公开(公告)号：CN1685090A

公开(公告)日：2005-10-19

申请号：CN03822501.8

申请日：2003-09-19

Applicant: 三菱化学株式会社

Inventor： 栗原香 ,  下山谦司

IPC: C30B29/40 ,  H01L21/205 ,  H01S5/323

CPC classification number: C30B29/40 ,  C30B25/02 ,  H01L21/02392 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02631

Abstract: 本发明公开一种掺杂碳的III－V族化合物的新颖半导体晶体以及其制备方法。特别是III－V族化合物含Al和In作为III族的主要组成元素、并且也含V族组成元素，其特征在于，III－V族化合物半导体晶体中的碳浓度为1×1016cm－3或更高，并且氧浓度为1×1018cm－3或更低，其氧浓度不高于碳浓度；并公开一种其制备方法。利用该III－V化合物半导体晶体，可以提供具有优良的电导性能的半导体设备、和具有优良的高速调制性能的半导体激光器。

公开(公告)号：CN113906169A

公开(公告)日：2022-01-07

申请号：CN202080040338.3

申请日：2020-05-28

Applicant: 三菱化学株式会社

Inventor： 矶宪司 ,  江夏悠贵 ,  下山谦司

IPC: C30B7/10 ,  C30B25/20 ,  H01L21/205 ,  C30B29/38

Abstract: 本发明提供具有适宜作为半导体器件用的基板的结晶性和得到了改善的生产性的GaN基板晶片及其制造方法。该GaN基板晶片为发生了(0001)取向的GaN基板晶片，其夹着再生长界面具有设置于N极性侧的第一区域、和设置于Ga极性侧的第二区域，该第二区域的最小厚度为20μm以上，该第一区域中的选自Li、Na、K、F、Cl、Br及I的元素中的至少一种元素的浓度为1×1015atoms/cm3以上，并且，该第二区域满足选自以下(a)～(c)中的一个以上条件：(a)Si浓度为5×1016atoms/cm3以上；(b)O浓度为3×1016atoms/cm3以下；(c)H浓度为1×1017atoms/cm3以下。