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公开(公告)号：CN112567078A
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN201980053810.4
申请日：2019-07-24
Applicant: 三菱化学株式会社
IPC: C30B29/38 , C23C16/34 , C30B25/20 , H01L21/205
Abstract: 若能够利用量产性优异的HVPE生长出具有与利用氨热法生长的GaN结晶相匹敌的20arcsec以下的(004)XRD摇摆曲线FWHM的GaN结晶，则期待能够有助于将c面GaN晶片用于基板而生产出的氮化物半导体器件的开发促进和低成本化。n型GaN结晶中，以最高浓度含有的供体杂质为Ge，具有小于0.03Ω·cm的室温电阻率，其(004)XRD摇摆曲线FWHM小于20arcsec。该n型GaN结晶具有面积分别为3cm2以上的2个主面，其一者为Ga极性，相对于(0001)结晶面的倾斜可以为0度以上10度以下。该n型GaN结晶可以进一步具有20mm以上的直径。
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公开(公告)号：CN119053732A
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202380036498.4
申请日：2023-04-26
Applicant: 三菱化学株式会社
Abstract: 一种n型GaN基板，其具有两个主面，所述n型GaN基板掺杂有Ge，载流子浓度的平均值为1×1018cm‑3以上，在至少一个主面上从中心起半径15mm的圆区域内均匀地取测定点来测定载流子浓度时，满足选自由（1）～（3）构成的组中的至少一个，这样的n型GaN基板具有高载流子浓度，且面内的载流子浓度分布均匀：（1）经过上述中心的0度、45度、90度、135度方向的直线上的测定点处的测定值的标准差/平均值为0.25以下；（2）载流子浓度为2×1018cm‑3以上的测定点的数量相对于测定点的总数的比率为90%以上；（3）示出全部测定点处的测定值中的最大值的（A）60%以下/（B）50%以下/（C）40%以下的值的测定点的数量相对于测定点的总数的比率为（A）10%以下/（B）9%以下/（C）8%以下。
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公开(公告)号：CN112567078B
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN201980053810.4
申请日：2019-07-24
Applicant: 三菱化学株式会社
IPC: C30B29/38 , C23C16/34 , C30B25/20 , H01L21/205
Abstract: 若能够利用量产性优异的HVPE生长出具有与利用氨热法生长的GaN结晶相匹敌的20arcsec以下的(004)XRD摇摆曲线FWHM的GaN结晶，则期待能够有助于将c面GaN晶片用于基板而生产出的氮化物半导体器件的开发促进和低成本化。n型GaN结晶中，以最高浓度含有的供体杂质为Ge，具有小于0.03Ω·cm的室温电阻率，其(004)XRD摇摆曲线FWHM小于20arcsec。该n型GaN结晶具有面积分别为3cm2以上的2个主面，其一者为Ga极性，相对于(0001)结晶面的倾斜可以为0度以上10度以下。该n型GaN结晶可以进一步具有20mm以上的直径。
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公开(公告)号：CN116288724A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310347233.8
申请日：2019-07-24
Applicant: 三菱化学株式会社
Abstract: 本发明提供n型GaN结晶、GaN晶片以及GaN结晶、GaN晶片和氮化物半导体器件的制造方法，若能够利用量产性优异的HVPE生长出具有与利用氨热法生长的GaN结晶相匹敌的20arcsec以下的(004)XRD摇摆曲线FWHM的GaN结晶，则期待能够有助于将c面GaN晶片用于基板而生产出的氮化物半导体器件的开发促进和低成本化。n型GaN结晶中，以最高浓度含有的供体杂质为Ge，具有小于0.03Ω·cm的室温电阻率，其(004)XRD摇摆曲线FWHM小于20arcsec。该n型GaN结晶具有面积分别为3cm2以上的2个主面，其一者为Ga极性，相对于(0001)结晶面的倾斜可以为0度以上10度以下。该n型GaN结晶可以进一步具有20mm以上的直径。
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