公开(公告)号：CN116575119A

公开(公告)日：2023-08-11

申请号：CN202310090773.2

申请日：2023-02-09

Applicant: 株式会社FLOSFIA ,  株式会社电装 ,  未来瞻科技株式会社

Inventor： 四户孝 ,  安藤裕之 ,  樋口安史 ,  松田慎平 ,  谷口和也 ,  渡边弘纪 ,  松木英夫

IPC: C30B29/16 ,  H01L29/04 ,  H01L29/24 ,  H01L29/78 ,  C30B29/22 ,  C30B29/20 ,  C30B25/00 ,  C23C16/44

Abstract: 本发明提供一种在工业上有用且半导体特性优异的结晶性氧化物膜、层叠结构体、半导体装置及半导体系统。一种结晶性氧化物膜，以相对于c面倾斜的面为主面，包含镓和元素周期表第9族金属，所述元素周期表第9族金属在膜中的所有金属元素中的原子比为23％以下。

公开(公告)号：CN118639211A

公开(公告)日：2024-09-13

申请号：CN202410285003.8

申请日：2024-03-13

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 志水诚 ,  志保浩司 ,  安藤裕之 ,  塚本直幸 ,  加藤勇次

IPC: C23C16/40 ,  C23C16/44

Abstract: 本发明提供量产性优异的成膜方法。该成膜方法使用金属络合物，该金属络合物在含氧气氛下、升温速度为20℃/min的热重‑差热分析中，在480℃～520℃的范围内具有放热峰。

公开(公告)号：CN115053354A

公开(公告)日：2022-09-13

申请号：CN202180013128.X

申请日：2021-02-05

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 松原佑典 ,  今藤修 ,  安藤裕之 ,  竹原秀树 ,  四户孝 ,  冲川满

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/47 ,  H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L21/329 ,  H01L23/12 ,  H01L23/36 ,  H01L21/28 ,  H01L29/06 ,  H01L29/24

Abstract: 提供一种半导体特性及散热性优异的半导体元件及半导体装置。一种半导体元件，包含层叠结构体，该层叠结构体通过在导电性基板上直接或隔着其他层层叠有氧化物半导体膜而成，所述氧化物半导体膜包括具有刚玉结构的氧化物作为主成分，所述导电性基板具有比所述氧化物半导体膜大的面积，所述半导体装置通过所述半导体元件与引线框、电路基板或散热基板利用接合部件接合而成。

公开(公告)号：CN119487988A

公开(公告)日：2025-02-18

申请号：CN202380050521.5

申请日：2023-06-29

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 松原佑典 ,  冲川满 ,  安藤裕之 ,  四户孝

IPC: H10D8/60 ,  H10D8/01 ,  H10D62/10 ,  H10D62/80 ,  H10D64/64 ,  H10D30/60 ,  H10D12/00

Abstract: 提供一种即使不依赖于p型的半导体区域或半导体层，也能够提高具有半导体区域或半导体层的半导体装置的耐压性的技术，其中该半导体区域或半导体层包括含有镓的结晶性氧化物半导体。半导体装置具备半导体层和直接或隔着其他层配置在所述半导体层上的电极。所述半导体层具有第一区域和第二区域，该第一区域包括含有镓的结晶性氧化物半导体作为主成分，该第二区域包括含有镓的氧化物作为主成分，所述第二区域的载流子密度低于所述第一区域的载流子密度，所述第二区域的至少一部分位于距离所述半导体层的上表面的深度为1.0μm以上的位置处。

公开(公告)号：CN118639213A

公开(公告)日：2024-09-13

申请号：CN202410285176.X

申请日：2024-03-13

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 志水诚 ,  志保浩司 ,  安藤裕之 ,  塚本直幸 ,  加藤勇次

IPC: C23C16/40 ,  C23C16/44

Abstract: 本发明提供量产性优异的成膜方法。该成膜方法使用在同一或不同水溶液中含有金属络合物及镓化合物的水溶液，所述金属络合物为具有两个以上的不同配体的金属络合物及具有相同的配体并具有取代基的金属络合物中的至少一种，所述具有两个以上的不同配体的金属络合物具有氮原子，所述具有相同的配体并具有取代基的金属络合物具有卤素原子。

公开(公告)号：CN116114061A

公开(公告)日：2023-05-12

申请号：CN202180057395.7

申请日：2021-08-10

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 柳田秀彰 ,  水本尚吾 ,  安藤裕之 ,  松原佑典

IPC: H01L23/48

Abstract: 本发明提供一种对功率器件特别有用且顺向特性得到改善的半导体元件及半导体装置。一种半导体元件及具备该半导体元件的半导体装置，所述半导体元件为具备包含结晶性氧化物半导体(例如，α‑Ga2O3等)作为主成分的半导体层、层叠于该半导体层上的电极层以及直接或隔着其他层而层叠于该电极层上的导电性基板的层叠结构体，所述导电性基板至少含有选自元素周期表第11族金属中的第一金属以及线性热膨胀系数与所述第一金属的线性热膨胀系数不同的第二金属。

公开(公告)号：CN118639212A

公开(公告)日：2024-09-13

申请号：CN202410285121.9

申请日：2024-03-13

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 志水诚 ,  志保浩司 ,  安藤裕之 ,  塚本直幸 ,  加藤勇次

IPC: C23C16/40 ,  C23C16/44

Abstract: 本发明提供一种量产性优异的成膜方法。使用具有两个以上的不同配体的金属络合物及具有相同的配体并具有取代基的金属络合物中的至少一种金属络合物的成膜方法。

公开(公告)号：CN115885390A

公开(公告)日：2023-03-31

申请号：CN202180050849.8

申请日：2021-08-20

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 柳田秀彰 ,  四户孝 ,  安藤裕之 ,  松原佑典 ,  北角英人

IPC: H01L29/872

Abstract: 提供一种能够在谋求小型化及高密度化的同时提高对过电流的耐久性的半导体装置。本发明的半导体装置具有：多个PN结二极管，具备负温度特性而串联连接；肖特基势垒二极管，具备正温度特性而与所述多个PN结二极管并联连接；以及芯片焊盘，共同载置所述多个PN结二极管中的至少一个与所述肖特基势垒二极管。

公开(公告)号：CN119522636A

公开(公告)日：2025-02-25

申请号：CN202380050510.7

申请日：2023-06-29

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 松原佑典 ,  冲川满 ,  安藤裕之 ,  四户孝

IPC: H10D8/60 ,  H10D8/01 ,  H10D12/01 ,  H10D62/10 ,  H10D62/81 ,  H10D62/82 ,  H10D64/64 ,  H10D12/00 ,  H10D30/66

Abstract: 提供一种即使不依赖于p型的半导体区域或半导体层，也能够提高具有半导体区域或半导体层的半导体装置的耐压性的技术，其中该半导体区域或半导体层包括含有镓的结晶性氧化物半导体。半导体装置具备耗尽层延伸的半导体层和直接或隔着其他层配置在所述半导体层上的电极。所述半导体层具有第一区域和第二区域，该第一区域包括含有镓的结晶性氧化物半导体作为主成分，该第二区域包括含有镓的氧化物作为主成分，所述第二区域在与所述半导体层的上表面垂直的截面中具有线状的晶体缺陷区域。

公开(公告)号：CN118645535A

公开(公告)日：2024-09-13

申请号：CN202410284769.4

申请日：2024-03-13

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 安藤裕之 ,  塚本直幸 ,  加藤勇次

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/34 ,  H02M3/10 ,  H02M7/48

Abstract: 本发明提供一种适合于半导体元件的层叠结构体、半导体元件、电力转换装置及控制系统。一种层叠结构体，具备表面具有沟道结构的第一氧化物层和沿着所述沟道结构层叠的第二氧化物层，所述第二氧化物层的底部的中心与侧壁部的中心的膜厚差异小于30％。