分，第一半导体、第二半导体和第三半导体均为具有刚玉结构的氧化物半导体，将得到的半导体装置用于功率器件等。
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公开(公告)号：CN107799584B
公开(公告)日：2022-08-26
申请号：CN201710772734.5
申请日：2017-08-31
Applicant: 株式会社FLOSFIA
IPC: H01L29/12 , H01L21/205 , C23C16/40
Abstract: 本发明提供一种电特性优异的结晶性氧化物半导体膜。本发明提供一种结晶性氧化物半导体装置，以及结晶性氧化物半导膜的结晶性氧化物半导体系统。作为本发明的目的之一，提出一种结晶性氧化物半导体膜。结晶性氧化物半导体膜含有：结晶性氧化物半导体，具有刚玉结构，含有结晶性氧化物作为主成分；以及掺杂剂，结晶性氧化物半导体的电子迁移率为30cm2/Vs以上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110952077A
公开(公告)日：2020-04-03
申请号：CN201911347903.6
申请日：2015-08-28
Applicant: 株式会社FLOSFIA
IPC: C23C16/448 , C23C16/18
Abstract: 提供一种能够有利于工业上形成密合性优良的金属膜的金属膜形成方法以及通过其方法形成的金属膜。一种在基体上形成金属膜的金属膜形成方法，包括在氧化剂、胺化合物或者质子酸的有机溶剂中,使金属溶解或分散形成原料溶液，将原料溶液雾化产生雾的雾化工序，将载气提供给所述雾的载气供给工序,通过所述载气将所述雾提供给所述基体的供给工序和使所述雾热反应，在所述基体表面的一部分或者全部层积金属膜的金属膜形成工序。
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公开(公告)号：CN110870079A
公开(公告)日：2020-03-06
申请号：CN201880045648.7
申请日：2018-07-06
Applicant: 株式会社FLOSFIA
IPC: H01L29/872 , H01L29/04 , H01L29/06 , H01L29/24 , H01L29/47 , H01L29/861 , H01L29/868
Abstract: 本发明提供一种特别对功率器件有用的半导体特性优异的半导体装置。一种半导体装置，至少具备半导体区域和设置在该半导体区域上的势垒电极，在所述半导体区域与所述势垒电极之间设置有势垒高度调整区域，与所述半导体区域与所述势垒电极的界面中的势垒高度相比，所述势垒高度调整区域与所述势垒电极之间的势垒高度更大，在所述半导体区域表面嵌入有多个所述势垒高度调整区域。
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公开(公告)号：CN110828551A
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201911118243.4
申请日：2015-07-21
Applicant: 株式会社FLOSFIA
Abstract: 本发明提供半导体特性优异、特别是可抑制漏电流，耐压性和放热性优异的半导体膜和板状体，以及半导体装置。本发明提供结晶性半导体膜或板状体、以及具备含有所述结晶性半导体膜或所述板状体的半导体结构的半导体装置，所述结晶性半导体膜的特征在于，含有具有刚玉结构的氧化物半导体作为主成分，且含有半导体成分即选自镓、铟和铝中的1种或2种以上的氧化物作为主成分，膜厚为1μm以上。
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公开(公告)号：CN110828536A
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201911117985.5
申请日：2015-07-21
Applicant: 株式会社FLOSFIA
IPC: H01L29/04 , H01L29/24 , H01L21/02 , H01L29/739 , H01L29/772 , H01L29/778 , H01L29/78 , H01L29/808 , H01L29/812 , H01L29/872 , H01L21/331 , H01L21/335 , H01L21/336 , H01L21/329 , H01L33/44 , C23C16/448 , C23C16/40
Abstract: 本发明提供半导体特性优异、特别是可抑制漏电流，耐压性和放热性优异的半导体膜和板状体，以及半导体装置。本发明提供结晶性半导体膜或板状体、以及具备含有所述结晶性半导体膜或所述板状体的半导体结构的半导体装置，所述结晶性半导体膜的特征在于，含有具有刚玉结构的氧化物半导体作为主成分，且含有半导体成分即选自镓、铟和铝中的1种或2种以上的氧化物作为主成分，膜厚为1μm以上。
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公开(公告)号：CN110684960A
公开(公告)日：2020-01-14
申请号：CN201911118021.2
申请日：2015-07-21
Applicant: 株式会社FLOSFIA
IPC: C23C16/40 , C23C16/448 , H01L21/02 , H01L29/04 , H01L29/24 , H01L21/331 , H01L21/335 , H01L21/336 , H01L29/739 , H01L29/772 , H01L29/778 , H01L29/78 , H01L29/808 , H01L29/812 , H01L29/872 , H01L33/44
Abstract: 本发明提供半导体特性优异、特别是可抑制漏电流，耐压性和放热性优异的半导体膜和板状体，以及半导体装置。本发明提供结晶性半导体膜或板状体、以及具备含有所述结晶性半导体膜或所述板状体的半导体结构的半导体装置，所述结晶性半导体膜的特征在于，含有具有刚玉结构的氧化物半导体作为主成分，且含有半导体成分即选自镓、铟和铝中的1种或2种以上的氧化物作为主成分，膜厚为1μm以上。
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