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公开(公告)号：CN115053354A
公开(公告)日：2022-09-13
申请号：CN202180013128.X
申请日：2021-02-05
Applicant: 株式会社FLOSFIA
IPC: H01L29/872 , H01L29/47 , H01L29/786 , H01L21/336 , H01L21/329 , H01L23/12 , H01L23/36 , H01L21/28 , H01L29/06 , H01L29/24
Abstract: 提供一种半导体特性及散热性优异的半导体元件及半导体装置。一种半导体元件，包含层叠结构体，该层叠结构体通过在导电性基板上直接或隔着其他层层叠有氧化物半导体膜而成，所述氧化物半导体膜包括具有刚玉结构的氧化物作为主成分，所述导电性基板具有比所述氧化物半导体膜大的面积，所述半导体装置通过所述半导体元件与引线框、电路基板或散热基板利用接合部件接合而成。
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公开(公告)号：CN119487988A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202380050521.5
申请日：2023-06-29
Applicant: 株式会社FLOSFIA
Abstract: 提供一种即使不依赖于p型的半导体区域或半导体层，也能够提高具有半导体区域或半导体层的半导体装置的耐压性的技术，其中该半导体区域或半导体层包括含有镓的结晶性氧化物半导体。半导体装置具备半导体层和直接或隔着其他层配置在所述半导体层上的电极。所述半导体层具有第一区域和第二区域，该第一区域包括含有镓的结晶性氧化物半导体作为主成分，该第二区域包括含有镓的氧化物作为主成分，所述第二区域的载流子密度低于所述第一区域的载流子密度，所述第二区域的至少一部分位于距离所述半导体层的上表面的深度为1.0μm以上的位置处。
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公开(公告)号：CN112802889A
公开(公告)日：2021-05-14
申请号：CN202011271959.0
申请日：2020-11-13
Applicant: 株式会社FLOSFIA
IPC: H01L29/06 , H01L29/872 , H01L29/78 , H01L29/24
Abstract: 本发明涉及半导体装置及半导体系统。本发明提供一种尤其对功率器件有用且半导体特性优异的半导体装置。半导体装置包括：结晶性氧化物半导体层；和与所述结晶性氧化物半导体层电连接的至少一个电极，在所述结晶性氧化物半导体层的第一面具有至少一个沟槽，所述沟槽包括底面、侧面及所述底面与所述侧面之间的至少一个圆弧部，所述圆弧部的曲率半径在100nm～500nm的范围内，所述侧面和所述结晶性氧化物半导体层的第一面所成的角度为90°以上。
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公开(公告)号：CN115053355A
公开(公告)日：2022-09-13
申请号：CN202180013173.5
申请日：2021-02-05
Applicant: 株式会社FLOSFIA
IPC: H01L29/872 , H01L21/28 , H01L29/06 , H01L29/24 , H01L29/47 , H01L29/786 , H01L21/336 , H01L21/329
Abstract: 提供一种半导体特性及散热性优异的半导体元件及半导体装置。一种半导体元件，包含层叠结构体，该层叠结构体通过在导电性基板上直接或隔着其他层层叠有氧化物半导体膜而成，所述氧化物半导体膜包括含有镓的氧化物作为主成分，所述导电性基板具有比所述氧化物半导体膜大的面积，所述半导体装置通过所述半导体元件与引线框、电路基板或散热基板利用接合部件接合而成。
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公开(公告)号：CN114270531A
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN202080059351.3
申请日：2020-08-19
Applicant: 株式会社FLOSFIA , 国立研究开发法人物质·材料研究机构
Abstract: 一种结晶膜，其包含结晶性金属氧化物为主成分，且具有刚玉结构，通过第一横向晶体生长在基板上形成第一横向晶体生长层，并在所述第一横向晶体生长层上配置掩模，进而通过第二横向晶体生长形成第二横向晶体生长层，从而得到位错密度为1×107cm‑2以下且表面积为10mm2以上的结晶膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119522636A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202380050510.7
申请日：2023-06-29
Applicant: 株式会社FLOSFIA
IPC: H10D8/60 , H10D8/01 , H10D12/01 , H10D62/10 , H10D62/81 , H10D62/82 , H10D64/64 , H10D12/00 , H10D30/66
Abstract: 提供一种即使不依赖于p型的半导体区域或半导体层，也能够提高具有半导体区域或半导体层的半导体装置的耐压性的技术，其中该半导体区域或半导体层包括含有镓的结晶性氧化物半导体。半导体装置具备耗尽层延伸的半导体层和直接或隔着其他层配置在所述半导体层上的电极。所述半导体层具有第一区域和第二区域，该第一区域包括含有镓的结晶性氧化物半导体作为主成分，该第二区域包括含有镓的氧化物作为主成分，所述第二区域在与所述半导体层的上表面垂直的截面中具有线状的晶体缺陷区域。
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公开(公告)号：CN118541811A
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202380017083.2
申请日：2023-01-12
Applicant: 株式会社FLOSFIA
IPC: H01L29/78 , H01L21/329 , H01L21/365 , H01L21/368 , H01L29/12 , H01L29/24 , H01L29/739 , H01L29/861 , H01L29/868 , H01L29/872
Abstract: 提供一种半导体装置，其尤其有用于功率器件，并且半导体特性优异。一种半导体装置，其特征在于，至少具备：n型氧化物半导体层；与所述n型氧化物半导体层形成主结的第一p型氧化物半导体层；以及空穴供给层，所述空穴供给层由不同于所述第一p型氧化物半导体层的第二p型氧化物半导体层构成。
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公开(公告)号：CN114402437A
公开(公告)日：2022-04-26
申请号：CN202080064671.8
申请日：2020-07-15
Applicant: 株式会社FLOSFIA
IPC: H01L29/06 , H01L29/24 , H01L29/47 , H01L29/872
Abstract: 提供了一种层叠结构体和使用层叠结构体的半导体装置，该层叠结构体对功率器件特别有用，且改善了由绝缘体膜引起的半导体层内的应力集中导致的晶体缺陷。一种层叠结构体，通过在半导体膜的一部分上层叠有绝缘体膜而成，所述半导体膜具有刚玉结构，并且包含结晶性氧化物半导体，所述结晶性氧化物半导体含有选自元素周期表第9族和第13族中的一种或两种以上的金属，所述绝缘体膜具有20°以下的锥形角。
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公开(公告)号：CN115513303A
公开(公告)日：2022-12-23
申请号：CN202210638429.8
申请日：2022-06-07
Applicant: 株式会社FLOSFIA
IPC: H01L29/872
Abstract: 本发明涉及半导体装置、电力转换装置及控制系统。提供对功率器件特别有用且降低了漏电流的半导体装置。半导体装置至少具备n+型半导体层、配置在该n+型半导体层上的n‑型半导体层、至少一部分嵌入该n‑型半导体层中的高电阻层、以及与所述n‑型半导体层形成肖特基结的肖特基电极，其中，所述n+型半导体层和所述n‑型半导体层分别包含结晶性氧化物半导体作为主成分，所述肖特基电极的端部位于所述高电阻层上，所述高电阻层中嵌入所述n‑型半导体层中的部分的深度d(μm)满足d≥1.4。
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公开(公告)号：CN115513302A
公开(公告)日：2022-12-23
申请号：CN202210637520.8
申请日：2022-06-07
Applicant: 株式会社FLOSFIA
IPC: H01L29/861 , H01L29/778 , H01L23/31
Abstract: 本发明涉及半导体装置、电力转换装置及控制系统。提供对功率器件特别有用且降低了漏电流的半导体装置。半导体装置至少具备n+型半导体层、配置在该n+型半导体层上的n‑型半导体层、至少一部分嵌入该n‑型半导体层中的高电阻层、以及与所述n‑型半导体层形成肖特基结的肖特基电极，其中，所述n+型半导体层和所述n‑型半导体层分别包含结晶性氧化物半导体作为主成分，所述高电阻层的底面与所述n+型半导体层的上表面之间的距离小于1.5μm，所述肖特基电极的端部位于所述高电阻层上。
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