公开(公告)号：CN117242685A

公开(公告)日：2023-12-15

申请号：CN202280031157.3

申请日：2022-04-25

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 杉本雅裕 ,  松田慎平

IPC: H02M1/00

Abstract: 提供一种能够在维持开关特性的同时提高短路耐量的功率转换电路以及功率转换系统。一种功率转换电路，具有相互并联连接的第一开关元件和第二开关元件以及对各开关元件进行导通关断控制的控制部，在使正向电流流过所述第一开关元件时的电流电压特性与使电流流过所述第二开关元件时的电流电压特性的交叉点处的电流值大于所述功率转换装置的额定电流。

公开(公告)号：CN119654782A

公开(公告)日：2025-03-18

申请号：CN202380057977.4

申请日：2023-09-15

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 四户孝 ,  松田慎平 ,  樋口安史 ,  松木英夫 ,  渡边弘纪 ,  金村高司

IPC: H02M1/00 ,  H02M7/48

Abstract: 提供一种能够在抑制氧化镓系半导体的特性劣化的同时进行工作的功率转换电路。一种功率转换电路，至少具有开关元件、以及检测所述开关元件的短路状态并基于检测结果来执行所述开关元件的关断操作的控制部，其中，所述开关元件包含氧化镓系半导体，所述控制部控制所述开关元件的关断操作，以使从所述短路的发生开始到关断操作为止的时间小于1.4μsec。

公开(公告)号：CN117223111A

公开(公告)日：2023-12-12

申请号：CN202280031272.0

申请日：2022-04-25

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 杉本雅裕 ,  松田慎平 ,  樋口安史 ,  则松和良

IPC: H01L29/78

Abstract: 本发明提供一种特别对功率器件有用的、耐压性优异的半导体装置。一种半导体装置，至少具备：结晶性氧化物半导体层(8)，包括沟道层(6)、漂移层(7)和源极区域(1)；栅电极(5a)，经由栅极绝缘膜(4a)配置在该沟道层上；电流阻断区域(2)，配置在所述沟道层与所述漂移层之间；以及源电极(5b)，设置在所述源极区域上，其中，所述电流阻断区域由高电阻层构成，所述源电极与所述电流阻断区域形成接触。

公开(公告)号：CN116575119A

公开(公告)日：2023-08-11

申请号：CN202310090773.2

申请日：2023-02-09

Applicant: 株式会社FLOSFIA ,  株式会社电装 ,  未来瞻科技株式会社

Inventor： 四户孝 ,  安藤裕之 ,  樋口安史 ,  松田慎平 ,  谷口和也 ,  渡边弘纪 ,  松木英夫

IPC: C30B29/16 ,  H01L29/04 ,  H01L29/24 ,  H01L29/78 ,  C30B29/22 ,  C30B29/20 ,  C30B25/00 ,  C23C16/44

Abstract: 本发明提供一种在工业上有用且半导体特性优异的结晶性氧化物膜、层叠结构体、半导体装置及半导体系统。一种结晶性氧化物膜，以相对于c面倾斜的面为主面，包含镓和元素周期表第9族金属，所述元素周期表第9族金属在膜中的所有金属元素中的原子比为23％以下。

公开(公告)号：CN117441234A

公开(公告)日：2024-01-23

申请号：CN202280031264.6

申请日：2022-04-25

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 杉本雅裕 ,  松田慎平 ,  樋口安史 ,  则松和良

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/739 ,  H01L29/24 ,  H01L29/12

Abstract: 本发明提供一种特别对功率器件有用的、耐压性优异的半导体装置。一种半导体装置，至少具备：结晶性氧化物半导体层，包括沟道层和漂移层；以及栅电极，经由栅极绝缘膜配置在该沟道层上，在所述沟道层与所述漂移层之间具有电流阻断层，所述半导体装置的特征在于，所述漂移层包括第一结晶性氧化物作为主要成分，所述电流阻断层包括第二结晶性氧化物作为主要成分，所述第一结晶性氧化物和所述第二结晶性氧化物具有不同的组成。