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    GaN结晶和基板
    2.
    发明公开
    GaN结晶和基板 有权

    公开(公告)号：CN113454272A

    公开(公告)日：2021-09-28

    申请号：CN202080015811.2

    申请日：2020-02-19

    Applicant: 三菱化学株式会社 ,  国立研究开发法人物质·材料研究机构

    Inventor： 江夏悠贵 ,  大岛祐一

    IPC: C30B29/38 ,  H01L21/205

    Abstract: 本发明提供可用于在GaN‑HEMT这样的横向器件结构的氮化物半导体器件中应用的基板的GaN结晶、以及可用于GaN‑HEMT这样的横向器件结构的氮化物半导体器件的制造的基板。在具有面积5cm2以上的(0001)表面、该(0001)表面相对于(0001)结晶面的倾斜为10度以下的GaN结晶中，Fe浓度为5×1017atoms/cm3以上且小于1×1019atoms/cm3，总供体杂质浓度小于5×1016atoms/cm3。

    n型GaN结晶、GaN晶片以及GaN结晶、GaN晶片和氮化物半导体器件的制造方法
    3.
    发明公开
    n型GaN结晶、GaN晶片以及GaN结晶、GaN晶片和氮化物半导体器件的制造方法 审中-实审

    公开(公告)号：CN116288724A

    公开(公告)日：2023-06-23

    申请号：CN202310347233.8

    申请日：2019-07-24

    Applicant: 三菱化学株式会社

    Inventor： 矶宪司 ,  高桥达也 ,  望月多惠 ,  江夏悠贵

    IPC: C30B29/40 ,  H01L21/02 ,  C30B25/20 ,  C30B29/38 ,  C30B25/18

    Abstract: 本发明提供n型GaN结晶、GaN晶片以及GaN结晶、GaN晶片和氮化物半导体器件的制造方法，若能够利用量产性优异的HVPE生长出具有与利用氨热法生长的GaN结晶相匹敌的20arcsec以下的(004)XRD摇摆曲线FWHM的GaN结晶，则期待能够有助于将c面GaN晶片用于基板而生产出的氮化物半导体器件的开发促进和低成本化。n型GaN结晶中，以最高浓度含有的供体杂质为Ge，具有小于0.03Ω·cm的室温电阻率，其(004)XRD摇摆曲线FWHM小于20arcsec。该n型GaN结晶具有面积分别为3cm2以上的2个主面，其一者为Ga极性，相对于(0001)结晶面的倾斜可以为0度以上10度以下。该n型GaN结晶可以进一步具有20mm以上的直径。

    GaN基板晶片及其制造方法
    4.
    发明公开
    GaN基板晶片及其制造方法 无效

    公开(公告)号：CN113906169A

    公开(公告)日：2022-01-07

    申请号：CN202080040338.3

    申请日：2020-05-28

    Applicant: 三菱化学株式会社

    Inventor： 矶宪司 ,  江夏悠贵 ,  下山谦司

    IPC: C30B7/10 ,  C30B25/20 ,  H01L21/205 ,  C30B29/38

    Abstract: 本发明提供具有适宜作为半导体器件用的基板的结晶性和得到了改善的生产性的GaN基板晶片及其制造方法。该GaN基板晶片为发生了(0001)取向的GaN基板晶片，其夹着再生长界面具有设置于N极性侧的第一区域、和设置于Ga极性侧的第二区域，该第二区域的最小厚度为20μm以上，该第一区域中的选自Li、Na、K、F、Cl、Br及I的元素中的至少一种元素的浓度为1×1015atoms/cm3以上，并且，该第二区域满足选自以下(a)～(c)中的一个以上条件：(a)Si浓度为5×1016atoms/cm3以上；(b)O浓度为3×1016atoms/cm3以下；(c)H浓度为1×1017atoms/cm3以下。

    GaN基板晶片及其制造方法
    6.
    发明公开
    GaN基板晶片及其制造方法 有权

    公开(公告)号：CN113906170A

    公开(公告)日：2022-01-07

    申请号：CN202080040339.8

    申请日：2020-05-28

    Applicant: 三菱化学株式会社

    Inventor： 江夏悠贵 ,  矶宪司

    IPC: C30B29/40 ,  C30B25/18 ,  H01L29/06 ,  H01L29/66 ,  H01L29/778

    Abstract: 本发明提供可优选用于具有卧式器件结构的氮化物半导体器件的制造、具有得到了改善的生产性的GaN基板晶片。该GaN基板晶片为发生了(0001)取向的GaN基板晶片，其夹着再生长界面具有设置于N极性侧的第一区域、和设置于Ga极性侧的具有最小厚度的第二区域，其中，该第二区域的最小厚度为20μm以上，在该第二区域的至少一部分中，补偿杂质的总浓度为1×1017atoms/cm3以上。

    GaN基板晶片及其制造方法
    7.
    发明授权
    GaN基板晶片及其制造方法 有权

    公开(公告)号：CN113906170B

    公开(公告)日：2025-05-13

    申请号：CN202080040339.8

    申请日：2020-05-28

    Applicant: 三菱化学株式会社

    Inventor： 江夏悠贵 ,  矶宪司

    IPC: C30B29/40 ,  C30B25/18 ,  H10D62/10 ,  H10D30/01 ,  H10D30/47

    Abstract: 本发明提供可优选用于具有卧式器件结构的氮化物半导体器件的制造、具有得到了改善的生产性的GaN基板晶片。该GaN基板晶片为发生了(0001)取向的GaN基板晶片，其夹着再生长界面具有设置于N极性侧的第一区域、和设置于Ga极性侧的具有最小厚度的第二区域，其中，该第二区域的最小厚度为20μm以上，在该第二区域的至少一部分中，补偿杂质的总浓度为1×1017atoms/cm3以上。

    n型GaN基板以及n型GaN晶体
    8.
    发明公开
    n型GaN基板以及n型GaN晶体 审中-公开

    公开(公告)号：CN119053732A

    公开(公告)日：2024-11-29

    申请号：CN202380036498.4

    申请日：2023-04-26

    Applicant: 三菱化学株式会社

    Inventor： 高桥达也 ,  江夏悠贵 ,  广泽拓哉

    IPC: C30B29/38 ,  C23C16/34 ,  C30B7/10 ,  C30B25/18 ,  C30B25/20

    Abstract: 一种n型GaN基板，其具有两个主面，所述n型GaN基板掺杂有Ge，载流子浓度的平均值为1×1018cm‑3以上，在至少一个主面上从中心起半径15mm的圆区域内均匀地取测定点来测定载流子浓度时，满足选自由（1）～（3）构成的组中的至少一个，这样的n型GaN基板具有高载流子浓度，且面内的载流子浓度分布均匀：（1）经过上述中心的0度、45度、90度、135度方向的直线上的测定点处的测定值的标准差/平均值为0.25以下；（2）载流子浓度为2×1018cm‑3以上的测定点的数量相对于测定点的总数的比率为90%以上；（3）示出全部测定点处的测定值中的最大值的（A）60%以下/（B）50%以下/（C）40%以下的值的测定点的数量相对于测定点的总数的比率为（A）10%以下/（B）9%以下/（C）8%以下。

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