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公开(公告)号：CN118742677A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202380023151.6
申请日：2023-02-20
Applicant: 三菱化学株式会社
IPC: C30B29/38 , C23C16/34 , C30B25/20 , H01L21/205
Abstract: 本发明提供即使在高温环境中电阻率也大的SI基板或半绝缘性优异且晶体品质也优异的SI基板。本发明的GaN基板是掺杂有锰的GaN基板，该GaN基板是以式(I)：载流子浓度(atoms/cm3)＝A×EXP(‑Ea/kT)表示载流子浓度时，载流子的激活能Ea为0.7eV以上的GaN基板、或者载流子迁移率相对于温度成正相关的GaN基板。
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