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公开(公告)号：CN116288724A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310347233.8
申请日：2019-07-24
Applicant: 三菱化学株式会社
Abstract: 本发明提供n型GaN结晶、GaN晶片以及GaN结晶、GaN晶片和氮化物半导体器件的制造方法，若能够利用量产性优异的HVPE生长出具有与利用氨热法生长的GaN结晶相匹敌的20arcsec以下的(004)XRD摇摆曲线FWHM的GaN结晶，则期待能够有助于将c面GaN晶片用于基板而生产出的氮化物半导体器件的开发促进和低成本化。n型GaN结晶中，以最高浓度含有的供体杂质为Ge，具有小于0.03Ω·cm的室温电阻率，其(004)XRD摇摆曲线FWHM小于20arcsec。该n型GaN结晶具有面积分别为3cm2以上的2个主面，其一者为Ga极性，相对于(0001)结晶面的倾斜可以为0度以上10度以下。该n型GaN结晶可以进一步具有20mm以上的直径。
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公开(公告)号：CN112567078B
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN201980053810.4
申请日：2019-07-24
Applicant: 三菱化学株式会社
IPC: C30B29/38 , C23C16/34 , C30B25/20 , H01L21/205
Abstract: 若能够利用量产性优异的HVPE生长出具有与利用氨热法生长的GaN结晶相匹敌的20arcsec以下的(004)XRD摇摆曲线FWHM的GaN结晶，则期待能够有助于将c面GaN晶片用于基板而生产出的氮化物半导体器件的开发促进和低成本化。n型GaN结晶中，以最高浓度含有的供体杂质为Ge，具有小于0.03Ω·cm的室温电阻率，其(004)XRD摇摆曲线FWHM小于20arcsec。该n型GaN结晶具有面积分别为3cm2以上的2个主面，其一者为Ga极性，相对于(0001)结晶面的倾斜可以为0度以上10度以下。该n型GaN结晶可以进一步具有20mm以上的直径。
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公开(公告)号：CN109563641B
公开(公告)日：2021-08-27
申请号：CN201780048862.3
申请日：2017-08-04
Applicant: 三菱化学株式会社
IPC: H01L21/20 , H01L21/205 , C30B29/38 , C30B7/10 , C30B33/06
Abstract: 本发明的主要目的在于提供一种用于使作为包括C面GaN基板的GaN基板的材料合适的GaN结晶生长的新型方法。本发明的另一目的在于提供一种能够适合用于氮化物半导体器件的制造等的新型的C面GaN基板。通过下述GaN结晶生长方法，提供一种能够适合用于氮化物半导体器件的制造等的新型的C面GaN基板，该GaN结晶生长方法包括下述步骤：第一步骤，准备具有氮极性表面的GaN晶种；第二步骤，其为在该GaN晶种的该氮极性表面上配置图案掩模的步骤，在该图案掩模中设有由线状开口构成并包含交叉部的周期性开口图案，并且，按照该线状开口的至少一部分的长度方向与该氮极性表面和M面的交线的方向成±3°以内的方式来配置该图案掩模；以及，第三步骤，其为通过该图案掩模使GaN结晶在该GaN晶种的该氮极性表面上氨热生长的步骤，在该GaN结晶与该图案掩模之间形成间隙。
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公开(公告)号：CN109563642A
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201780048923.6
申请日：2017-08-04
Applicant: 三菱化学株式会社
IPC: C30B29/38 , C30B7/10 , C30B33/06 , H01L21/20 , H01L21/205
Abstract: 导电性C面GaN基板可优选用于氮化物半导体器件的制造等。在室温下导电性C面GaN基板的电阻率为2×10-2Ωcm以下或n型载流子浓度为1×1018cm-3以上，进而在至少一个主表面上能够绘制至少一条满足下述条件(A1)和(B1)中的至少一者的长度40mm的作为假想线段的第一线段。(A1)在该第一线段上，使各ω扫描时的X射线入射面平行于该第一线段并以1mm间隔测定(004)反射的XRC时，在全部测定点间的XRC的FWHM的最大值小于30arcsec；(B1)在该第一线段上，使各ω扫描时的X射线入射面平行于该第一线段并以1mm间隔测定(004)反射的XRC时，在全部测定点间的XRC的峰角度的最大值与最小值之差小于0.2°。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109563641A
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201780048862.3
申请日：2017-08-04
Applicant: 三菱化学株式会社
IPC: C30B29/38 , C30B7/10 , C30B33/06 , H01L21/20 , H01L21/205
Abstract: 本发明的主要目的在于提供一种用于使作为包括C面GaN基板的GaN基板的材料合适的GaN结晶生长的新型方法。本发明的另一目的在于提供一种能够适合用于氮化物半导体器件的制造等的新型的C面GaN基板。通过下述GaN结晶生长方法，提供一种能够适合用于氮化物半导体器件的制造等的新型的C面GaN基板，该GaN结晶生长方法包括下述步骤：第一步骤，准备具有氮极性表面的GaN晶种；第二步骤，其为在该GaN晶种的该氮极性表面上配置图案掩模的步骤，在该图案掩模中设有由线状开口构成并包含交叉部的周期性开口图案，并且，按照该线状开口的至少一部分的长度方向与该氮极性表面和M面的交线的方向成±3°以内的方式来配置该图案掩模；以及，第三步骤，其为通过该图案掩模使GaN结晶在该GaN晶种的该氮极性表面上氨热生长的步骤，在该GaN结晶与该图案掩模之间形成间隙。
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公开(公告)号：CN113604885B
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202110907715.5
申请日：2017-08-04
Applicant: 三菱化学株式会社
IPC: C30B29/40 , C30B7/10 , C30B33/06 , H01L21/20 , H01L21/205
Abstract: 本发明涉及C面GaN基板和氮化物半导体器件的制造方法，提供一种能够适合用于氮化物半导体器件的制造等的C面GaN基板。一种C面GaN基板，其特征在于，其为在至少一个主表面具有周期性地配置的两个以上的位错阵列、并且除了该两个以上的位错阵列外在该一个主表面不具有周期性地存在的位错群的基板，并且，该两个以上的位错阵列均来自在构成该基板的GaN结晶的生长时发生的聚结。氮化物半导体器件的制造方法包括：准备C面GaN基板的步骤；和在该准备出的C面GaN基板上使一种以上的氮化物半导体进行外延生长的步骤。
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公开(公告)号：CN113604885A
公开(公告)日：2021-11-05
申请号：CN202110907715.5
申请日：2017-08-04
Applicant: 三菱化学株式会社
IPC: C30B29/40 , C30B7/10 , C30B33/06 , H01L21/20 , H01L21/205
Abstract: 本发明涉及C面GaN基板和氮化物半导体器件的制造方法，提供一种能够适合用于氮化物半导体器件的制造等的C面GaN基板。一种C面GaN基板，其特征在于，其为在至少一个主表面具有周期性地配置的两个以上的位错阵列、并且除了该两个以上的位错阵列外在该一个主表面不具有周期性地存在的位错群的基板，并且，该两个以上的位错阵列均来自在构成该基板的GaN结晶的生长时发生的聚结。氮化物半导体器件的制造方法包括：准备C面GaN基板的步骤；和在该准备出的C面GaN基板上使一种以上的氮化物半导体进行外延生长的步骤。
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公开(公告)号：CN109563642B
公开(公告)日：2021-04-13
申请号：CN201780048923.6
申请日：2017-08-04
Applicant: 三菱化学株式会社
IPC: H01L21/20 , H01L21/205 , C30B29/38 , C30B7/10 , C30B33/06
Abstract: 导电性C面GaN基板可优选用于氮化物半导体器件的制造等。在室温下导电性C面GaN基板的电阻率为2×10‑2Ωcm以下或n型载流子浓度为1×1018cm‑3以上，进而在至少一个主表面上能够绘制至少一条满足下述条件(A1)和(B1)中的至少一者的长度40mm的作为假想线段的第一线段。(A1)在该第一线段上，使各ω扫描时的X射线入射面平行于该第一线段并以1mm间隔测定(004)反射的XRC时，在全部测定点间的XRC的FWHM的最大值小于30arcsec；(B1)在该第一线段上，使各ω扫描时的X射线入射面平行于该第一线段并以1mm间隔测定(004)反射的XRC时，在全部测定点间的XRC的峰角度的最大值与最小值之差小于0.2°。
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公开(公告)号：CN112567078A
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN201980053810.4
申请日：2019-07-24
Applicant: 三菱化学株式会社
IPC: C30B29/38 , C23C16/34 , C30B25/20 , H01L21/205
Abstract: 若能够利用量产性优异的HVPE生长出具有与利用氨热法生长的GaN结晶相匹敌的20arcsec以下的(004)XRD摇摆曲线FWHM的GaN结晶，则期待能够有助于将c面GaN晶片用于基板而生产出的氮化物半导体器件的开发促进和低成本化。n型GaN结晶中，以最高浓度含有的供体杂质为Ge，具有小于0.03Ω·cm的室温电阻率，其(004)XRD摇摆曲线FWHM小于20arcsec。该n型GaN结晶具有面积分别为3cm2以上的2个主面，其一者为Ga极性，相对于(0001)结晶面的倾斜可以为0度以上10度以下。该n型GaN结晶可以进一步具有20mm以上的直径。
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