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公开(公告)号：CN1863944A
公开(公告)日：2006-11-15
申请号：CN02804691.9
申请日：2002-02-12
申请人： 丰田合成株式会社
IPC分类号： C30B25/18
摘要： 一种半导体晶体制造方法及半导体发光元件，利用横向晶体成长作用，在底衬底上，使由III族氮化物系化合物半导体构成的半导体晶体成长，自底衬底得到独立的优质半导体晶体。本发明的半导体晶体制造方法包括：突起部形成工序，在底衬底上形成多个突起部；晶体成长工序，把所述突起部表面的至少一部分作为衬底层开始晶体成长的最初成长面，使所述衬底层结晶成长，直至该成长面各自相互连接形成至少相连的大致平面；分离工序，通过断裂所述突起部，把所述衬底层和所述底衬底加以分离。本发明可得到没有裂纹、转位密度低的高质量的半导体晶体(晶体成长衬底)。
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公开(公告)号：CN1429402A
公开(公告)日：2003-07-09
申请号：CN01809479.1
申请日：2001-02-23
申请人： 丰田合成株式会社
发明人： 手钱雄太
IPC分类号： H01L21/205 , C30B29/38 , H01L33/00 , H01S5/323
摘要： 蓝宝石衬底(1)蚀刻成10μm宽、10μm间隔、且10μm深的条带图案。厚度大约为40nm的AlN缓冲层(2)主要形成在衬底(1)上台阶的顶面和底面上。GaN层(3)通过垂直和水平外延生长形成。从而，台阶由台阶顶面上水平外延生长的缓冲层(21)覆盖，因此，该表面变得平坦。在GaN层(3)的在台阶底部之上的部分中的线位错与其在台阶顶部之上的部分相比被明显抑制。
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公开(公告)号：CN100461340C
公开(公告)日：2009-02-11
申请号：CN200410102100.1
申请日：2001-02-23
申请人： 丰田合成株式会社
发明人： 手钱雄太
摘要： 本发明涉及III族氮化物系化合物半导体的制造方法。蓝宝石衬底(1)蚀刻成10μm宽、10μm间隔、且10μm深的条带图案。厚度大约为40nm的AlN缓冲层(2)主要形成在衬底(1)上台阶的顶面和底面上。GaN层(3)通过垂直和水平外延生长形成。从而，台阶由台阶顶面上水平外延生长的缓冲层(21)覆盖，因此，该表面变得平坦。在GaN层(3)的在台阶底部之上的部分中的线位错与其在台阶顶部之上的部分相比被明显抑制。
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公开(公告)号：CN100414005C
公开(公告)日：2008-08-27
申请号：CN02804691.9
申请日：2002-02-12
申请人： 丰田合成株式会社
IPC分类号： C30B25/18
摘要： 一种半导体晶体制造方法及半导体发光元件，利用横向晶体成长作用，在底衬底上，使由III族氮化物系化合物半导体构成的半导体晶体成长，自底衬底得到独立的优质半导体晶体。本发明的半导体晶体制造方法包括：突起部形成工序，在底衬底上形成多个突起部；晶体成长工序，把所述突起部表面的至少一部分作为衬底层开始晶体成长的最初成长面，使所述衬底层结晶成长，直至该成长面各自相互连接形成至少相连的大致平面；分离工序，通过断裂所述突起部，把所述衬底层和所述底衬底加以分离。本发明可得到没有裂纹、转位密度低的高质量的半导体晶体(晶体成长衬底)。
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公开(公告)号：CN1298023C
公开(公告)日：2007-01-31
申请号：CN00817712.0
申请日：2000-12-21
申请人： 丰田合成株式会社
IPC分类号： H01L21/205 , H01S5/343 , H01L33/00
摘要： 蚀刻第一Ⅲ族氮化物半导体层31，由此形成点状、条纹状或栅格状等岛状结构，以便提供沟槽/柱子。这样，第二Ⅲ族氮化物层32可以从用作外延生长晶核的柱子的顶面及沟槽的侧壁/多个侧壁纵向和横向地外延生长，进而掩埋沟槽，并且使该层沿纵向生长。这种情况下，可以防止第一Ⅲ族氮化物半导体层31中所包含的贯穿位错在经横向外延生长而形成的第二Ⅲ族氮化物半导体32的上部扩展。结果，在掩埋的沟槽处形成几乎没有贯穿位错的区域。
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公开(公告)号：CN1413357A
公开(公告)日：2003-04-23
申请号：CN00817712.0
申请日：2000-12-21
申请人： 丰田合成株式会社
IPC分类号： H01L21/205 , H01S5/343 , H01L33/00
摘要： 蚀刻第一III族氮化物半导体层31，由此形成点状、条纹状或栅格状等岛状结构，以便提供沟槽/柱子。这样，第二III族氮化物层32可以从用作外延生长晶核的柱子的顶面及沟槽的侧壁/多个侧壁纵向和横向地外延生长，进而掩埋沟槽，并且使该层沿纵向生长。这种情况下，可以防止第一III族氮化物半导体层31中所包含的贯穿位错在经横向外延生长而形成的第二III族氮化物半导体32的上部扩展。结果，在掩埋的沟槽处形成几乎没有贯穿位错的区域。
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公开(公告)号：CN100421213C
公开(公告)日：2008-09-24
申请号：CN01810596.3
申请日：2001-03-29
申请人： 丰田合成株式会社
IPC分类号： H01L21/205 , H01L21/20 , C30B29/38 , H01L33/00 , H01S5/323
CPC分类号： H01L33/007 , H01L21/0237 , H01L21/0242 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/0262 , H01L21/02631 , H01L21/02639 , H01L21/02647
摘要： 一种抑制螺位错的III族氮化物系化合物半导体。将GaN层(31)腐蚀成点状、条纹状或格栅状等小岛状态设置台阶，在底部形成掩膜(4)、厚度是其上面在比GaN层(31)的上面低的位置。以台阶上层的上面(31a)及侧面(31b)作为核，通过使GaN(32)横向外延成长把台阶部分填埋后、也能使在上方成长。这时GaN(32)横向外延成长的掩膜(4)的上部能制成抑制GaN层(31)具有的螺位错传播的区域。
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公开(公告)号：CN1633700A
公开(公告)日：2005-06-29
申请号：CN01810596.3
申请日：2001-03-29
申请人： 丰田合成株式会社
IPC分类号： H01L21/205 , H01L21/20 , C30B29/38 , H01L33/00 , H01S5/323
CPC分类号： H01L33/007 , H01L21/0237 , H01L21/0242 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/0262 , H01L21/02631 , H01L21/02639 , H01L21/02647
摘要： 一种抑制贯通转位的III族氮化物系化合物半导体。将GaN层31腐蚀成点状、条纹状或格栅状等小岛状态设置台阶，在底部形成掩膜4、厚度是其上面在比GaN层31的上面低的位置。以台阶上层的上面31a及侧面31b作为核，通过使GaN 32横向外延成长把台阶部分填埋后、也能使在上方成长。这时GaN 32横向外延成长的掩膜4的上部能制成抑制GaN层31具有的贯通转位传播的区域。
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公开(公告)号：CN1429401A
公开(公告)日：2003-07-09
申请号：CN01809470.8
申请日：2001-03-12
申请人： 丰田合成株式会社
IPC分类号： H01L21/205 , H01L21/20 , C30B29/38 , H01L33/00
CPC分类号： H01L21/0265 , H01L21/0237 , H01L21/0242 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/02505 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02639 , H01L21/02645 , H01L21/02647
摘要： 通过蚀刻第一III族氮化物系化合物半导体层(31)成诸如点、条纹或网格的孤岛形式而设置了台阶，并且不同于层(31)的层形成在底部上以便暴露出来。第二III族氮化物系化合物半导体(32)以台阶的上阶台面的上表面和侧表面作用为晶核而横向外延生长，由此填埋台阶部分，并然后允许其向上生长。第二半导体(32)横向外延生长的一部分可以作为约束自第一层(31)产生的贯穿位错的扩散的区域。蚀刻可以进行成直到衬底内形成凹陷位置。原子半径大于主要构成元素镓(Ga)的铟(In)掺杂在作为ELO晶核的层中。第一半导体层可以是由缓冲层和单晶层以多重循环的形式形成的多层。
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