公开(公告)号：CN109643660B

公开(公告)日：2024-03-05

申请号：CN201780053309.9

申请日：2017-08-29

Applicant: 株式会社FLOSFIA ,  国立大学法人京都大学

Inventor： 藤田静雄 ,  金子健太郎 ,  织田真也 ,  人罗俊实

IPC: H01L21/365 ,  C23C16/40 ,  C23C16/448 ,  H01L21/329 ,  H01L21/331 ,  H01L21/336 ,  H01L21/337 ,  H01L21/338 ,  H01L21/368 ,  H01L29/12 ,  H01L29/24 ,  H01L29/737 ,  H01L29/739 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/808 ,  H01L29/812 ,  H01L29/872 ,  H01L33/26

Abstract: 本申请提供了一种具有宽带隙和增强的电导率的新型且有用的p‑型氧化物半导体，以及制造该p‑型氧化物半导体的方法。将根据需要的包含铱和其他金属的原料溶液雾化以产生喷雾，并且在使用载气将喷雾传送到基材的表面附近之后，通过使基材表面附近的喷雾发生热反应，在基材上形成包含铱的金属氧化物的晶体或混合晶体，从而制造p‑型氧化物半导体。(56)对比文件US 2010155720 A1,2010.06.24CN 102916097 A,2013.02.06US 2006089006 A1,2006.04.27US 2015076496 A1,2015.03.19TW M296476 U,2006.08.21US 2013214271 A1,2013.08.22JP 2013234106 A,2013.11.21CN 103597597 A,2014.02.19

公开(公告)号：CN117751435A

公开(公告)日：2024-03-22

申请号：CN202280053287.7

申请日：2022-07-26

Applicant: 株式会社FLOSFIA ,  国立大学法人京都大学

Inventor： 金子健太郎 ,  高根伦史 ,  人罗俊实

IPC: H01L21/365 ,  H01L21/368 ,  H01L29/24 ,  H01L29/12

Abstract: 本发明提供一种电特性优异的含有锗氧化物的氧化物半导体。得到一种氧化物半导体，其特征在于，所述氧化物半导体的载流子密度为1.0×1018/cm3以上，所述氧化物半导体是使用氧化物半导体的形成方法含有锗氧化物的氧化物半导体膜，所述氧化物半导体的形成方法的特征在于，将含有掺杂元素的原料溶液进行雾化或液滴化，并且向得到的雾化液滴供给载气，利用该载气将所述雾化液滴运送到所述基体上，接着使所述雾化液滴在所述基体上进行热反应。

公开(公告)号：CN117730402A

公开(公告)日：2024-03-19

申请号：CN202280053311.7

申请日：2022-07-26

Applicant: 株式会社FLOSFIA ,  国立大学法人京都大学

Inventor： 金子健太郎 ,  高根伦史 ,  人罗俊实

IPC: H01L21/365 ,  H01L21/368 ,  H01L29/24 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78 ,  H01L29/739 ,  H01L29/872 ,  C23C16/40 ,  C23C16/44

Abstract: 本发明提供一种异常晶粒得到降低且具有良好的结晶性的结晶性氧化物膜。得到一种结晶性氧化物膜，将含有锗的原料溶液进行雾化或液滴化，并且向得到的雾化液滴供给载气，利用该载气将所述雾化液滴运送到具有正方晶晶体结构的结晶基板上，接着使所述雾化液滴在所述结晶基板上进行热反应，从而含有锗氧化物，其中，通过表面SEM观察确认到的异常晶粒的面积比例为3％以下。

公开(公告)号：CN117751457A

公开(公告)日：2024-03-22

申请号：CN202280053299.X

申请日：2022-07-26

Applicant: 株式会社FLOSFIA ,  国立大学法人京都大学

Inventor： 金子健太郎 ,  高根伦史 ,  人罗俊实

IPC: H01L29/872 ,  C30B25/02 ,  C30B29/16 ,  H01L21/329 ,  H01L21/336 ,  H01L21/338 ,  H01L21/365 ,  H01L21/368 ,  H01L29/12 ,  H01L29/24 ,  H01L29/47 ,  H01L29/739 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/812 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868 ,  H01L33/26

Abstract: 本发明提供一种具有良好的取向性且以锗为主成分的金红石型结构的氧化物结晶。得到一种氧化物结晶，通过在特定条件下使用雾化CVD法在金红石型结构的氧化钛基板上进行氧化锗的成膜，从而含有金红石型结构的氧化物，所述氧化物结晶向与c轴垂直或平行的晶轴方向取向，在所述氧化物结晶中的金属元素中锗的原子比大于0.5。

公开(公告)号：CN109417036B

公开(公告)日：2024-03-15

申请号：CN201780040522.6

申请日：2017-06-30

Applicant: 株式会社FLOSFIA ,  国立大学法人京都大学

Inventor： 藤田静雄 ,  金子健太郎 ,  人罗俊实 ,  谷川幸登

IPC: H01L21/365 ,  H01L29/808 ,  H01L29/812 ,  H01L29/872 ,  H01L21/336 ,  H01L21/337 ,  H01L21/338 ,  H01L21/368 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L29/24 ,  H01L29/47 ,  H01L29/739 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H02M3/28 ,  H01L33/02

Abstract: 本申请提供了具有优异的导电性的新型且有用的p‑型氧化物半导体，以及制造该p‑型氧化物半导体的方法。通过使包含周期表d‑区金属和周期表第13族金属的原料溶液雾化产生喷雾的雾化步骤；利用载气将喷雾运载至基材表面附近的运载步骤；以及在氧气气氛下使基材表面附近的喷雾发生热反应的过程，在该基材上形成p‑型氧化物半导体，其具有包含周期表d‑区金属和周期表第13族金属的金属氧化物作为主要组分。

公开(公告)号：CN109423691B

公开(公告)日：2022-09-23

申请号：CN201810954980.7

申请日：2018-08-21

Applicant: 株式会社FLOSFIA ,  国立研究开发法人物质·材料研究机构 ,  国立大学法人京都大学 ,  国立大学法人佐贺大学

Inventor： 大岛佑一 ,  藤田静雄 ,  金子健太郎 ,  嘉数诚 ,  河原克明 ,  四户孝 ,  松田时宜 ,  人罗俊实

IPC: C30B25/10 ,  C30B25/14 ,  C30B25/16 ,  C30B29/16

Abstract: 根据本发明主题的方面，晶体包括：刚玉结构的氧化物半导体作为主要组分，该刚玉结构的氧化物半导体包括镓和/或铟并掺杂有含锗的掺杂剂；主平面；1×1018/cm3或更高的载流子浓度；以及20cm2/Vs或更高的电子迁移率。

公开(公告)号：CN109423690B

公开(公告)日：2022-09-16

申请号：CN201810948079.9

申请日：2018-08-20

Applicant: 株式会社FLOSFIA ,  国立研究开发法人物质·材料研究机构 ,  国立大学法人京都大学 ,  国立大学法人佐贺大学

Inventor： 大岛佑一 ,  藤田静雄 ,  金子健太郎 ,  嘉数诚 ,  河原克明 ,  四户孝 ,  松田时宜 ,  人罗俊实

IPC: C30B25/04 ,  C30B25/14 ,  C30B25/18 ,  C30B29/16

Abstract: 根据本发明主题的方面，用于制造结晶膜的方法包括：气化含金属的金属源以将金属源转化为含金属的原料气体；将含金属的原料气体和含氧的原料气体供应到反应室中到包括缓冲层的基板上；以及将反应气体供应到反应室中到基板上，以在反应气体的气流下在基板上形成结晶膜。

公开(公告)号：CN109423694A

公开(公告)日：2019-03-05

申请号：CN201810948461.X

申请日：2018-08-20

Applicant: 流慧株式会社 ,  国立研究开发法人物质·材料研究机构 ,  国立大学法人京都大学 ,  国立大学法人佐贺大学

Inventor： 大岛佑一 ,  藤田静雄 ,  金子健太郎 ,  嘉数诚 ,  河原克明 ,  四户孝 ,  松田时宜 ,  人罗俊实

IPC: C30B29/16 ,  C30B25/16 ,  C30B25/18 ,  C30B25/04

Abstract: 根据本发明主题的方面，结晶膜包括结晶金属氧化物作为主要组分，结晶膜包括刚玉结构、9μm2或更大的表面积和小于5×106cm-2的位错密度。

公开(公告)号：CN109423694B

公开(公告)日：2022-09-09

申请号：CN201810948461.X

申请日：2018-08-20

Applicant: 流慧株式会社 ,  国立研究开发法人物质·材料研究机构 ,  国立大学法人京都大学 ,  国立大学法人佐贺大学

Inventor： 大岛佑一 ,  藤田静雄 ,  金子健太郎 ,  嘉数诚 ,  河原克明 ,  四户孝 ,  松田时宜 ,  人罗俊实

IPC: C30B29/16 ,  C30B25/16 ,  C30B25/18 ,  C30B25/04

Abstract: 根据本发明主题的方面，结晶膜包括结晶金属氧化物作为主要组分，结晶膜包括刚玉结构、92 6 ‑2μm或更大的表面积和小于5×10cm 的位错密度。

公开(公告)号：CN109643660A

公开(公告)日：2019-04-16

申请号：CN201780053309.9

申请日：2017-08-29

Applicant: 流慧株式会社 ,  国立大学法人京都大学

Inventor： 藤田静雄 ,  金子健太郎 ,  织田真也 ,  人罗俊实

IPC: H01L21/365 ,  C23C16/40 ,  C23C16/448 ,  H01L21/329 ,  H01L21/331 ,  H01L21/336 ,  H01L21/337 ,  H01L21/338 ,  H01L21/368 ,  H01L29/12 ,  H01L29/24 ,  H01L29/737 ,  H01L29/739 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/808 ,  H01L29/812 ,  H01L29/872 ,  H01L33/26

CPC classification number: H01L21/02565 ,  C23C16/40 ,  C23C16/448 ,  C23C16/4486 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/04 ,  H01L29/12 ,  H01L29/24 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/737 ,  H01L29/7371 ,  H01L29/739 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7827 ,  H01L29/808 ,  H01L29/8083 ,  H01L29/812 ,  H01L29/872 ,  H01L33/26

Abstract: 本申请提供了一种具有宽带隙和增强的电导率的新型且有用的p-型氧化物半导体，以及制造该p-型氧化物半导体的方法。将根据需要的包含铱和其他金属的原料溶液雾化以产生喷雾，并且在使用载气将喷雾传送到基材的表面附近之后，通过使基材表面附近的喷雾发生热反应，在基材上形成包含铱的金属氧化物的晶体或混合晶体，从而制造p-型氧化物半导体。