公开(公告)号：CN118639213A

公开(公告)日：2024-09-13

申请号：CN202410285176.X

申请日：2024-03-13

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 志水诚 ,  志保浩司 ,  安藤裕之 ,  塚本直幸 ,  加藤勇次

IPC: C23C16/40 ,  C23C16/44

Abstract: 本发明提供量产性优异的成膜方法。该成膜方法使用在同一或不同水溶液中含有金属络合物及镓化合物的水溶液，所述金属络合物为具有两个以上的不同配体的金属络合物及具有相同的配体并具有取代基的金属络合物中的至少一种，所述具有两个以上的不同配体的金属络合物具有氮原子，所述具有相同的配体并具有取代基的金属络合物具有卤素原子。

公开(公告)号：CN118639211A

公开(公告)日：2024-09-13

申请号：CN202410285003.8

申请日：2024-03-13

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 志水诚 ,  志保浩司 ,  安藤裕之 ,  塚本直幸 ,  加藤勇次

IPC: C23C16/40 ,  C23C16/44

Abstract: 本发明提供量产性优异的成膜方法。该成膜方法使用金属络合物，该金属络合物在含氧气氛下、升温速度为20℃/min的热重‑差热分析中，在480℃～520℃的范围内具有放热峰。

公开(公告)号：CN114930501A

公开(公告)日：2022-08-19

申请号：CN202180008631.6

申请日：2021-01-08

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 菅野亮平 ,  今藤修 ,  则松和良 ,  加藤勇次

IPC: H01L21/28 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H01L29/24 ,  H01L29/47 ,  H01L29/872 ,  H01L21/329

Abstract: 提供一种电特性优异的导电性金属氧化膜和半导体元件。一种包含金属氧化物作为主成分的导电性金属氧化膜，所述金属氧化物至少包含选自元素周期表第4族中的第一金属和选自元素周期表第13族中的第二金属，使用该导电性金属氧化膜，制作半导体元件，由制作的半导体元件制造功率卡等半导体装置，另外，由这些半导体元件或半导体装置来构造半导体系统。

公开(公告)号：CN118645535A

公开(公告)日：2024-09-13

申请号：CN202410284769.4

申请日：2024-03-13

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 安藤裕之 ,  塚本直幸 ,  加藤勇次

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/34 ,  H02M3/10 ,  H02M7/48

Abstract: 本发明提供一种适合于半导体元件的层叠结构体、半导体元件、电力转换装置及控制系统。一种层叠结构体，具备表面具有沟道结构的第一氧化物层和沿着所述沟道结构层叠的第二氧化物层，所述第二氧化物层的底部的中心与侧壁部的中心的膜厚差异小于30％。

公开(公告)号：CN113113482A

公开(公告)日：2021-07-13

申请号：CN202110025009.8

申请日：2021-01-08

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 菅野亮平 ,  今藤修 ,  则松和良 ,  加藤勇次

IPC: H01L29/45 ,  H01L29/872

Abstract: 本发明涉及晶体、半导体元件、半导体装置及半导体系统。本发明提供一种对半导体元件有用的晶体及电气特性优异的半导体元件。使用一种晶体制作半导体元件，所述晶体具有刚玉结构，且包括结晶性氧化物作为主成分，所述结晶性氧化物含有镓或/和铟，其特征在于，所述结晶性氧化物进一步包括元素周期表第4族金属，由制作的半导体元件制造功率卡等半导体装置，另外，由这些半导体元件或半导体装置构筑半导体系统。

公开(公告)号：CN113113481A

公开(公告)日：2021-07-13

申请号：CN202110023607.1

申请日：2021-01-08

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 菅野亮平 ,  今藤修 ,  则松和良 ,  加藤勇次

IPC: H01L29/45 ,  H01L29/872

Abstract: 本申请涉及半导体元件、半导体装置及半导体系统。本发明提供一种半导体特性优异的半导体元件及半导体装置。一种导电性金属氧化膜，其包括金属氧化物作为主成分，所述金属氧化物至少包括选自元素周期表第4族的第一金属和选自元素周期表第13族的第二金属，将这种导电性金属氧化膜用作电极来制作半导体元件，由制作的半导体元件制造功率卡等半导体装置，并且，由这些半导体元件和半导体装置构筑半导体系统。

公开(公告)号：CN118639212A

公开(公告)日：2024-09-13

申请号：CN202410285121.9

申请日：2024-03-13

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 志水诚 ,  志保浩司 ,  安藤裕之 ,  塚本直幸 ,  加藤勇次

IPC: C23C16/40 ,  C23C16/44

Abstract: 本发明提供一种量产性优异的成膜方法。使用具有两个以上的不同配体的金属络合物及具有相同的配体并具有取代基的金属络合物中的至少一种金属络合物的成膜方法。

公开(公告)号：CN115513303A

公开(公告)日：2022-12-23

申请号：CN202210638429.8

申请日：2022-06-07

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 冲川满 ,  奥井富士雄 ,  樋口安史 ,  雨堤耕史 ,  柴田英高 ,  加藤勇次 ,  寺井睦

IPC: H01L29/872

Abstract: 本发明涉及半导体装置、电力转换装置及控制系统。提供对功率器件特别有用且降低了漏电流的半导体装置。半导体装置至少具备n+型半导体层、配置在该n+型半导体层上的n‑型半导体层、至少一部分嵌入该n‑型半导体层中的高电阻层、以及与所述n‑型半导体层形成肖特基结的肖特基电极，其中，所述n+型半导体层和所述n‑型半导体层分别包含结晶性氧化物半导体作为主成分，所述肖特基电极的端部位于所述高电阻层上，所述高电阻层中嵌入所述n‑型半导体层中的部分的深度d(μm)满足d≥1.4。

公开(公告)号：CN115513302A

公开(公告)日：2022-12-23

申请号：CN202210637520.8

申请日：2022-06-07

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 冲川满 ,  奥井富士雄 ,  樋口安史 ,  雨堤耕史 ,  柴田英高 ,  加藤勇次 ,  寺井睦

IPC: H01L29/861 ,  H01L29/778 ,  H01L23/31

Abstract: 本发明涉及半导体装置、电力转换装置及控制系统。提供对功率器件特别有用且降低了漏电流的半导体装置。半导体装置至少具备n+型半导体层、配置在该n+型半导体层上的n‑型半导体层、至少一部分嵌入该n‑型半导体层中的高电阻层、以及与所述n‑型半导体层形成肖特基结的肖特基电极，其中，所述n+型半导体层和所述n‑型半导体层分别包含结晶性氧化物半导体作为主成分，所述高电阻层的底面与所述n+型半导体层的上表面之间的距离小于1.5μm，所述肖特基电极的端部位于所述高电阻层上。