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公开(公告)号：CN108779580B
公开(公告)日：2021-11-16
申请号：CN201780016941.6
申请日：2017-02-27
Applicant: 三菱化学株式会社 , 国立大学法人东京农工大学
IPC: C30B29/38 , C23C16/34 , C30B25/20 , H01L21/205
Abstract: 本发明提供一种GaN结晶的新型制造方法，其包括使用GaCl3和NH3为原料、在非极性或半极性GaN表面上使GaN从气相中生长。本发明所提供一种GaN结晶的制造方法的发明，其包括下述步骤：(i)晶种准备步骤，其是准备GaN晶种的步骤，该GaN晶种具有非极性或半极性表面，该非极性或半极性表面的法线的方向与该GaN晶种的[0001]方向形成85°以上且小于170°的角度；以及(ii)生长步骤，使用GaCl3和NH3为原料使GaN从气相中生长在该GaN晶种的包含该非极性或半极性表面的表面上。
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公开(公告)号：CN112567078A
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN201980053810.4
申请日：2019-07-24
Applicant: 三菱化学株式会社
IPC: C30B29/38 , C23C16/34 , C30B25/20 , H01L21/205
Abstract: 若能够利用量产性优异的HVPE生长出具有与利用氨热法生长的GaN结晶相匹敌的20arcsec以下的(004)XRD摇摆曲线FWHM的GaN结晶，则期待能够有助于将c面GaN晶片用于基板而生产出的氮化物半导体器件的开发促进和低成本化。n型GaN结晶中，以最高浓度含有的供体杂质为Ge，具有小于0.03Ω·cm的室温电阻率，其(004)XRD摇摆曲线FWHM小于20arcsec。该n型GaN结晶具有面积分别为3cm2以上的2个主面，其一者为Ga极性，相对于(0001)结晶面的倾斜可以为0度以上10度以下。该n型GaN结晶可以进一步具有20mm以上的直径。
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公开(公告)号：CN113906170B
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202080040339.8
申请日：2020-05-28
Applicant: 三菱化学株式会社
Abstract: 本发明提供可优选用于具有卧式器件结构的氮化物半导体器件的制造、具有得到了改善的生产性的GaN基板晶片。该GaN基板晶片为发生了(0001)取向的GaN基板晶片，其夹着再生长界面具有设置于N极性侧的第一区域、和设置于Ga极性侧的具有最小厚度的第二区域，其中，该第二区域的最小厚度为20μm以上，在该第二区域的至少一部分中，补偿杂质的总浓度为1×1017atoms/cm3以上。
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公开(公告)号：CN112567078B
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN201980053810.4
申请日：2019-07-24
Applicant: 三菱化学株式会社
IPC: C30B29/38 , C23C16/34 , C30B25/20 , H01L21/205
Abstract: 若能够利用量产性优异的HVPE生长出具有与利用氨热法生长的GaN结晶相匹敌的20arcsec以下的(004)XRD摇摆曲线FWHM的GaN结晶，则期待能够有助于将c面GaN晶片用于基板而生产出的氮化物半导体器件的开发促进和低成本化。n型GaN结晶中，以最高浓度含有的供体杂质为Ge，具有小于0.03Ω·cm的室温电阻率，其(004)XRD摇摆曲线FWHM小于20arcsec。该n型GaN结晶具有面积分别为3cm2以上的2个主面，其一者为Ga极性，相对于(0001)结晶面的倾斜可以为0度以上10度以下。该n型GaN结晶可以进一步具有20mm以上的直径。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113692459B
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202080025770.5
申请日：2020-03-25
Applicant: 三菱化学株式会社
Inventor： 矶宪司
Abstract: 本发明提供GaN基板晶片及其制造方法，其可优选用于在具有通过掺杂而增加的载流子浓度的GaN基板上设有器件结构的氮化物半导体器件的制造，具有改良的生产率。一种GaN基板晶片，其是(0001)取向的GaN晶片，其具有设于N极性侧的第一区域以及设于Ga极性侧的第二区域且该第一区域与该第二区域之间夹着再生长界面，该第二区域的最小厚度为20μm以上300μm以下，该第二区域包含供体杂质总浓度比该第一区域高的区域。第二区域中，将从该GaN基板晶片的Ga极性侧的主面起特定长度以内的区域定义为主掺杂区域，可以按照至少该主掺杂区域中的供体杂质的总浓度为1×1018atoms/cm3以上的方式对该第二区域进行掺杂。
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公开(公告)号：CN113906170A
公开(公告)日：2022-01-07
申请号：CN202080040339.8
申请日：2020-05-28
Applicant: 三菱化学株式会社
IPC: C30B29/40 , C30B25/18 , H01L29/06 , H01L29/66 , H01L29/778
Abstract: 本发明提供可优选用于具有卧式器件结构的氮化物半导体器件的制造、具有得到了改善的生产性的GaN基板晶片。该GaN基板晶片为发生了(0001)取向的GaN基板晶片，其夹着再生长界面具有设置于N极性侧的第一区域、和设置于Ga极性侧的具有最小厚度的第二区域，其中，该第二区域的最小厚度为20μm以上，在该第二区域的至少一部分中，补偿杂质的总浓度为1×1017atoms/cm3以上。
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公开(公告)号：CN118742677A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202380023151.6
申请日：2023-02-20
Applicant: 三菱化学株式会社
IPC: C30B29/38 , C23C16/34 , C30B25/20 , H01L21/205
Abstract: 本发明提供即使在高温环境中电阻率也大的SI基板或半绝缘性优异且晶体品质也优异的SI基板。本发明的GaN基板是掺杂有锰的GaN基板，该GaN基板是以式(I)：载流子浓度(atoms/cm3)＝A×EXP(‑Ea/kT)表示载流子浓度时，载流子的激活能Ea为0.7eV以上的GaN基板、或者载流子迁移率相对于温度成正相关的GaN基板。
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公开(公告)号：CN108779580A
公开(公告)日：2018-11-09
申请号：CN201780016941.6
申请日：2017-02-27
Applicant: 三菱化学株式会社 , 国立大学法人东京农工大学
IPC: C30B29/38 , C23C16/34 , C30B25/20 , H01L21/205
CPC classification number: C23C16/34 , C30B25/20 , C30B29/38 , H01L21/205
Abstract: 本发明提供一种GaN结晶的新型制造方法，其包括使用GaCl3和NH3为原料、在非极性或半极性GaN表面上使GaN从气相中生长。本发明所提供一种GaN结晶的制造方法的发明，其包括下述步骤：(i)晶种准备步骤，其是准备GaN晶种的步骤，该GaN晶种具有非极性或半极性表面，该非极性或半极性表面的法线的方向与该GaN晶种的[0001]方向形成85°以上且小于170°的角度；以及(ii)生长步骤，使用GaCl3和NH3为原料使GaN从气相中生长在该GaN晶种的包含该非极性或半极性表面的表面上。
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公开(公告)号：CN119923494A
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202380063619.4
申请日：2023-08-31
Applicant: 三菱化学株式会社 , 国立研究开发法人物质·材料研究机构
IPC: C30B29/38 , C30B25/20 , C23C16/34 , H01L21/205
Abstract: 本发明涉及一种GaN晶体，其包含Zn掺杂GaN层，上述Zn掺杂GaN层中的Zn浓度为1.0×1016atoms/cm3以上且1.0×1020atoms/cm3以下，基于(004)X射线衍射的摇摆曲线的半值全宽为50arcsec以下、或者基于(201)X射线衍射的摇摆曲线的半值全宽为50arcsec以下。
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