公开(公告)号：CN114930501A

公开(公告)日：2022-08-19

申请号：CN202180008631.6

申请日：2021-01-08

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 菅野亮平 ,  今藤修 ,  则松和良 ,  加藤勇次

IPC: H01L21/28 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H01L29/24 ,  H01L29/47 ,  H01L29/872 ,  H01L21/329

Abstract: 提供一种电特性优异的导电性金属氧化膜和半导体元件。一种包含金属氧化物作为主成分的导电性金属氧化膜，所述金属氧化物至少包含选自元素周期表第4族中的第一金属和选自元素周期表第13族中的第二金属，使用该导电性金属氧化膜，制作半导体元件，由制作的半导体元件制造功率卡等半导体装置，另外，由这些半导体元件或半导体装置来构造半导体系统。

公开(公告)号：CN113113482A

公开(公告)日：2021-07-13

申请号：CN202110025009.8

申请日：2021-01-08

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 菅野亮平 ,  今藤修 ,  则松和良 ,  加藤勇次

IPC: H01L29/45 ,  H01L29/872

Abstract: 本发明涉及晶体、半导体元件、半导体装置及半导体系统。本发明提供一种对半导体元件有用的晶体及电气特性优异的半导体元件。使用一种晶体制作半导体元件，所述晶体具有刚玉结构，且包括结晶性氧化物作为主成分，所述结晶性氧化物含有镓或/和铟，其特征在于，所述结晶性氧化物进一步包括元素周期表第4族金属，由制作的半导体元件制造功率卡等半导体装置，另外，由这些半导体元件或半导体装置构筑半导体系统。

公开(公告)号：CN113113481A

公开(公告)日：2021-07-13

申请号：CN202110023607.1

申请日：2021-01-08

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 菅野亮平 ,  今藤修 ,  则松和良 ,  加藤勇次

IPC: H01L29/45 ,  H01L29/872

Abstract: 本申请涉及半导体元件、半导体装置及半导体系统。本发明提供一种半导体特性优异的半导体元件及半导体装置。一种导电性金属氧化膜，其包括金属氧化物作为主成分，所述金属氧化物至少包括选自元素周期表第4族的第一金属和选自元素周期表第13族的第二金属，将这种导电性金属氧化膜用作电极来制作半导体元件，由制作的半导体元件制造功率卡等半导体装置，并且，由这些半导体元件和半导体装置构筑半导体系统。

公开(公告)号：CN117441234A

公开(公告)日：2024-01-23

申请号：CN202280031264.6

申请日：2022-04-25

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 杉本雅裕 ,  松田慎平 ,  樋口安史 ,  则松和良

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/739 ,  H01L29/24 ,  H01L29/12

Abstract: 本发明提供一种特别对功率器件有用的、耐压性优异的半导体装置。一种半导体装置，至少具备：结晶性氧化物半导体层，包括沟道层和漂移层；以及栅电极，经由栅极绝缘膜配置在该沟道层上，在所述沟道层与所述漂移层之间具有电流阻断层，所述半导体装置的特征在于，所述漂移层包括第一结晶性氧化物作为主要成分，所述电流阻断层包括第二结晶性氧化物作为主要成分，所述第一结晶性氧化物和所述第二结晶性氧化物具有不同的组成。

公开(公告)号：CN112802889A

公开(公告)日：2021-05-14

申请号：CN202011271959.0

申请日：2020-11-13

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 雨堤耕史 ,  则松和良 ,  冲川满

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/872 ,  H01L29/78 ,  H01L29/24

Abstract: 本发明涉及半导体装置及半导体系统。本发明提供一种尤其对功率器件有用且半导体特性优异的半导体装置。半导体装置包括：结晶性氧化物半导体层；和与所述结晶性氧化物半导体层电连接的至少一个电极，在所述结晶性氧化物半导体层的第一面具有至少一个沟槽，所述沟槽包括底面、侧面及所述底面与所述侧面之间的至少一个圆弧部，所述圆弧部的曲率半径在100nm～500nm的范围内，所述侧面和所述结晶性氧化物半导体层的第一面所成的角度为90°以上。

公开(公告)号：CN117223111A

公开(公告)日：2023-12-12

申请号：CN202280031272.0

申请日：2022-04-25

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 杉本雅裕 ,  松田慎平 ,  樋口安史 ,  则松和良

IPC: H01L29/78

Abstract: 本发明提供一种特别对功率器件有用的、耐压性优异的半导体装置。一种半导体装置，至少具备：结晶性氧化物半导体层(8)，包括沟道层(6)、漂移层(7)和源极区域(1)；栅电极(5a)，经由栅极绝缘膜(4a)配置在该沟道层上；电流阻断区域(2)，配置在所述沟道层与所述漂移层之间；以及源电极(5b)，设置在所述源极区域上，其中，所述电流阻断区域由高电阻层构成，所述源电极与所述电流阻断区域形成接触。