公开(公告)号：CN109427915B

公开(公告)日：2023-10-20

申请号：CN201810972334.3

申请日：2018-08-24

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 杉本雅裕 ,  髙桥勲 ,  四户孝 ,  人罗俊实

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/12 ,  H01L21/329

Abstract: 本发明提供一种具有p型半导体层、n型半导体层和i型半导体层间的良好的接合且半导体特性优异的半导体装置。本发明制造一种半导体装置，所述半导体装置至少包括：n型半导体层，包括第一半导体作为主要成分；i型半导体层，包括第二半导体作为主要成分；以及p型半导体层，包括第三半导体作为主要成分，第一半导体、第二半导体和第三半导体均为具有刚玉结构的氧化物半导体，将得到的半导体装置用于功率器件等。

公开(公告)号：CN109427867B

公开(公告)日：2023-10-20

申请号：CN201810971991.6

申请日：2018-08-24

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 杉本雅裕 ,  髙桥勲 ,  四户孝 ,  人罗俊实

IPC: H01L29/04 ,  H01L29/24 ,  H01L29/868 ,  H01L29/872

Abstract: 本发明提供一种具有p型半导体层、n型半导体层和i型半导体层间的良好接合且半导体特性优异的半导体装置。技术方案为制造一种半导体装置，并将所获得的半导体装置用于功率器件等，所述半导体装置至少包括n型半导体层、i型半导体层及p型半导体层，其中n型半导体层包括第一半导体以作为主要成分，第一半导体为含有选自铝、铟和镓中的一种或两种以上的金属的氧化物半导体。

公开(公告)号：CN115101587A

公开(公告)日：2022-09-23

申请号：CN202210758521.8

申请日：2017-11-07

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 髙桥勲 ,  四户孝 ,  德田梨绘 ,  织田真也 ,  人罗俊实

IPC: H01L29/24 ,  C23C16/40 ,  C23C16/448 ,  C30B25/02 ,  C30B25/18 ,  C30B28/14 ,  C30B29/16 ,  H01L29/739 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/808 ,  H01L29/872

Abstract: 本发明涉及结晶性多层结构、半导体装置及多层结构。本发明提供一种电特性优异的结晶性氧化物半导体膜。使用雾化CVD装置使包含掺杂剂的原料溶液雾化或液滴化，通过载气将所得的雾或液滴运送到成膜室内的a面或m面刚玉结构晶体基板附近，之后在成膜室内使所述雾或液滴进行热反应，从而在晶体基板上获得结晶性氧化物半导体膜，所述结晶性氧化物半导体膜具有刚玉结构，并且其主面为a面或m面，所述掺杂剂为n型掺杂剂。

公开(公告)号：CN109952392A

公开(公告)日：2019-06-28

申请号：CN201780068749.1

申请日：2017-11-07

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 髙桥勲 ,  四户孝 ,  德田梨绘 ,  织田真也 ,  人罗俊实

IPC: C30B29/16 ,  C23C16/40 ,  C30B25/02 ,  H01L21/337 ,  H01L21/338 ,  H01L21/365 ,  H01L21/368 ,  H01L29/12 ,  H01L29/24 ,  H01L29/739 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/808 ,  H01L29/812 ,  H01L29/872

Abstract: 本发明提供一种电特性优异的结晶性氧化物半导体膜。使用雾化CVD装置使包含掺杂剂的原料溶液雾化或液滴化，通过载气将所得的雾或液滴运送到成膜室内的a面或m面刚玉结构晶体基板附近，之后在成膜室内使所述雾或液滴进行热反应，从而在晶体基板上获得结晶性氧化物半导体膜，所述结晶性氧化物半导体膜具有刚玉结构，并且其主面为a面或m面，所述掺杂剂为n型掺杂剂。