公开(公告)号：CN1685090A

公开(公告)日：2005-10-19

申请号：CN03822501.8

申请日：2003-09-19

Applicant: 三菱化学株式会社

Inventor： 栗原香 ,  下山谦司

IPC: C30B29/40 ,  H01L21/205 ,  H01S5/323

CPC classification number: C30B29/40 ,  C30B25/02 ,  H01L21/02392 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02631

Abstract: 本发明公开一种掺杂碳的III－V族化合物的新颖半导体晶体以及其制备方法。特别是III－V族化合物含Al和In作为III族的主要组成元素、并且也含V族组成元素，其特征在于，III－V族化合物半导体晶体中的碳浓度为1×1016cm－3或更高，并且氧浓度为1×1018cm－3或更低，其氧浓度不高于碳浓度；并公开一种其制备方法。利用该III－V化合物半导体晶体，可以提供具有优良的电导性能的半导体设备、和具有优良的高速调制性能的半导体激光器。