公开(公告)号：CN114930501A

公开(公告)日：2022-08-19

申请号：CN202180008631.6

申请日：2021-01-08

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 菅野亮平 ,  今藤修 ,  则松和良 ,  加藤勇次

IPC: H01L21/28 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H01L29/24 ,  H01L29/47 ,  H01L29/872 ,  H01L21/329

Abstract: 提供一种电特性优异的导电性金属氧化膜和半导体元件。一种包含金属氧化物作为主成分的导电性金属氧化膜，所述金属氧化物至少包含选自元素周期表第4族中的第一金属和选自元素周期表第13族中的第二金属，使用该导电性金属氧化膜，制作半导体元件，由制作的半导体元件制造功率卡等半导体装置，另外，由这些半导体元件或半导体装置来构造半导体系统。

公开(公告)号：CN114342044A

公开(公告)日：2022-04-12

申请号：CN202080062714.9

申请日：2020-07-08

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 菅野亮平

IPC: H01L21/02 ,  C23C16/40

Abstract: 通过雾化至少包含铝的第一原料溶液而生成第一雾化液滴，进而雾化至少包含镓和掺杂剂的第二原料溶液人生成第二雾化液滴，接着，使用第一载气将第一雾化液滴运送到制膜室内，使用第二载气将第二雾化液滴运送到制膜室内后，第一雾化液滴和第二雾化液滴在制膜室内混合，使混合的雾化液滴在基体表面附近发生热反应，从而在所述基体上形成以至少包含铝和镓的金属氧化物作为主成分且具有刚玉结构的氧化物膜，所述氧化物膜的主面为m面。

公开(公告)号：CN114342086A

公开(公告)日：2022-04-12

申请号：CN202080062724.2

申请日：2020-07-08

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 菅野亮平

IPC: H01L29/24 ,  H01L29/872 ,  H01L29/739 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/808 ,  H01L29/812

Abstract: 通过雾化至少包含铝的第一原料溶液而生成第一雾化液滴，进而雾化至少包含镓和掺杂剂的第二原料溶液而生成第二雾化液滴，接着，使用第一载气将第一雾化液滴运送到制膜室内，使用第二载气将第二雾化液滴运送到制膜室内后，第一雾化液滴和第二雾化液滴在制膜室内混合，使混合的雾化液滴在基体表面附近发生热反应，从而在所述基体上形成以至少包含铝和镓的金属氧化物作为主成分且迁移率为5cm2/Vs以上的氧化物半导体膜。

公开(公告)号：CN113113482A

公开(公告)日：2021-07-13

申请号：CN202110025009.8

申请日：2021-01-08

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 菅野亮平 ,  今藤修 ,  则松和良 ,  加藤勇次

IPC: H01L29/45 ,  H01L29/872

Abstract: 本发明涉及晶体、半导体元件、半导体装置及半导体系统。本发明提供一种对半导体元件有用的晶体及电气特性优异的半导体元件。使用一种晶体制作半导体元件，所述晶体具有刚玉结构，且包括结晶性氧化物作为主成分，所述结晶性氧化物含有镓或/和铟，其特征在于，所述结晶性氧化物进一步包括元素周期表第4族金属，由制作的半导体元件制造功率卡等半导体装置，另外，由这些半导体元件或半导体装置构筑半导体系统。

公开(公告)号：CN113113481A

公开(公告)日：2021-07-13

申请号：CN202110023607.1

申请日：2021-01-08

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 菅野亮平 ,  今藤修 ,  则松和良 ,  加藤勇次

IPC: H01L29/45 ,  H01L29/872

Abstract: 本申请涉及半导体元件、半导体装置及半导体系统。本发明提供一种半导体特性优异的半导体元件及半导体装置。一种导电性金属氧化膜，其包括金属氧化物作为主成分，所述金属氧化物至少包括选自元素周期表第4族的第一金属和选自元素周期表第13族的第二金属，将这种导电性金属氧化膜用作电极来制作半导体元件，由制作的半导体元件制造功率卡等半导体装置，并且，由这些半导体元件和半导体装置构筑半导体系统。