公开(公告)号：CN118743031A

公开(公告)日：2024-10-01

申请号：CN202380018924.1

申请日：2023-01-27

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 冈睦 ,  寺井睦 ,  柴田英高

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/329 ,  H01L21/336 ,  H01L21/365 ,  H01L21/368 ,  H01L21/52 ,  H01L29/12 ,  H01L29/739 ,  H01L29/872

Abstract: 提供一种层叠结构体、半导体元件和半导体装置，其尤其在功率器件中有用，并且降低高温时的劣化。一种层叠结构体，至少具备将结晶性氧化物半导体作为主成分来包含的半导体层和层叠于该半导体层上的导电性基板，所述层叠结构体在与所述层叠结构体的层叠方向垂直的面内具有第一方向和与所述第一方向垂直或大致垂直的第二方向，作为所述导电性基板在第一方向上的线膨胀系数的第一线膨胀系数小于作为所述导电性基板在第二方向上的线膨胀系数的第二线膨胀系数，并且作为所述半导体层在所述第一方向上的线膨胀系数的第三线膨胀系数小于作为所述半导体层在所述第二方向上的线膨胀系数的第四线膨胀系数。

公开(公告)号：CN118613921A

公开(公告)日：2024-09-06

申请号：CN202380018925.6

申请日：2023-01-27

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 冈睦 ,  寺井睦 ,  柴田英高

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/329 ,  H01L21/336 ,  H01L21/365 ,  H01L21/368 ,  H01L21/52 ,  H01L29/12 ,  H01L29/739 ,  H01L29/872

Abstract: 提供一种层叠结构体、半导体元件和半导体装置，其尤其在功率器件中有用，并且降低高温时的劣化。一种层叠结构体，至少具备将结晶性氧化物半导体作为主成分来包含的半导体层和层叠于该半导体层上的导电性基板，所述导电性基板至少包含第一金属和与该第一金属不同的第二金属，其中，所述导电性基板在面内具有第一方向和与所述第一方向垂直或大致垂直的第二方向，所述导电性基板的作为所述第一方向上的线膨胀系数的第一线膨胀系数与作为所述第二方向上的线膨胀系数的第二线膨胀系数相同或大致相同。

公开(公告)号：CN115513303A

公开(公告)日：2022-12-23

申请号：CN202210638429.8

申请日：2022-06-07

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 冲川满 ,  奥井富士雄 ,  樋口安史 ,  雨堤耕史 ,  柴田英高 ,  加藤勇次 ,  寺井睦

IPC: H01L29/872

Abstract: 本发明涉及半导体装置、电力转换装置及控制系统。提供对功率器件特别有用且降低了漏电流的半导体装置。半导体装置至少具备n+型半导体层、配置在该n+型半导体层上的n‑型半导体层、至少一部分嵌入该n‑型半导体层中的高电阻层、以及与所述n‑型半导体层形成肖特基结的肖特基电极，其中，所述n+型半导体层和所述n‑型半导体层分别包含结晶性氧化物半导体作为主成分，所述肖特基电极的端部位于所述高电阻层上，所述高电阻层中嵌入所述n‑型半导体层中的部分的深度d(μm)满足d≥1.4。

公开(公告)号：CN115513302A

公开(公告)日：2022-12-23

申请号：CN202210637520.8

申请日：2022-06-07

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 冲川满 ,  奥井富士雄 ,  樋口安史 ,  雨堤耕史 ,  柴田英高 ,  加藤勇次 ,  寺井睦

IPC: H01L29/861 ,  H01L29/778 ,  H01L23/31

Abstract: 本发明涉及半导体装置、电力转换装置及控制系统。提供对功率器件特别有用且降低了漏电流的半导体装置。半导体装置至少具备n+型半导体层、配置在该n+型半导体层上的n‑型半导体层、至少一部分嵌入该n‑型半导体层中的高电阻层、以及与所述n‑型半导体层形成肖特基结的肖特基电极，其中，所述n+型半导体层和所述n‑型半导体层分别包含结晶性氧化物半导体作为主成分，所述高电阻层的底面与所述n+型半导体层的上表面之间的距离小于1.5μm，所述肖特基电极的端部位于所述高电阻层上。