-
公开(公告)号：CN111357116B
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN201880074216.9
申请日：2018-11-15
Applicant: 株式会社FLOSFIA
IPC: H01L29/12 , H01L21/28 , H01L21/329 , H01L21/336 , H01L21/337 , H01L21/338 , H01L29/41 , H01L29/47 , H01L29/739 , H01L29/78 , H01L29/808 , H01L29/812 , H01L29/872
Abstract: 提供一种半导体装置，例如在使用介质击穿(dielectric breakdown)电场强度比SiC高得多的高电压下为低损耗的n型半导体(例如氧化镓等)等的情况下，其可以不使半导体特性恶化，且使用了能够适用于p井层的p型氧化物半导体膜。一种半导体装置，至少包括n型半导体层和p+型半导体层，其中所述n型半导体层包含含有周期表第13族金属的结晶性氧化物半导体(例如氧化镓等)作为主成分，并且，p+型半导体层包含含有周期表第9族金属的结晶性氧化物半导体(例如氧化铱等)作为主成分。
-
公开(公告)号：CN114836833A
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202210479527.1
申请日：2018-08-20
Applicant: 株式会社FLOSFIA , 国立研究开发法人物质·材料研究机构
Abstract: 根据本发明的方面，用于制造结晶膜的方法包括气化金属源以将金属源转化为含金属的原料气体；将含金属的原料气体和含氧的原料气体供应到反应室中到基板上；以及将反应气体供应到反应室中到基板上，以在反应气体的气流下形成结晶膜。
-
公开(公告)号：CN111357117B
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN201880074284.5
申请日：2018-11-15
Applicant: 株式会社FLOSFIA
IPC: H01L29/12 , H01L21/28 , H01L21/329 , H01L21/336 , H01L21/337 , H01L21/338 , H01L29/41 , H01L29/47 , H01L29/739 , H01L29/78 , H01L29/808 , H01L29/812 , H01L29/872
Abstract: 提供一种半导体装置，例如在使用介质击穿(dielectric breakdown)电场强度比SiC高得多的高电压下为低损耗的n型半导体(例如氧化镓等)等的情况下，其可以不使半导体特性恶化，且实现优良的半导体特性。提供一种半导体装置，至少包含一闸电极和一通道层，该通道层直接或隔着其他层，在该闸电极的侧壁形成通道，其中，该通道层的一部分或全部包含p型氧化物半导体(例如氧化铱)。
-
-
公开(公告)号：CN118541811A
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202380017083.2
申请日：2023-01-12
Applicant: 株式会社FLOSFIA
IPC: H01L29/78 , H01L21/329 , H01L21/365 , H01L21/368 , H01L29/12 , H01L29/24 , H01L29/739 , H01L29/861 , H01L29/868 , H01L29/872
Abstract: 提供一种半导体装置，其尤其有用于功率器件，并且半导体特性优异。一种半导体装置，其特征在于，至少具备：n型氧化物半导体层；与所述n型氧化物半导体层形成主结的第一p型氧化物半导体层；以及空穴供给层，所述空穴供给层由不同于所述第一p型氧化物半导体层的第二p型氧化物半导体层构成。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111357119B
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN201880074220.5
申请日：2018-11-15
Applicant: 株式会社FLOSFIA
IPC: H01L29/78 , H01L21/28 , H01L21/329 , H01L21/336 , H01L21/337 , H01L21/338 , H01L29/12 , H01L29/41 , H01L29/47 , H01L29/739 , H01L29/808 , H01L29/812 , H01L29/872
Abstract: 提供一种半导体装置，其可以减小反向的漏电流，而且例如在使用介质击穿(dielectric breakdown)电场强度比SiC高得多的高电压下为低损耗的n型半导体(例如氧化镓等)等的情况下，能够不使半导体特性恶化且实现优良的半导体特性。一种半导体装置，至少包括n型半导体层，具有刚玉结构的结晶性氧化物半导体(例如为α‑Ga2O3等)作为主成分；以及电场屏蔽层和闸电极，分别直接或隔着其他层被层叠于该n型半导体层上，其中，该电场屏蔽层包含p型氧化物半导体，而且该电场屏蔽层比该闸电极更深地埋入于该n型半导体层中。
-
公开(公告)号：CN114836833B
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202210479527.1
申请日：2018-08-20
Applicant: 株式会社FLOSFIA , 国立研究开发法人物质·材料研究机构
Abstract: 根据本发明的方面，用于制造结晶膜的方法包括气化金属源以将金属源转化为含金属的原料气体；将含金属的原料气体和含氧的原料气体供应到反应室中到基板上；以及将反应气体供应到反应室中到基板上，以在反应气体的气流下形成结晶膜。
-
公开(公告)号：CN111357117A
公开(公告)日：2020-06-30
申请号：CN201880074284.5
申请日：2018-11-15
Applicant: 株式会社FLOSFIA
IPC: H01L29/12 , H01L21/28 , H01L21/329 , H01L21/336 , H01L21/337 , H01L21/338 , H01L29/41 , H01L29/47 , H01L29/739 , H01L29/78 , H01L29/808 , H01L29/812 , H01L29/872
Abstract: 提供一种半导体装置，例如在使用介质击穿(dielectric breakdown)电场强度比SiC高得多的高电压下为低损耗的n型半导体(例如氧化镓等)等的情况下，其可以不使半导体特性恶化，且实现优良的半导体特性。提供一种半导体装置，至少包含一闸电极和一通道层，该通道层直接或隔着其他层，在该闸电极的侧壁形成通道，其中，该通道层的一部分或全部包含p型氧化物半导体(例如氧化铱)。
-
公开(公告)号：CN109423691B
公开(公告)日：2022-09-23
申请号：CN201810954980.7
申请日：2018-08-21
Applicant: 株式会社FLOSFIA , 国立研究开发法人物质·材料研究机构 , 国立大学法人京都大学 , 国立大学法人佐贺大学
Abstract: 根据本发明主题的方面，晶体包括：刚玉结构的氧化物半导体作为主要组分，该刚玉结构的氧化物半导体包括镓和/或铟并掺杂有含锗的掺杂剂；主平面；1×1018/cm3或更高的载流子浓度；以及20cm2/Vs或更高的电子迁移率。
-
公开(公告)号：CN109423690B
公开(公告)日：2022-09-16
申请号：CN201810948079.9
申请日：2018-08-20
Applicant: 株式会社FLOSFIA , 国立研究开发法人物质·材料研究机构 , 国立大学法人京都大学 , 国立大学法人佐贺大学
Abstract: 根据本发明主题的方面，用于制造结晶膜的方法包括：气化含金属的金属源以将金属源转化为含金属的原料气体；将含金属的原料气体和含氧的原料气体供应到反应室中到包括缓冲层的基板上；以及将反应气体供应到反应室中到基板上，以在反应气体的气流下在基板上形成结晶膜。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
13
records
(took 0.016 seconds)
