公开(公告)号：CN111357116B

公开(公告)日：2023-12-01

申请号：CN201880074216.9

申请日：2018-11-15

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 松田时宜 ,  高桥勋 ,  四户孝

IPC: H01L29/12 ,  H01L21/28 ,  H01L21/329 ,  H01L21/336 ,  H01L21/337 ,  H01L21/338 ,  H01L29/41 ,  H01L29/47 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L29/808 ,  H01L29/812 ,  H01L29/872

Abstract: 提供一种半导体装置，例如在使用介质击穿(dielectric breakdown)电场强度比SiC高得多的高电压下为低损耗的n型半导体(例如氧化镓等)等的情况下，其可以不使半导体特性恶化，且使用了能够适用于p井层的p型氧化物半导体膜。一种半导体装置，至少包括n型半导体层和p+型半导体层，其中所述n型半导体层包含含有周期表第13族金属的结晶性氧化物半导体(例如氧化镓等)作为主成分，并且，p+型半导体层包含含有周期表第9族金属的结晶性氧化物半导体(例如氧化铱等)作为主成分。

公开(公告)号：CN111383911B

公开(公告)日：2023-11-24

申请号：CN201911366053.4

申请日：2019-12-26

Applicant: 株式会社FLOSFIA ,  株式会社电装

Inventor： 高桥勋 ,  鸟山达矢 ,  杉本雅裕 ,  四戸孝 ,  上东秀幸 ,  大原淳士 ,  广濑富佐雄 ,  松木英夫

IPC: H01L21/02

Abstract: 本发明提供一种对要求散热性的半导体装置等有用的、晶体品质优异的结晶性氧化物膜、半导体装置及半导体系统。在形成至少包括第一晶轴和第二晶轴、以含有镓的金属氧化物为主要成分的结晶性氧化物膜时，通过使第二边比第一边短，使第一晶轴方向的线热膨胀系数比第二晶轴方向的线热膨胀系数小，使第一边方向与第一晶轴方向平行或大致平行，使第二边方向与第二晶轴方向平行或大致平行，从而得到一种结晶性氧化物膜，该结晶性氧化物膜至少包括第一边和比第一边短的第二边，第一晶轴方向的线热膨胀系数比第二晶轴方向的线热膨胀系数小，第一边方向与第一晶轴方向平行或大致平行，第二边方向与第二晶轴方向平行或大致平行。

公开(公告)号：CN112424950A

公开(公告)日：2021-02-26

申请号：CN201980046763.0

申请日：2019-07-10

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 杉本雅裕 ,  高桥勋 ,  四户孝 ,  雨堤耕史

IPC: H01L29/872 ,  H01L21/20 ,  H01L21/329 ,  H01L21/365 ,  H01L21/368 ,  H01L29/06 ,  H01L29/24 ,  H01L29/41 ,  H01L29/47 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868 ,  H02M3/28

Abstract: 本发明提供一种尤其对功率器件有用且半导体特性优异的半导体装置。一种半导体装置，在n型半导体层(例如，将氧化物半导体作为主成分包含的n型半导体层等)与电极之间设置有一个或两个以上的p型半导体(例如，经p型掺杂的结晶性氧化物半导体等)，所述半导体装置的特征在于，所述p型半导体埋入到所述n型半导体层中，并且从所述n型半导体层向所述电极内突出。

公开(公告)号：CN112151387A

公开(公告)日：2020-12-29

申请号：CN202010607561.3

申请日：2020-06-29

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 高桥勋

IPC: H01L21/465 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明涉及蚀刻处理方法、半导体装置制法、产品制法及蚀刻处理装置。本发明提供了一种能够在工业上有利地对蚀刻对象物进行蚀刻处理的蚀刻处理方法以及蚀刻处理装置。本发明涉及一种对蚀刻对象物(例如α‑Ga2O3、α‑Al2O3等)使用包含蚀刻液(例如氢溴酸等)的雾化液滴进行蚀刻处理的方法，通过在高于200℃的温度下进行蚀刻处理，从而对所述蚀刻对象物进行蚀刻处理。

公开(公告)号：CN112424948A

公开(公告)日：2021-02-26

申请号：CN201980046773.4

申请日：2019-07-10

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 杉本雅裕 ,  高桥勋 ,  四户孝 ,  雨堤耕史

IPC: H01L29/861 ,  C23C16/40 ,  H01L21/28 ,  H01L21/329 ,  H01L21/365 ,  H01L21/368 ,  H01L29/06 ,  H01L29/24 ,  H01L29/868 ,  H01L29/872

Abstract: 本发明提供一种尤其对功率器件有用且半导体特性优异的半导体装置。一种半导体装置(例如，结势垒肖特基二极管等)，在n型半导体层与电极之间设置有多个p型半导体(例如，镁掺杂氧化镓等)，所述半导体装置的特征在于，所述n型半导体层包含具有刚玉结构的结晶性氧化物半导体(例如，α型氧化镓等)作为主成分，设置有三个以上的所述p型半导体，并且所述p型半导体埋入到所述n型半导体层中。

公开(公告)号：CN112334606A

公开(公告)日：2021-02-05

申请号：CN201980043074.4

申请日：2019-06-21

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 高桥勋 ,  四户孝

IPC: C30B29/16 ,  C01G15/00 ,  C01G55/00 ,  C23C16/40 ,  C30B25/18 ,  H01L21/365 ,  H01L21/368

Abstract: 本发明提供一种具有刚玉结构的外延膜，其具有优异的对于减少了由于小面生长引起的位移等缺陷的半导体装置等有用的晶体品质。一种结晶性氧化物膜，包括刚玉结构的横向生长区域，所述横向生长区域实质上不包含小面生长区域，晶体生长方向为c轴或大致c轴方向，并包括在c轴或大致c轴方向上延伸的位移线，晶体生长已在c轴或大致c轴方向上扩展的结晶性氧化物彼此相互接合。

公开(公告)号：CN111384158A

公开(公告)日：2020-07-07

申请号：CN201911364732.8

申请日：2019-12-26

Applicant: 株式会社FLOSFIA ,  株式会社电装

Inventor： 高桥勋 ,  鸟山达矢 ,  杉本雅裕 ,  四戸孝 ,  上东秀幸 ,  大原淳士 ,  广濑富佐雄 ,  松木英夫

IPC: H01L29/24 ,  H01L23/367 ,  H01L29/732 ,  H01L29/739 ,  H01L29/778 ,  H01L29/786 ,  H01L29/872 ,  H01L33/26 ,  H01L33/64

Abstract: 本发明提供一种对要求散热性的半导体装置等有用的、晶体品质优异的结晶性氧化物半导体、半导体装置及半导体系统。在形成至少包括第一晶轴和第二晶轴的结晶性氧化物半导体时，通过使第二边比第一边短，使第一晶轴方向的线热膨胀系数比第二晶轴方向的线热膨胀系数小，使第一边方向与第一晶轴方向平行或大致平行，使第二边方向与第二晶轴方向平行或大致平行，从而得到一种结晶性氧化物半导体，该结晶性氧化物半导体至少包括第一边和比第一边短的第二边，第一晶轴方向的线热膨胀系数比第二晶轴方向的线热膨胀系数小，第一边方向与第一晶轴方向平行或大致平行，第二边方向与第二晶轴方向平行或大致平行。

公开(公告)号：CN111383911A

公开(公告)日：2020-07-07

申请号：CN201911366053.4

申请日：2019-12-26

Applicant: 株式会社FLOSFIA ,  株式会社电装

Inventor： 高桥勋 ,  鸟山达矢 ,  杉本雅裕 ,  四戸孝 ,  上东秀幸 ,  大原淳士 ,  广濑富佐雄 ,  松木英夫

IPC: H01L21/02

Abstract: 本发明提供一种对要求散热性的半导体装置等有用的、晶体品质优异的结晶性氧化物膜、半导体装置及半导体系统。在形成至少包括第一晶轴和第二晶轴、以含有镓的金属氧化物为主要成分的结晶性氧化物膜时，通过使第二边比第一边短，使第一晶轴方向的线热膨胀系数比第二晶轴方向的线热膨胀系数小，使第一边方向与第一晶轴方向平行或大致平行，使第二边方向与第二晶轴方向平行或大致平行，从而得到一种结晶性氧化物膜，该结晶性氧化物膜至少包括第一边和比第一边短的第二边，第一晶轴方向的线热膨胀系数比第二晶轴方向的线热膨胀系数小，第一边方向与第一晶轴方向平行或大致平行，第二边方向与第二晶轴方向平行或大致平行。

公开(公告)号：CN112424946A

公开(公告)日：2021-02-26

申请号：CN201980046475.5

申请日：2019-07-11

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 杉本雅裕 ,  高桥勋 ,  四户孝

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L21/338 ,  H01L21/365 ,  H01L21/368 ,  H01L29/12 ,  H01L29/24 ,  H01L29/47 ,  H01L29/78 ,  H01L29/812 ,  H01L29/872

Abstract: 本发明提供了一种半导体装置，其特征在于，至少具有反型沟道区域，所述反型沟道区域具有包含结晶的氧化物半导体膜，所述结晶至少含有氧化镓。

公开(公告)号：CN112368429A

公开(公告)日：2021-02-12

申请号：CN201980043090.3

申请日：2019-06-21

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 高桥勋 ,  四户孝

IPC: C30B29/16 ,  C23C16/02 ,  C23C16/455 ,  C30B25/16 ,  C30B25/18 ,  H01L21/365 ,  H01L21/368

Abstract: 本发明提供一种即使在刚玉结构中也能够在工业上有利地形成减少了由于小面生长引起的位移等的缺陷的外延膜的成膜方法。在具有刚玉结构的晶体基板的晶体生长面上，直接或经由其他层形成外延膜时，使用在晶体生长面上形成有至少包括凹部或凸部的凹凸部的晶体基板，通过将含有金属的原料溶液雾化，使液滴飘浮，将得到的雾化液滴用载气运送到所述晶体基板附近，接着，在设为供给限速的条件下，使所述雾化液滴产生热反应来形成外延膜。