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公开(公告)号：CN116504606A
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202310055335.2
申请日：2023-01-18
申请人： 株式会社电装 , 丰田自动车株式会社 , 未来瞻科技株式会社 , 浜松光子学株式会社 , 国立大学法人东海国立大学机构
摘要： 制造氮化镓衬底的方法包括制备氮化镓晶片、形成转换层和形成氮化镓衬底。氮化镓具有第一主表面和第二主表面，所述第二主表面在与所述第一主表面相对的一侧上。所述氮化镓晶片由六方晶体制成，并且所述第一主表面和所述第二主表面中的每一个都是所述六方晶体的{1‑100}m‑平面。通过将激光束发射到所述氮化镓晶片中，沿着所述氮化镓晶片的平面方向形成所述转换层。通过在所述转换层处分割所述氮化镓晶片来由所述氮化镓晶片形成所述氮化镓衬底。在所述转换层的形成中，发射所述激光束以形成用于形成所述转换层的照射标记。
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公开(公告)号：CN115966589A
公开(公告)日：2023-04-14
申请号：CN202211136290.3
申请日：2022-09-19
申请人： 株式会社电装 , 丰田自动车株式会社 , 未来瞻科技株式会社 , 浜松光子学株式会社 , 国立大学法人东海国立大学机构
摘要： 一种半导体芯片包括构成芯片的基板(110)，其具有一个表面(110a)、与所述一个表面相反的另一表面(110b)、以及连接所述一个表面和所述另一表面的两对相反侧表面(110c)。所述一个表面和所述另一表面沿着{0001}c‑平面、{1‑100}m‑平面和{11‑20}a‑平面中的一个。两对相反侧表面中的一对沿着{0001}c‑平面、{1‑100}m‑平面和{11‑20}a‑平面中的另一个。两对相反侧表面中的另一对沿着{0001}c‑平面、{1‑100}m‑平面和{11‑20}a‑平面中的另外一个。所述侧表面包括在作为侧表面的法线方向的深度方向上的表面层部分中包含氧化镓和镓金属的改变层(120)。
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公开(公告)号：CN116895522A
公开(公告)日：2023-10-17
申请号：CN202310350521.9
申请日：2023-04-04
申请人： 株式会社电装 , 丰田自动车株式会社 , 未来瞻科技株式会社 , 国立大学法人东海国立大学机构 , 浜松光子学株式会社
IPC分类号： H01L21/268 , H01L21/304 , H01L21/28 , H01L21/428 , H01L21/44 , H01L21/463
摘要： 一种半导体器件的制造方法，包括：在化合物半导体衬底(12)的第一表面(12a)中沿着多个器件区域(40)之间的界面形成排气凹部(14)，化合物半导体衬底包括与第一表面(12a)相邻的多个器件区域(40)；通过施加激光束(112)，在化合物半导体衬底内部形成改变层(16)以沿着第一表面在对应于排气凹部的深度范围的深度处延伸；在改变层处将化合物半导体衬底分割成包括第一表面(12a)的第一部分(61)和包括化合物半导体衬底的与第一表面(12a)相反的第二表面(12b)的第二部分(62)；以及形成金属膜(71、81、91)以覆盖第一部分的分割面(61a)，同时露出排气凹部。
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公开(公告)号：CN117352382A
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202310789900.8
申请日：2023-06-30
申请人： 株式会社电装 , 丰田自动车株式会社 , 未来瞻科技株式会社 , 国立大学法人东海国立大学机构
IPC分类号： H01L21/304 , H01L21/268
摘要： 半导体装置具备氮化镓基板以及设在上述氮化镓基板的表面的图案膜。上述氮化镓基板的沿着上述表面的第1方向的杨氏模量大于沿着上述表面且与上述第1方向正交的第2方向的杨氏模量。上述氮化镓基板的上述第1方向的尺寸除以上述氮化镓基板的上述第2方向的尺寸而得到的第1比率R1、和上述图案膜的上述第1方向的尺寸除以上述图案膜的上述第2方向的尺寸而得到的第2比率R2满足R1
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公开(公告)号：CN113539808B
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202110389491.3
申请日：2021-04-12
申请人： 株式会社电装 , 浜松光子学株式会社 , 国立大学法人东海国立大学机构
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/683
摘要： 氮化镓半导体器件包括：芯片形成衬底(110)，该芯片形成衬底(110)由氮化镓制成，并且具有一个表面(110a)和与该一个表面相反的另一表面(110b)；一个表面侧元件部件(11)，该表面侧元件部件设置在一个表面上并提供半导体元件的一个表面侧的部件；和构成与另一表面接触的背面电极的金属膜(61)。另一个表面具有不规则性，该不规则性由具有梯形横截面的多个凸部和位于该凸部之间的多个凹部提供。多个凸部中每个凸部的梯形横截面的上底表面与所述一个表面相反。
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公开(公告)号：CN113539928A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202110389492.8
申请日：2021-04-12
申请人： 株式会社电装 , 浜松光子学株式会社 , 国立大学法人东海国立大学机构
IPC分类号： H01L21/683
摘要： 一种半导体芯片，包括：由氮化镓制成的外延膜(3)；以及设置在外延膜中的半导体元件；芯片形成衬底(110)，其包括外延膜并具有第一表面(110a)、与第一表面相反的第二表面(110b)以及连接第一表面和第二表面的侧表面(110c)；和在侧表面上的凹凸。
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公开(公告)号：CN113539927B
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202110389082.3
申请日：2021-04-12
申请人： 株式会社电装 , 浜松光子学株式会社 , 国立大学法人东海国立大学机构
IPC分类号： H01L21/683
摘要： 一种用于制造氮化镓半导体器件的方法，包括：制备氮化镓晶片(1)；在氮化镓晶片上形成外延生长膜(3)，以提供具有芯片形成区域(RA)的已处理晶片(10)；在已处理晶片的一个表面侧上执行表面侧处理；去除氮化镓晶片，并将已处理晶片分开成芯片形成晶片(30)和回收晶片(40)；在芯片形成晶片的另一表面侧形成另一表面侧元件部件(60)。
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公开(公告)号：CN113539808A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202110389491.3
申请日：2021-04-12
申请人： 株式会社电装 , 浜松光子学株式会社 , 国立大学法人东海国立大学机构
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/683
摘要： 氮化镓半导体器件包括：芯片形成衬底(110)，该芯片形成衬底(110)由氮化镓制成，并且具有一个表面(110a)和与该一个表面相反的另一表面(110b)；一个表面侧元件部件(11)，该表面侧元件部件设置在一个表面上并提供半导体元件的一个表面侧的部件；和构成与另一表面接触的背面电极的金属膜(61)。另一个表面具有不规则性，该不规则性由具有梯形横截面的多个凸部和位于该凸部之间的多个凹部提供。多个凸部中每个凸部的梯形横截面的上底表面与所述一个表面相反。
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公开(公告)号：CN113539928B
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202110389492.8
申请日：2021-04-12
申请人： 株式会社电装 , 浜松光子学株式会社 , 国立大学法人东海国立大学机构
IPC分类号： H01L21/683
摘要： 一种半导体芯片，包括：由氮化镓制成的外延膜(3)；以及设置在外延膜中的半导体元件；芯片形成衬底(110)，其包括外延膜并具有第一表面(110a)、与第一表面相反的第二表面(110b)以及连接第一表面和第二表面的侧表面(110c)；和在侧表面上的凹凸。
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公开(公告)号：CN113539927A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202110389082.3
申请日：2021-04-12
申请人： 株式会社电装 , 浜松光子学株式会社 , 国立大学法人东海国立大学机构
IPC分类号： H01L21/683
摘要： 一种用于制造氮化镓半导体器件的方法，包括：制备氮化镓晶片(1)；在氮化镓晶片上形成外延生长膜(3)，以提供具有芯片形成区域(RA)的已处理晶片(10)；在已处理晶片的一个表面侧上执行表面侧处理；去除氮化镓晶片，并将已处理晶片分开成芯片形成晶片(30)和回收晶片(40)；在芯片形成晶片的另一表面侧形成另一表面侧元件部件(60)。
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