公开(公告)号：CN111357117B

公开(公告)日：2024-11-15

申请号：CN201880074284.5

申请日：2018-11-15

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 松田时宜 ,  杉本雅裕 ,  四户孝

IPC: H01L29/12 ,  H01L21/28 ,  H01L21/329 ,  H01L21/336 ,  H01L21/337 ,  H01L21/338 ,  H01L29/41 ,  H01L29/47 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L29/808 ,  H01L29/812 ,  H01L29/872

Abstract: 提供一种半导体装置，例如在使用介质击穿(dielectric breakdown)电场强度比SiC高得多的高电压下为低损耗的n型半导体(例如氧化镓等)等的情况下，其可以不使半导体特性恶化，且实现优良的半导体特性。提供一种半导体装置，至少包含一闸电极和一通道层，该通道层直接或隔着其他层，在该闸电极的侧壁形成通道，其中，该通道层的一部分或全部包含p型氧化物半导体(例如氧化铱)。

公开(公告)号：CN109427915B

公开(公告)日：2023-10-20

申请号：CN201810972334.3

申请日：2018-08-24

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 杉本雅裕 ,  髙桥勲 ,  四户孝 ,  人罗俊实

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/12 ,  H01L21/329

Abstract: 本发明提供一种具有p型半导体层、n型半导体层和i型半导体层间的良好的接合且半导体特性优异的半导体装置。本发明制造一种半导体装置，所述半导体装置至少包括：n型半导体层，包括第一半导体作为主要成分；i型半导体层，包括第二半导体作为主要成分；以及p型半导体层，包括第三半导体作为主要成分，第一半导体、第二半导体和第三半导体均为具有刚玉结构的氧化物半导体，将得到的半导体装置用于功率器件等。

公开(公告)号：CN112424946A

公开(公告)日：2021-02-26

申请号：CN201980046475.5

申请日：2019-07-11

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 杉本雅裕 ,  高桥勋 ,  四户孝

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L21/338 ,  H01L21/365 ,  H01L21/368 ,  H01L29/12 ,  H01L29/24 ,  H01L29/47 ,  H01L29/78 ,  H01L29/812 ,  H01L29/872

Abstract: 本发明提供了一种半导体装置，其特征在于，至少具有反型沟道区域，所述反型沟道区域具有包含结晶的氧化物半导体膜，所述结晶至少含有氧化镓。

公开(公告)号：CN110870079A

公开(公告)日：2020-03-06

申请号：CN201880045648.7

申请日：2018-07-06

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 杉本雅裕 ,  高桥勲 ,  神原仁志 ,  四戸孝 ,  人罗俊实

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/04 ,  H01L29/06 ,  H01L29/24 ,  H01L29/47 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868

Abstract: 本发明提供一种特别对功率器件有用的半导体特性优异的半导体装置。一种半导体装置，至少具备半导体区域和设置在该半导体区域上的势垒电极，在所述半导体区域与所述势垒电极之间设置有势垒高度调整区域，与所述半导体区域与所述势垒电极的界面中的势垒高度相比，所述势垒高度调整区域与所述势垒电极之间的势垒高度更大，在所述半导体区域表面嵌入有多个所述势垒高度调整区域。

公开(公告)号：CN117242685A

公开(公告)日：2023-12-15

申请号：CN202280031157.3

申请日：2022-04-25

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 杉本雅裕 ,  松田慎平

IPC: H02M1/00

Abstract: 提供一种能够在维持开关特性的同时提高短路耐量的功率转换电路以及功率转换系统。一种功率转换电路，具有相互并联连接的第一开关元件和第二开关元件以及对各开关元件进行导通关断控制的控制部，在使正向电流流过所述第一开关元件时的电流电压特性与使电流流过所述第二开关元件时的电流电压特性的交叉点处的电流值大于所述功率转换装置的额定电流。

公开(公告)号：CN111383911B

公开(公告)日：2023-11-24

申请号：CN201911366053.4

申请日：2019-12-26

Applicant: 株式会社FLOSFIA ,  株式会社电装

Inventor： 高桥勋 ,  鸟山达矢 ,  杉本雅裕 ,  四戸孝 ,  上东秀幸 ,  大原淳士 ,  广濑富佐雄 ,  松木英夫

IPC: H01L21/02

Abstract: 本发明提供一种对要求散热性的半导体装置等有用的、晶体品质优异的结晶性氧化物膜、半导体装置及半导体系统。在形成至少包括第一晶轴和第二晶轴、以含有镓的金属氧化物为主要成分的结晶性氧化物膜时，通过使第二边比第一边短，使第一晶轴方向的线热膨胀系数比第二晶轴方向的线热膨胀系数小，使第一边方向与第一晶轴方向平行或大致平行，使第二边方向与第二晶轴方向平行或大致平行，从而得到一种结晶性氧化物膜，该结晶性氧化物膜至少包括第一边和比第一边短的第二边，第一晶轴方向的线热膨胀系数比第二晶轴方向的线热膨胀系数小，第一边方向与第一晶轴方向平行或大致平行，第二边方向与第二晶轴方向平行或大致平行。

公开(公告)号：CN114762129A

公开(公告)日：2022-07-15

申请号：CN202080082530.9

申请日：2020-11-20

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 杉本雅裕 ,  樋口安史

IPC: H01L29/786 ,  C23C16/40 ,  C30B29/16 ,  H01L21/365 ,  H01L21/368 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

Abstract: 一种半导体装置，至少具有结晶性氧化物半导体层，其特征在于，所述结晶性氧化物半导体层的带隙为3eV以上，场效应迁移率为30cm2/V·s以上。

公开(公告)号：CN114747020A

公开(公告)日：2022-07-12

申请号：CN202080082446.7

申请日：2020-11-20

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 杉本雅裕 ,  樋口安史

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/365 ,  H01L21/368 ,  H01L29/78 ,  H01L29/12 ,  C30B29/16 ,  C23C16/40

Abstract: 一种半导体装置，至少具有结晶性氧化物半导体层，其特征在于，所述结晶性氧化物半导体层的带隙为4.5eV以上，场效应迁移率为10cm2/V·s以上。

公开(公告)号：CN112424950A

公开(公告)日：2021-02-26

申请号：CN201980046763.0

申请日：2019-07-10

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 杉本雅裕 ,  高桥勋 ,  四户孝 ,  雨堤耕史

IPC: H01L29/872 ,  H01L21/20 ,  H01L21/329 ,  H01L21/365 ,  H01L21/368 ,  H01L29/06 ,  H01L29/24 ,  H01L29/41 ,  H01L29/47 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868 ,  H02M3/28

Abstract: 本发明提供一种尤其对功率器件有用且半导体特性优异的半导体装置。一种半导体装置，在n型半导体层(例如，将氧化物半导体作为主成分包含的n型半导体层等)与电极之间设置有一个或两个以上的p型半导体(例如，经p型掺杂的结晶性氧化物半导体等)，所述半导体装置的特征在于，所述p型半导体埋入到所述n型半导体层中，并且从所述n型半导体层向所述电极内突出。

公开(公告)号：CN111384158B

公开(公告)日：2024-01-09

申请号：CN201911364732.8

申请日：2019-12-26

Applicant: 株式会社FLOSFIA ,  株式会社电装

Inventor： 高桥勋 ,  鸟山达矢 ,  杉本雅裕 ,  四戸孝 ,  上东秀幸 ,  大原淳士 ,  广濑富佐雄 ,  松木英夫

IPC: H01L29/24 ,  H01L23/367 ,  H01L29/732 ,  H01L29/739 ,  H01L29/778 ,  H01L29/786 ,  H01L29/872 ,  H01L33/26 ,  H01L33/64

Abstract: 本发明提供一种对要求散热性的半导体装置等有用的、晶体品质优异的结晶性氧化物半导体、半导体装置及半导体系统。在形成至少包括第一晶轴和第二晶轴的结晶性氧化物半导体时，通过使第二边比第一边短，使第一晶轴方向的线热膨胀系数比第二晶轴方向的线热膨胀系数小，使第一边方向与第一晶轴方向平行或大致平行，使第二边方向与第二晶轴方向平行或大致平行，从而得到一种结晶性氧化物半导体，该结晶性氧化物半导体至少包括第一边和比第一边短的第二边，第一晶轴方向的线热膨胀系数比第二晶轴方向的线热膨胀系数小，第一边方向与第一晶轴方向平行或大致平行，第二边方向与第二晶轴方向平行或大致平行。