公开(公告)号：CN112802889A

公开(公告)日：2021-05-14

申请号：CN202011271959.0

申请日：2020-11-13

申请人： 株式会社FLOSFIA

发明人： 雨堤耕史 ,  则松和良 ,  冲川满

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/872 ,  H01L29/78 ,  H01L29/24

摘要： 本发明涉及半导体装置及半导体系统。本发明提供一种尤其对功率器件有用且半导体特性优异的半导体装置。半导体装置包括：结晶性氧化物半导体层；和与所述结晶性氧化物半导体层电连接的至少一个电极，在所述结晶性氧化物半导体层的第一面具有至少一个沟槽，所述沟槽包括底面、侧面及所述底面与所述侧面之间的至少一个圆弧部，所述圆弧部的曲率半径在100nm～500nm的范围内，所述侧面和所述结晶性氧化物半导体层的第一面所成的角度为90°以上。

公开(公告)号：CN115053354A

公开(公告)日：2022-09-13

申请号：CN202180013128.X

申请日：2021-02-05

申请人： 株式会社FLOSFIA

发明人： 松原佑典 ,  今藤修 ,  安藤裕之 ,  竹原秀树 ,  四户孝 ,  冲川满

IPC分类号： H01L29/872 ,  H01L29/47 ,  H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L21/329 ,  H01L23/12 ,  H01L23/36 ,  H01L21/28 ,  H01L29/06 ,  H01L29/24

摘要： 提供一种半导体特性及散热性优异的半导体元件及半导体装置。一种半导体元件，包含层叠结构体，该层叠结构体通过在导电性基板上直接或隔着其他层层叠有氧化物半导体膜而成，所述氧化物半导体膜包括具有刚玉结构的氧化物作为主成分，所述导电性基板具有比所述氧化物半导体膜大的面积，所述半导体装置通过所述半导体元件与引线框、电路基板或散热基板利用接合部件接合而成。

公开(公告)号：CN118541811A

公开(公告)日：2024-08-23

申请号：CN202380017083.2

申请日：2023-01-12

申请人： 株式会社FLOSFIA

发明人： 四户孝 ,  冲川满 ,  雨堤耕史 ,  樋口安史 ,  松田时宜

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/329 ,  H01L21/365 ,  H01L21/368 ,  H01L29/12 ,  H01L29/24 ,  H01L29/739 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868 ,  H01L29/872

摘要： 提供一种半导体装置，其尤其有用于功率器件，并且半导体特性优异。一种半导体装置，其特征在于，至少具备：n型氧化物半导体层；与所述n型氧化物半导体层形成主结的第一p型氧化物半导体层；以及空穴供给层，所述空穴供给层由不同于所述第一p型氧化物半导体层的第二p型氧化物半导体层构成。

公开(公告)号：CN114402437A

公开(公告)日：2022-04-26

申请号：CN202080064671.8

申请日：2020-07-15

申请人： 株式会社FLOSFIA

发明人： 冲川满 ,  樋口安史 ,  松原佑典 ,  今藤修 ,  四户孝

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/24 ,  H01L29/47 ,  H01L29/872

摘要： 提供了一种层叠结构体和使用层叠结构体的半导体装置，该层叠结构体对功率器件特别有用，且改善了由绝缘体膜引起的半导体层内的应力集中导致的晶体缺陷。一种层叠结构体，通过在半导体膜的一部分上层叠有绝缘体膜而成，所述半导体膜具有刚玉结构，并且包含结晶性氧化物半导体，所述结晶性氧化物半导体含有选自元素周期表第9族和第13族中的一种或两种以上的金属，所述绝缘体膜具有20°以下的锥形角。

公开(公告)号：CN115053355A

公开(公告)日：2022-09-13

申请号：CN202180013173.5

申请日：2021-02-05

申请人： 株式会社FLOSFIA

发明人： 松原佑典 ,  今藤修 ,  安藤裕之 ,  竹原秀树 ,  四户孝 ,  冲川满

IPC分类号： H01L29/872 ,  H01L21/28 ,  H01L29/06 ,  H01L29/24 ,  H01L29/47 ,  H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L21/329

摘要： 提供一种半导体特性及散热性优异的半导体元件及半导体装置。一种半导体元件，包含层叠结构体，该层叠结构体通过在导电性基板上直接或隔着其他层层叠有氧化物半导体膜而成，所述氧化物半导体膜包括含有镓的氧化物作为主成分，所述导电性基板具有比所述氧化物半导体膜大的面积，所述半导体装置通过所述半导体元件与引线框、电路基板或散热基板利用接合部件接合而成。

公开(公告)号：CN114270531A

公开(公告)日：2022-04-01

申请号：CN202080059351.3

申请日：2020-08-19

申请人： 株式会社FLOSFIA ,  国立研究开发法人物质·材料研究机构

发明人： 河原克明 ,  大岛祐一 ,  冲川满

IPC分类号： H01L29/24 ,  C30B23/04 ,  C30B25/04

摘要： 一种结晶膜，其包含结晶性金属氧化物为主成分，且具有刚玉结构，通过第一横向晶体生长在基板上形成第一横向晶体生长层，并在所述第一横向晶体生长层上配置掩模，进而通过第二横向晶体生长形成第二横向晶体生长层，从而得到位错密度为1×107cm‑2以下且表面积为10mm2以上的结晶膜。

公开(公告)号：CN115513303A

公开(公告)日：2022-12-23

申请号：CN202210638429.8

申请日：2022-06-07

申请人： 株式会社FLOSFIA

发明人： 冲川满 ,  奥井富士雄 ,  樋口安史 ,  雨堤耕史 ,  柴田英高 ,  加藤勇次 ,  寺井睦

IPC分类号： H01L29/872

摘要： 本发明涉及半导体装置、电力转换装置及控制系统。提供对功率器件特别有用且降低了漏电流的半导体装置。半导体装置至少具备n+型半导体层、配置在该n+型半导体层上的n‑型半导体层、至少一部分嵌入该n‑型半导体层中的高电阻层、以及与所述n‑型半导体层形成肖特基结的肖特基电极，其中，所述n+型半导体层和所述n‑型半导体层分别包含结晶性氧化物半导体作为主成分，所述肖特基电极的端部位于所述高电阻层上，所述高电阻层中嵌入所述n‑型半导体层中的部分的深度d(μm)满足d≥1.4。

公开(公告)号：CN115513302A

公开(公告)日：2022-12-23

申请号：CN202210637520.8

申请日：2022-06-07

申请人： 株式会社FLOSFIA

发明人： 冲川满 ,  奥井富士雄 ,  樋口安史 ,  雨堤耕史 ,  柴田英高 ,  加藤勇次 ,  寺井睦

IPC分类号： H01L29/861 ,  H01L29/778 ,  H01L23/31

摘要： 本发明涉及半导体装置、电力转换装置及控制系统。提供对功率器件特别有用且降低了漏电流的半导体装置。半导体装置至少具备n+型半导体层、配置在该n+型半导体层上的n‑型半导体层、至少一部分嵌入该n‑型半导体层中的高电阻层、以及与所述n‑型半导体层形成肖特基结的肖特基电极，其中，所述n+型半导体层和所述n‑型半导体层分别包含结晶性氧化物半导体作为主成分，所述高电阻层的底面与所述n+型半导体层的上表面之间的距离小于1.5μm，所述肖特基电极的端部位于所述高电阻层上。

公开(公告)号：CN114514615A

公开(公告)日：2022-05-17

申请号：CN202080064681.1

申请日：2020-07-15

申请人： 株式会社FLOSFIA

发明人： 冲川满 ,  樋口安史 ,  松原佑典 ,  今藤修 ,  四户孝

IPC分类号： H01L29/24 ,  H01L29/47 ,  H01L29/06 ,  H01L29/872

摘要： 提供了一种对功率器件特别有用，且改善了由绝缘体膜引起的由半导体层内的应力集中导致的晶体缺陷的半导体装置。一种半导体装置，至少具备半导体层、肖特基电极和绝缘体层，在所述半导体层的一部分和所述肖特基电极之间设置有所述绝缘体层，所述半导体层包含结晶性氧化物半导体，所述绝缘体层具有10°以下的锥形角。

公开(公告)号：CN114207831A

公开(公告)日：2022-03-18

申请号：CN202080052697.0

申请日：2020-05-22

申请人： 株式会社FLOSFIA

发明人： 冲川满 ,  樋口安史 ,  松原佑典

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/47 ,  H01L29/872 ,  H01L29/24

摘要： 提供一种特别对于功率器件有用的、抑制了漏电流的低损耗的半导体装置。一种半导体装置，包含：半导体层；介电膜，形成在所述半导体层上，且具有开口部，在距离所述开口部至少0.25μm以上的范围而形成；和电极层，在从所述开口部的内部直至所述介电膜的一部分或全部之上而形成，其中，从所述开口部到0.25μm以上的距离的所述介电膜的膜厚小于50nm，所述介电膜的相对介电常数在5以下。