公开(公告)号：CN118743031A

公开(公告)日：2024-10-01

申请号：CN202380018924.1

申请日：2023-01-27

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 冈睦 ,  寺井睦 ,  柴田英高

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/329 ,  H01L21/336 ,  H01L21/365 ,  H01L21/368 ,  H01L21/52 ,  H01L29/12 ,  H01L29/739 ,  H01L29/872

Abstract: 提供一种层叠结构体、半导体元件和半导体装置，其尤其在功率器件中有用，并且降低高温时的劣化。一种层叠结构体，至少具备将结晶性氧化物半导体作为主成分来包含的半导体层和层叠于该半导体层上的导电性基板，所述层叠结构体在与所述层叠结构体的层叠方向垂直的面内具有第一方向和与所述第一方向垂直或大致垂直的第二方向，作为所述导电性基板在第一方向上的线膨胀系数的第一线膨胀系数小于作为所述导电性基板在第二方向上的线膨胀系数的第二线膨胀系数，并且作为所述半导体层在所述第一方向上的线膨胀系数的第三线膨胀系数小于作为所述半导体层在所述第二方向上的线膨胀系数的第四线膨胀系数。

公开(公告)号：CN118613921A

公开(公告)日：2024-09-06

申请号：CN202380018925.6

申请日：2023-01-27

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 冈睦 ,  寺井睦 ,  柴田英高

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/329 ,  H01L21/336 ,  H01L21/365 ,  H01L21/368 ,  H01L21/52 ,  H01L29/12 ,  H01L29/739 ,  H01L29/872

Abstract: 提供一种层叠结构体、半导体元件和半导体装置，其尤其在功率器件中有用，并且降低高温时的劣化。一种层叠结构体，至少具备将结晶性氧化物半导体作为主成分来包含的半导体层和层叠于该半导体层上的导电性基板，所述导电性基板至少包含第一金属和与该第一金属不同的第二金属，其中，所述导电性基板在面内具有第一方向和与所述第一方向垂直或大致垂直的第二方向，所述导电性基板的作为所述第一方向上的线膨胀系数的第一线膨胀系数与作为所述第二方向上的线膨胀系数的第二线膨胀系数相同或大致相同。