公开(公告)号：CN115053354A

公开(公告)日：2022-09-13

申请号：CN202180013128.X

申请日：2021-02-05

申请人： 株式会社FLOSFIA

发明人： 松原佑典 ,  今藤修 ,  安藤裕之 ,  竹原秀树 ,  四户孝 ,  冲川满

IPC分类号： H01L29/872 ,  H01L29/47 ,  H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L21/329 ,  H01L23/12 ,  H01L23/36 ,  H01L21/28 ,  H01L29/06 ,  H01L29/24

摘要： 提供一种半导体特性及散热性优异的半导体元件及半导体装置。一种半导体元件，包含层叠结构体，该层叠结构体通过在导电性基板上直接或隔着其他层层叠有氧化物半导体膜而成，所述氧化物半导体膜包括具有刚玉结构的氧化物作为主成分，所述导电性基板具有比所述氧化物半导体膜大的面积，所述半导体装置通过所述半导体元件与引线框、电路基板或散热基板利用接合部件接合而成。

公开(公告)号：CN115053355A

公开(公告)日：2022-09-13

申请号：CN202180013173.5

申请日：2021-02-05

申请人： 株式会社FLOSFIA

发明人： 松原佑典 ,  今藤修 ,  安藤裕之 ,  竹原秀树 ,  四户孝 ,  冲川满

IPC分类号： H01L29/872 ,  H01L21/28 ,  H01L29/06 ,  H01L29/24 ,  H01L29/47 ,  H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L21/329

摘要： 提供一种半导体特性及散热性优异的半导体元件及半导体装置。一种半导体元件，包含层叠结构体，该层叠结构体通过在导电性基板上直接或隔着其他层层叠有氧化物半导体膜而成，所述氧化物半导体膜包括含有镓的氧化物作为主成分，所述导电性基板具有比所述氧化物半导体膜大的面积，所述半导体装置通过所述半导体元件与引线框、电路基板或散热基板利用接合部件接合而成。