公开(公告)号：CN115053354A

公开(公告)日：2022-09-13

申请号：CN202180013128.X

申请日：2021-02-05

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 松原佑典 ,  今藤修 ,  安藤裕之 ,  竹原秀树 ,  四户孝 ,  冲川满

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/47 ,  H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L21/329 ,  H01L23/12 ,  H01L23/36 ,  H01L21/28 ,  H01L29/06 ,  H01L29/24

Abstract: 提供一种半导体特性及散热性优异的半导体元件及半导体装置。一种半导体元件，包含层叠结构体，该层叠结构体通过在导电性基板上直接或隔着其他层层叠有氧化物半导体膜而成，所述氧化物半导体膜包括具有刚玉结构的氧化物作为主成分，所述导电性基板具有比所述氧化物半导体膜大的面积，所述半导体装置通过所述半导体元件与引线框、电路基板或散热基板利用接合部件接合而成。

公开(公告)号：CN114930501A

公开(公告)日：2022-08-19

申请号：CN202180008631.6

申请日：2021-01-08

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 菅野亮平 ,  今藤修 ,  则松和良 ,  加藤勇次

IPC: H01L21/28 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H01L29/24 ,  H01L29/47 ,  H01L29/872 ,  H01L21/329

Abstract: 提供一种电特性优异的导电性金属氧化膜和半导体元件。一种包含金属氧化物作为主成分的导电性金属氧化膜，所述金属氧化物至少包含选自元素周期表第4族中的第一金属和选自元素周期表第13族中的第二金属，使用该导电性金属氧化膜，制作半导体元件，由制作的半导体元件制造功率卡等半导体装置，另外，由这些半导体元件或半导体装置来构造半导体系统。

公开(公告)号：CN114503284A

公开(公告)日：2022-05-13

申请号：CN202080069872.7

申请日：2020-10-02

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 今藤修

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/45 ,  H01L29/47

Abstract: 一种半导体元件，其至少包含层叠结构体，所述层叠结构体通过在由氧化物半导体膜构成的半导体层上层叠第一金属层、第二金属层和第三金属层而成，第一金属层、第二金属层和第三金属层分别由互不相同的一种或两种以上的金属构成，第一金属层和第三金属层之间配置有第二金属层，第二金属层包含Pt或/和Pd，第一金属层与所述半导体层欧姆接触。

公开(公告)号：CN114503285A

公开(公告)日：2022-05-13

申请号：CN202080069877.X

申请日：2020-10-05

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 今藤修 ,  松原佑典

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/47 ,  H01L29/417 ,  H01L29/24 ,  H01L29/06 ,  H01L25/18 ,  H01L25/07 ,  H01L21/28 ,  H01L21/34

Abstract: 提供一种具备平坦性优异且不易变形而能够实现良好的半导体特性的多孔层的半导体元件。半导体元件包含半导体膜和配置在半导体膜的第一面侧或作为第一面侧的相反侧的第二面侧的多孔层，所述多孔层的空隙率为10％以下。

公开(公告)号：CN115053355A

公开(公告)日：2022-09-13

申请号：CN202180013173.5

申请日：2021-02-05

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 松原佑典 ,  今藤修 ,  安藤裕之 ,  竹原秀树 ,  四户孝 ,  冲川满

IPC: H01L29/872 ,  H01L21/28 ,  H01L29/06 ,  H01L29/24 ,  H01L29/47 ,  H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L21/329

Abstract: 提供一种半导体特性及散热性优异的半导体元件及半导体装置。一种半导体元件，包含层叠结构体，该层叠结构体通过在导电性基板上直接或隔着其他层层叠有氧化物半导体膜而成，所述氧化物半导体膜包括含有镓的氧化物作为主成分，所述导电性基板具有比所述氧化物半导体膜大的面积，所述半导体装置通过所述半导体元件与引线框、电路基板或散热基板利用接合部件接合而成。

公开(公告)号：CN114514615A

公开(公告)日：2022-05-17

申请号：CN202080064681.1

申请日：2020-07-15

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 冲川满 ,  樋口安史 ,  松原佑典 ,  今藤修 ,  四户孝

IPC: H01L29/24 ,  H01L29/47 ,  H01L29/06 ,  H01L29/872

Abstract: 提供了一种对功率器件特别有用，且改善了由绝缘体膜引起的由半导体层内的应力集中导致的晶体缺陷的半导体装置。一种半导体装置，至少具备半导体层、肖特基电极和绝缘体层，在所述半导体层的一部分和所述肖特基电极之间设置有所述绝缘体层，所述半导体层包含结晶性氧化物半导体，所述绝缘体层具有10°以下的锥形角。

公开(公告)号：CN114402437A

公开(公告)日：2022-04-26

申请号：CN202080064671.8

申请日：2020-07-15

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 冲川满 ,  樋口安史 ,  松原佑典 ,  今藤修 ,  四户孝

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/24 ,  H01L29/47 ,  H01L29/872

Abstract: 提供了一种层叠结构体和使用层叠结构体的半导体装置，该层叠结构体对功率器件特别有用，且改善了由绝缘体膜引起的半导体层内的应力集中导致的晶体缺陷。一种层叠结构体，通过在半导体膜的一部分上层叠有绝缘体膜而成，所述半导体膜具有刚玉结构，并且包含结晶性氧化物半导体，所述结晶性氧化物半导体含有选自元素周期表第9族和第13族中的一种或两种以上的金属，所述绝缘体膜具有20°以下的锥形角。

公开(公告)号：CN113113482A

公开(公告)日：2021-07-13

申请号：CN202110025009.8

申请日：2021-01-08

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 菅野亮平 ,  今藤修 ,  则松和良 ,  加藤勇次

IPC: H01L29/45 ,  H01L29/872

Abstract: 本发明涉及晶体、半导体元件、半导体装置及半导体系统。本发明提供一种对半导体元件有用的晶体及电气特性优异的半导体元件。使用一种晶体制作半导体元件，所述晶体具有刚玉结构，且包括结晶性氧化物作为主成分，所述结晶性氧化物含有镓或/和铟，其特征在于，所述结晶性氧化物进一步包括元素周期表第4族金属，由制作的半导体元件制造功率卡等半导体装置，另外，由这些半导体元件或半导体装置构筑半导体系统。

公开(公告)号：CN113113481A

公开(公告)日：2021-07-13

申请号：CN202110023607.1

申请日：2021-01-08

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 菅野亮平 ,  今藤修 ,  则松和良 ,  加藤勇次

IPC: H01L29/45 ,  H01L29/872

Abstract: 本申请涉及半导体元件、半导体装置及半导体系统。本发明提供一种半导体特性优异的半导体元件及半导体装置。一种导电性金属氧化膜，其包括金属氧化物作为主成分，所述金属氧化物至少包括选自元素周期表第4族的第一金属和选自元素周期表第13族的第二金属，将这种导电性金属氧化膜用作电极来制作半导体元件，由制作的半导体元件制造功率卡等半导体装置，并且，由这些半导体元件和半导体装置构筑半导体系统。