公开(公告)号：CN116575119A

公开(公告)日：2023-08-11

申请号：CN202310090773.2

申请日：2023-02-09

申请人： 株式会社FLOSFIA ,  株式会社电装 ,  未来瞻科技株式会社

发明人： 四户孝 ,  安藤裕之 ,  樋口安史 ,  松田慎平 ,  谷口和也 ,  渡边弘纪 ,  松木英夫

IPC分类号： C30B29/16 ,  H01L29/04 ,  H01L29/24 ,  H01L29/78 ,  C30B29/22 ,  C30B29/20 ,  C30B25/00 ,  C23C16/44

摘要： 本发明提供一种在工业上有用且半导体特性优异的结晶性氧化物膜、层叠结构体、半导体装置及半导体系统。一种结晶性氧化物膜，以相对于c面倾斜的面为主面，包含镓和元素周期表第9族金属，所述元素周期表第9族金属在膜中的所有金属元素中的原子比为23％以下。

公开(公告)号：CN115966589A

公开(公告)日：2023-04-14

申请号：CN202211136290.3

申请日：2022-09-19

申请人： 株式会社电装 ,  丰田自动车株式会社 ,  未来瞻科技株式会社 ,  浜松光子学株式会社 ,  国立大学法人东海国立大学机构

发明人： 长屋正武 ,  渡边弘纪 ,  大原淳士 ,  河口大祐 ,  原佳祐 ,  笹冈千秋 ,  小岛淳 ,  恩田正一

IPC分类号： H01L29/04 ,  H01L29/20 ,  H01L23/00 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31 ,  H01L21/78 ,  B23K26/00

摘要： 一种半导体芯片包括构成芯片的基板(110)，其具有一个表面(110a)、与所述一个表面相反的另一表面(110b)、以及连接所述一个表面和所述另一表面的两对相反侧表面(110c)。所述一个表面和所述另一表面沿着{0001}c‑平面、{1‑100}m‑平面和{11‑20}a‑平面中的一个。两对相反侧表面中的一对沿着{0001}c‑平面、{1‑100}m‑平面和{11‑20}a‑平面中的另一个。两对相反侧表面中的另一对沿着{0001}c‑平面、{1‑100}m‑平面和{11‑20}a‑平面中的另外一个。所述侧表面包括在作为侧表面的法线方向的深度方向上的表面层部分中包含氧化镓和镓金属的改变层(120)。

公开(公告)号：CN102162134A

公开(公告)日：2011-08-24

申请号：CN201110042966.8

申请日：2011-02-18

申请人： 株式会社电装 ,  丰田自动车株式会社

发明人： 渡边弘纪 ,  木藤泰男 ,  山本建策 ,  高谷秀史 ,  杉本雅裕 ,  森本淳 ,  渡边行彦 ,  副岛成雅 ,  石川刚

IPC分类号： C30B29/36 ,  H01L21/02 ,  H01L21/08

CPC分类号： H01L21/02529 ,  C30B29/36 ,  C30B33/02 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02658 ,  H01L21/02667 ,  H01L29/66068

摘要： 在碳化硅衬底的制造方法中，制备由碳化硅制成的含缺陷的衬底(2)。含缺陷的衬底(2)具有前表面、与前表面相对的后表面、和接近于前表面的表面部分(2a)。含缺陷的衬底(2)在表面部分(2a)包括螺型位错。对含缺陷的衬底(2)的前表面施加外力从而减少表面部分(2a)的结晶性。施加外力后，热处理含缺陷的衬底(2)从而恢复表面部分(2a)的结晶性。

公开(公告)号：CN105074059B

公开(公告)日：2017-09-29

申请号：CN201480009593.6

申请日：2014-01-13

申请人： 株式会社电装

发明人： 近藤宏行 ,  恩田正一 ,  木藤泰男 ,  渡边弘纪

IPC分类号： C30B29/36

CPC分类号： C30B29/36 ,  C01B32/956 ,  C30B23/00 ,  C30B23/025

摘要： 本发明涉及一种包含螺旋位错(2)的碳化硅单晶，将所述螺旋位错中柏氏矢量b满足b＞＜0001＞+1/3＜11‑20＞的位错设定为L位错(2a)。所述L位错由于畸变较大，可能导致漏电流的发生，因而将碳化硅单晶中的所述L位错密度设定为300个/cm2以下，优选设定为100个/cm2以下，由此能够制成对可以抑制漏电流的器件的制作合适的高品质的碳化硅单晶。

公开(公告)号：CN102760768B

公开(公告)日：2016-01-13

申请号：CN201210128717.5

申请日：2012-04-27

申请人： 株式会社电装 ,  丰田自动车株式会社

发明人： 渡边弘纪 ,  宫原真一朗 ,  杉本雅裕 ,  高谷秀史 ,  渡边行彦 ,  副岛成雅 ,  石川刚

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L29/06 ,  H01L21/04

CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7397

摘要： 一种SiC半导体器件包括：SiC衬底(1，2)，其包括第一或第二导电类型层(1)和第一导电类型漂移层(2)，并且包括具有偏移方向的主表面；沟槽(6)，其设置在所述漂移层上并且具有纵向方向；以及栅极电极(9)，其经由栅极绝缘膜(8)设置在所述沟槽中。所述沟槽的侧壁提供沟道形成表面。所述垂直半导体器件根据施加至所述栅极电极的栅极电压而使电流沿所述沟槽的所述沟道形成表面流动。所述SiC衬底的所述偏移方向垂直于所述沟槽的所述纵向方向。

公开(公告)号：CN105074059A

公开(公告)日：2015-11-18

申请号：CN201480009593.6

申请日：2014-01-13

申请人： 株式会社电装

发明人： 近藤宏行 ,  恩田正一 ,  木藤泰男 ,  渡边弘纪

IPC分类号： C30B29/36

CPC分类号： C30B29/36 ,  C01B32/956 ,  C30B23/00 ,  C30B23/025

摘要： 本发明涉及一种包含螺旋位错(2)的碳化硅单晶，将所述螺旋位错中柏氏矢量b满足b＞＜0001＞+1/3＜11-20＞的位错设定为L位错(2a)。所述L位错由于畸变较大，可能导致漏电流的发生，因而将碳化硅单晶中的所述L位错密度设定为300个/cm2以下，优选设定为100个/cm2以下，由此能够制成对可以抑制漏电流的器件的制作合适的高品质的碳化硅单晶。

公开(公告)号：CN102760768A

公开(公告)日：2012-10-31

申请号：CN201210128717.5

申请日：2012-04-27

申请人： 株式会社电装 ,  丰田自动车株式会社

发明人： 渡边弘纪 ,  宫原真一朗 ,  杉本雅裕 ,  高谷秀史 ,  渡边行彦 ,  副岛成雅 ,  石川刚

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L29/06 ,  H01L21/04

CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7397

摘要： 一种SiC半导体器件包括：SiC衬底(1，2)，其包括第一或第二导电类型层(1)和第一导电类型漂移层(2)，并且包括具有偏移方向的主表面；沟槽(6)，其设置在所述漂移层上并且具有纵向方向；以及栅极电极(9)，其经由栅极绝缘膜(8)设置在所述沟槽中。所述沟槽的侧壁提供沟道形成表面。所述垂直半导体器件根据施加至所述栅极电极的栅极电压而使电流沿所述沟槽的所述沟道形成表面流动。所述SiC衬底的所述偏移方向垂直于所述沟槽的所述纵向方向。