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公开(公告)号：CN115053354A
公开(公告)日：2022-09-13
申请号：CN202180013128.X
申请日：2021-02-05
Applicant: 株式会社FLOSFIA
IPC: H01L29/872 , H01L29/47 , H01L29/786 , H01L21/336 , H01L21/329 , H01L23/12 , H01L23/36 , H01L21/28 , H01L29/06 , H01L29/24
Abstract: 提供一种半导体特性及散热性优异的半导体元件及半导体装置。一种半导体元件，包含层叠结构体，该层叠结构体通过在导电性基板上直接或隔着其他层层叠有氧化物半导体膜而成，所述氧化物半导体膜包括具有刚玉结构的氧化物作为主成分，所述导电性基板具有比所述氧化物半导体膜大的面积，所述半导体装置通过所述半导体元件与引线框、电路基板或散热基板利用接合部件接合而成。
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公开(公告)号：CN115943498A
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202180050839.4
申请日：2021-08-20
Applicant: 株式会社FLOSFIA
IPC: H01L29/872
Abstract: 提供一种能够在谋求小型化及高密度化的同时提高对过电流的耐久性的半导体装置。本发明的半导体装置具有：多个PN结二极管，具备负温度特性而串联连接；多个电阻元件，与所述多个PN结二极管分别并联连接，并且相互被串联连接；以及肖特基势垒二极管，具备正温度特性而与所述多个PN结二极管并联连接。
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公开(公告)号：CN115053355A
公开(公告)日：2022-09-13
申请号：CN202180013173.5
申请日：2021-02-05
Applicant: 株式会社FLOSFIA
IPC: H01L29/872 , H01L21/28 , H01L29/06 , H01L29/24 , H01L29/47 , H01L29/786 , H01L21/336 , H01L21/329
Abstract: 提供一种半导体特性及散热性优异的半导体元件及半导体装置。一种半导体元件，包含层叠结构体，该层叠结构体通过在导电性基板上直接或隔着其他层层叠有氧化物半导体膜而成，所述氧化物半导体膜包括含有镓的氧化物作为主成分，所述导电性基板具有比所述氧化物半导体膜大的面积，所述半导体装置通过所述半导体元件与引线框、电路基板或散热基板利用接合部件接合而成。
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公开(公告)号：CN119522636A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202380050510.7
申请日：2023-06-29
Applicant: 株式会社FLOSFIA
IPC: H10D8/60 , H10D8/01 , H10D12/01 , H10D62/10 , H10D62/81 , H10D62/82 , H10D64/64 , H10D12/00 , H10D30/66
Abstract: 提供一种即使不依赖于p型的半导体区域或半导体层，也能够提高具有半导体区域或半导体层的半导体装置的耐压性的技术，其中该半导体区域或半导体层包括含有镓的结晶性氧化物半导体。半导体装置具备耗尽层延伸的半导体层和直接或隔着其他层配置在所述半导体层上的电极。所述半导体层具有第一区域和第二区域，该第一区域包括含有镓的结晶性氧化物半导体作为主成分，该第二区域包括含有镓的氧化物作为主成分，所述第二区域在与所述半导体层的上表面垂直的截面中具有线状的晶体缺陷区域。
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公开(公告)号：CN114402437A
公开(公告)日：2022-04-26
申请号：CN202080064671.8
申请日：2020-07-15
Applicant: 株式会社FLOSFIA
IPC: H01L29/06 , H01L29/24 , H01L29/47 , H01L29/872
Abstract: 提供了一种层叠结构体和使用层叠结构体的半导体装置，该层叠结构体对功率器件特别有用，且改善了由绝缘体膜引起的半导体层内的应力集中导致的晶体缺陷。一种层叠结构体，通过在半导体膜的一部分上层叠有绝缘体膜而成，所述半导体膜具有刚玉结构，并且包含结晶性氧化物半导体，所述结晶性氧化物半导体含有选自元素周期表第9族和第13族中的一种或两种以上的金属，所述绝缘体膜具有20°以下的锥形角。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119487988A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202380050521.5
申请日：2023-06-29
Applicant: 株式会社FLOSFIA
Abstract: 提供一种即使不依赖于p型的半导体区域或半导体层，也能够提高具有半导体区域或半导体层的半导体装置的耐压性的技术，其中该半导体区域或半导体层包括含有镓的结晶性氧化物半导体。半导体装置具备半导体层和直接或隔着其他层配置在所述半导体层上的电极。所述半导体层具有第一区域和第二区域，该第一区域包括含有镓的结晶性氧化物半导体作为主成分，该第二区域包括含有镓的氧化物作为主成分，所述第二区域的载流子密度低于所述第一区域的载流子密度，所述第二区域的至少一部分位于距离所述半导体层的上表面的深度为1.0μm以上的位置处。
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公开(公告)号：CN116114061A
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202180057395.7
申请日：2021-08-10
Applicant: 株式会社FLOSFIA
IPC: H01L23/48
Abstract: 本发明提供一种对功率器件特别有用且顺向特性得到改善的半导体元件及半导体装置。一种半导体元件及具备该半导体元件的半导体装置，所述半导体元件为具备包含结晶性氧化物半导体(例如，α‑Ga2O3等)作为主成分的半导体层、层叠于该半导体层上的电极层以及直接或隔着其他层而层叠于该电极层上的导电性基板的层叠结构体，所述导电性基板至少含有选自元素周期表第11族金属中的第一金属以及线性热膨胀系数与所述第一金属的线性热膨胀系数不同的第二金属。
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公开(公告)号：CN114503285A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202080069877.X
申请日：2020-10-05
Applicant: 株式会社FLOSFIA
IPC: H01L29/872 , H01L29/47 , H01L29/417 , H01L29/24 , H01L29/06 , H01L25/18 , H01L25/07 , H01L21/28 , H01L21/34
Abstract: 提供一种具备平坦性优异且不易变形而能够实现良好的半导体特性的多孔层的半导体元件。半导体元件包含半导体膜和配置在半导体膜的第一面侧或作为第一面侧的相反侧的第二面侧的多孔层，所述多孔层的空隙率为10％以下。
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公开(公告)号：CN115885390A
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202180050849.8
申请日：2021-08-20
Applicant: 株式会社FLOSFIA
IPC: H01L29/872
Abstract: 提供一种能够在谋求小型化及高密度化的同时提高对过电流的耐久性的半导体装置。本发明的半导体装置具有：多个PN结二极管，具备负温度特性而串联连接；肖特基势垒二极管，具备正温度特性而与所述多个PN结二极管并联连接；以及芯片焊盘，共同载置所述多个PN结二极管中的至少一个与所述肖特基势垒二极管。
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公开(公告)号：CN115836468A
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202180048967.5
申请日：2021-07-09
Applicant: 株式会社FLOSFIA
IPC: H02M3/155
Abstract: 提供一种降低了辐射噪声的功率转换电路。功率转换电路至少具备：开关元件(5)，经由电抗器(4)对所输入的电压进行开闭；以及换向二极管(7)，通过至少包括在所述开关元件(5)关断时从所述电抗器(4)产生的电动势的电压，使沿所述电动势的方向流动的电流导通，所述换向二极管(7)包括氧化镓系肖特基势垒二极管。
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