公开(公告)号：CN119053732A

公开(公告)日：2024-11-29

申请号：CN202380036498.4

申请日：2023-04-26

Applicant: 三菱化学株式会社

Inventor： 高桥达也 ,  江夏悠贵 ,  广泽拓哉

IPC: C30B29/38 ,  C23C16/34 ,  C30B7/10 ,  C30B25/18 ,  C30B25/20

Abstract: 一种n型GaN基板，其具有两个主面，所述n型GaN基板掺杂有Ge，载流子浓度的平均值为1×1018cm‑3以上，在至少一个主面上从中心起半径15mm的圆区域内均匀地取测定点来测定载流子浓度时，满足选自由（1）～（3）构成的组中的至少一个，这样的n型GaN基板具有高载流子浓度，且面内的载流子浓度分布均匀：（1）经过上述中心的0度、45度、90度、135度方向的直线上的测定点处的测定值的标准差/平均值为0.25以下；（2）载流子浓度为2×1018cm‑3以上的测定点的数量相对于测定点的总数的比率为90%以上；（3）示出全部测定点处的测定值中的最大值的（A）60%以下/（B）50%以下/（C）40%以下的值的测定点的数量相对于测定点的总数的比率为（A）10%以下/（B）9%以下/（C）8%以下。