公开(公告)号：CN1832213A

公开(公告)日：2006-09-13

申请号：CN200610004484.2

申请日：1998-01-08

申请人： 日亚化学工业株式会社

发明人： 长滨慎一 ,  妹尾雅之 ,  中村修二

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L31/0304 ,  H01S5/32 ,  H01S5/323

CPC分类号： H01L33/32 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02636 ,  H01L33/04 ,  H01S5/3216 ,  H01S5/32341 ,  H01S2301/173

摘要： 本发明涉及一种发光元器件等的氮化物半导体元器件，是在一层或二层以上的氮化物半导体层所组成的n导电侧半导体区域与一层或二层以上的氮化物半导体层所组成的p导电侧半导体区域之间形成活性层的氮化物半导体元器件，所述p导电侧或n导电侧半导体区域的至少一层氮代物半导体层是分别由氮化物半导体所组成并且组成互异的第1层与第2层积层而成的超格子层。根据上述结构，即可降低元器件所用电流、电压，实现效率高的元器件。

公开(公告)号：CN1725455A

公开(公告)日：2006-01-25

申请号：CN200510083398.0

申请日：2005-07-18

申请人： 精工爱普生株式会社

发明人： 托马斯·库格勒 ,  克里斯托弗·约瑟姆 ,  戴维·鲁塞尔 ,  李顺普

IPC分类号： H01L21/368 ,  H01L21/208 ,  H01L51/40

CPC分类号： H01L21/02568 ,  H01L21/0256 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02601 ,  H01L21/02628 ,  H01L51/0003 ,  H01L51/0037 ,  H01L51/0053 ,  H01L51/007 ,  H01L51/0545

摘要： 一种用于形成例如薄膜的半导体器件的方法。该方法包括以下步骤：在基底的表面上沉积第一半导体颗粒的悬浮液和第二半导体或其前体溶液，使得在其上产生包含悬浮在含有第二半导体或其前体的液相中的第一半导体颗粒的混合物；和使该混合物凝固，以形成第二半导体基质中包含第一半导体颗粒的半导体器件，其中该基质与相邻的第一半导体颗粒电连接，第一和第二半导体为相同导电型并由相同或不同材料制成。本方法不需要任何真空沉积或烧结步骤。同时还提供一种半导体器件本身。该部件包括在半导体粘合剂的基质中的半导体颗粒，基质具有和半导体颗粒相同的导电型并是和形成颗粒相同或不同的材料，该半导体粘合剂和相邻的半导体颗粒电连接。

公开(公告)号：CN1707754A

公开(公告)日：2005-12-14

申请号：CN200510072898.4

申请日：2005-05-17

申请人： 国际商业机器公司

发明人： 陈国仕 ,  罗伯特·J·米勒 ,  艾林·C·琼斯 ,  阿图尔·阿伊梅拉

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/0843 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/2252 ,  H01L21/31695 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/78

摘要： 本发明公开了一种具有多晶SiGe结的MOSFET器件的结构和制造方法。Ge在Si上选择性地生长，Si在Ge上选择性地生长。Ge和Si层的交替淀积形成SiGe结。所述淀积的层进行掺杂，随后掺杂剂向外扩散入器件本体中。位于所述多晶Ge和Si层之间的薄的、多孔氧化物层提高了SiGe结的各向同性。

公开(公告)号：CN1685090A

公开(公告)日：2005-10-19

申请号：CN03822501.8

申请日：2003-09-19

申请人： 三菱化学株式会社

发明人： 栗原香 ,  下山谦司

IPC分类号： C30B29/40 ,  H01L21/205 ,  H01S5/323

CPC分类号： C30B29/40 ,  C30B25/02 ,  H01L21/02392 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02631

摘要： 本发明公开一种掺杂碳的III－V族化合物的新颖半导体晶体以及其制备方法。特别是III－V族化合物含Al和In作为III族的主要组成元素、并且也含V族组成元素，其特征在于，III－V族化合物半导体晶体中的碳浓度为1×1016cm－3或更高，并且氧浓度为1×1018cm－3或更低，其氧浓度不高于碳浓度；并公开一种其制备方法。利用该III－V化合物半导体晶体，可以提供具有优良的电导性能的半导体设备、和具有优良的高速调制性能的半导体激光器。

公开(公告)号：CN1633700A

公开(公告)日：2005-06-29

申请号：CN01810596.3

申请日：2001-03-29

申请人： 丰田合成株式会社

发明人： 小池正好 ,  手钱雄太 ,  平松敏夫 ,  永井诚二

IPC分类号： H01L21/205 ,  H01L21/20 ,  C30B29/38 ,  H01L33/00 ,  H01S5/323

CPC分类号： H01L33/007 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647

摘要： 一种抑制贯通转位的III族氮化物系化合物半导体。将GaN层31腐蚀成点状、条纹状或格栅状等小岛状态设置台阶，在底部形成掩膜4、厚度是其上面在比GaN层31的上面低的位置。以台阶上层的上面31a及侧面31b作为核，通过使GaN 32横向外延成长把台阶部分填埋后、也能使在上方成长。这时GaN 32横向外延成长的掩膜4的上部能制成抑制GaN层31具有的贯通转位传播的区域。

公开(公告)号：CN1608310A

公开(公告)日：2005-04-20

申请号：CN02825898.3

申请日：2002-10-22

申请人： 耶鲁大学

发明人： 托马斯S·布恩 ,  埃里克S·哈蒙 ,  罗伯特D·考德尔卡 ,  戴维B·萨尔兹曼 ,  杰里M·伍德尔

IPC分类号： H01L21/04

CPC分类号： H01L33/025 ,  C30B23/02 ,  C30B25/02 ,  C30B29/40 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/02538 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/207 ,  H01L29/36 ,  H01L29/66318 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/66924 ,  H01L29/7371 ,  H01L29/7785 ,  H01L29/802

摘要： 公开了用于制备重掺杂的半导体材料的方法。使用本发明，可以获得超过常规建立的载流子饱和限度的掺杂密度，同时没有有害的副作用。此外，公开了重掺杂的半导体材料以及使用所述材料的改进的电子和光电器件/部件。本发明革新的材料和工艺限制提高了性能和/或降低了多种半导体基为电子和光电器件/系统的成本。在富阴离子环境中生长的材料，其在优选的实施例中在贫氧环境中生长期间通过中等衬底温度制备。与现有技术相比材料在较高掺杂浓度下显示出较少的非辐射复合中心，并且物质的重掺杂状态显示出在较高的掺杂级别下由辐射复合支配的少数载流子寿命并且与现有技术的材料相比获得了较高的多数载流子浓度。这些新颖材料的重要应用包括高性能的电子或光电器件，其可以更小和更快，但是仍具有俘获或发射光效率，以及高性能电子器件，例如可以更小和更快但更凉爽的晶体管。

公开(公告)号：CN1330392A

公开(公告)日：2002-01-09

申请号：CN01124925.0

申请日：2001-05-31

申请人： 佳能株式会社

发明人： 近藤隆治 ,  松田高一 ,  东川诚

IPC分类号： H01L21/205 ,  H01L31/075 ,  H01L31/00

CPC分类号： H01L31/202 ,  C23C16/24 ,  C23C16/509 ,  C30B25/105 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02425 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L31/03767 ,  H01L31/1824 ,  Y02E10/545 ,  Y02P70/521

摘要： 在用含有卤化硅和氢气的源气的高频等离子体CVD中,将由公式Q=P

公开(公告)号：CN1244031A

公开(公告)日：2000-02-09

申请号：CN99111914.2

申请日：1999-07-30

申请人： 佳能株式会社

发明人： 藤冈靖 ,  冈部正太郎 ,  金井正博 ,  凭井明 ,  泽山忠志 ,  幸田勇藏 ,  矢岛孝博

IPC分类号： H01L21/205 ,  C23C16/50 ,  H01L31/04

CPC分类号： C23C16/509 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32706 ,  H01L21/02425 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02661 ,  H01L31/1824 ,  H01L31/202 ,  H01L31/204 ,  H01L31/206 ,  Y02E10/545 ,  Y02P70/521

摘要： 本发明提供一种制造半导体层的方法,将原料气体引入放电室中,对该室施加高频功率,通过放电分解原料气体,在室中的衬底上形成半导体层,它包括步骤:提供至少是甚高频(VHF)的高频功率作为高频功率;对放电室施加直流功率的偏置功率和/或射频(RF)的高频功率同时还施加VHF高频功率;和控制流进对其施加偏置功率的电极中的电流的直流分量,使放电室内壁面积上的电流密度处于0.1A/m2至10A/m2的范围内。高质量的半导体层可大面积高速地淀积。

公开(公告)号：CN1081027A

公开(公告)日：1994-01-19

申请号：CN93105939.9

申请日：1993-05-21

申请人： 明尼苏达州采矿制造公司

发明人： 程华 ,  詹姆斯·M·德普伊特 ,  迈克尔·A·哈泽 ,  邱军

IPC分类号： H01S3/19 ,  H01L33/00 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01S5/347 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/02474 ,  H01L21/02477 ,  H01L21/0248 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/02557 ,  H01L21/0256 ,  H01L21/02562 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02631 ,  H01L33/0087 ,  H01L2924/0002 ,  H01S5/3403 ,  H01S5/3406 ,  H01S5/342 ,  H01L2924/00

摘要： 用原子层外延(ALE)和/或迁移增强外延(MEE)生长II-VI族激光二极管的高效率量子阱的方法。激光二极管衬底和初始生长层在MBE生长室内被加热至小于或等于约200℃的温度。Cd、Zn和Se被交替注入生长室以生长短周期应变层超晶格(SPSLS)量子阱层，其中包含重叠的Cd、Zn和Se单原子层。量子阱层用式[(CdSe)m(ZnSe)n]p表述，其中m、n和p为整数。

公开(公告)号：CN85108047A

公开(公告)日：1986-07-16

申请号：CN85108047

申请日：1985-11-02

申请人： 索冯尼克斯太阳能系统公司

发明人： 萨布亨杜·古哈 ,  詹姆斯·库尔曼

IPC分类号： H01L21/24 ,  H01L21/40 ,  H01L31/06 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01L31/076 ,  C23C16/22 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02425 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/04 ,  H01L31/03687 ,  H01L31/075 ,  H01L31/202 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

摘要： 一种含有足够浓度晶体夹杂物的以显著改善材料性能的、含氟掺硼P型硅基半导体微晶合金，以及该合金的制造方法。包含有至少一层暴露于入射光下的这种合金的单个电池或多层电池的光生伏打器件改善了填充因子和转换效率。