公开(公告)号：CN105074059A

公开(公告)日：2015-11-18

申请号：CN201480009593.6

申请日：2014-01-13

申请人： 株式会社电装

发明人： 近藤宏行 ,  恩田正一 ,  木藤泰男 ,  渡边弘纪

IPC分类号： C30B29/36

CPC分类号： C30B29/36 ,  C01B32/956 ,  C30B23/00 ,  C30B23/025

摘要： 本发明涉及一种包含螺旋位错(2)的碳化硅单晶，将所述螺旋位错中柏氏矢量b满足b＞＜0001＞+1/3＜11-20＞的位错设定为L位错(2a)。所述L位错由于畸变较大，可能导致漏电流的发生，因而将碳化硅单晶中的所述L位错密度设定为300个/cm2以下，优选设定为100个/cm2以下，由此能够制成对可以抑制漏电流的器件的制作合适的高品质的碳化硅单晶。

公开(公告)号：CN105074059B

公开(公告)日：2017-09-29

申请号：CN201480009593.6

申请日：2014-01-13

申请人： 株式会社电装

发明人： 近藤宏行 ,  恩田正一 ,  木藤泰男 ,  渡边弘纪

IPC分类号： C30B29/36

CPC分类号： C30B29/36 ,  C01B32/956 ,  C30B23/00 ,  C30B23/025

摘要： 本发明涉及一种包含螺旋位错(2)的碳化硅单晶，将所述螺旋位错中柏氏矢量b满足b＞＜0001＞+1/3＜11‑20＞的位错设定为L位错(2a)。所述L位错由于畸变较大，可能导致漏电流的发生，因而将碳化硅单晶中的所述L位错密度设定为300个/cm2以下，优选设定为100个/cm2以下，由此能够制成对可以抑制漏电流的器件的制作合适的高品质的碳化硅单晶。

公开(公告)号：CN108026661B

公开(公告)日：2020-11-10

申请号：CN201680049110.4

申请日：2016-08-25

申请人： 株式会社电装

发明人： 冈本武志 ,  近藤宏行 ,  金村高司 ,  宫原真一朗 ,  海老原康裕 ,  恩田正一 ,  土田秀一 ,  镰田功穗 ,  田沼良平

IPC分类号： H01L21/205 ,  C30B29/36 ,  C23C14/06 ,  C23C16/42

摘要： 本发明提供一种碳化硅单晶，其中，存在位错线(21)贯通c面、同时巴尔格矢量(bv)至少具有c轴方向的成分的贯通位错(20)。贯通位错中，巴尔格矢量与位错线的朝向所形成的角度(θ1)大于0°且在40°以内的贯通位错的密度为300个/cm2以下，角度大于40°的贯通位错的密度为30个/cm2以下。

公开(公告)号：CN108026661A

公开(公告)日：2018-05-11

申请号：CN201680049110.4

申请日：2016-08-25

申请人： 株式会社电装

发明人： 冈本武志 ,  近藤宏行 ,  金村高司 ,  宫原真一朗 ,  海老原康裕 ,  恩田正一 ,  土田秀一 ,  镰田功穗 ,  田沼良平

IPC分类号： C30B29/36 ,  C23C14/06 ,  C23C16/42 ,  H01L21/205

摘要： 本发明提供一种碳化硅单晶，其中，存在位错线(21)贯通c面、同时巴尔格矢量(bv)至少具有c轴方向的成分的贯通位错(20)。贯通位错中，巴尔格矢量与位错线的朝向所形成的角度(θ1)大于0°且在40°以内的贯通位错的密度为300个/cm2以下，角度大于40°的贯通位错的密度为30个/cm2以下。