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公开(公告)号：CN117897521A
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202280057716.8
申请日：2022-08-23
Abstract: 一种特定的晶体缺陷少的高品质的氮化镓晶体，其含F，F以外的卤素元素的含量合计为F的含量的1/100以下，所述氮化镓晶体具有相对于(000‑1)晶面的倾斜度为0度以上且10度以下的主表面1，该主表面1为满足条件(A1)～(A3)中的至少任一个的特定主表面A；能够画出第一线段和第二线段，所述第一线段是在特定主表面A上沿第一方向延伸的长40mm的假想线段，所述第二线段是在该特定主表面A上沿与该第一方向垂直的第二方向延伸的长40mm的假想线段，(A1)在特定主表面A上的任意10mm×10mm的正方形区域中的小面生长区域密度不超过500cm‑2；(A2)在特定主表面A中发现至少一个小面生长区域密度小于5cm‑2的20mm×20mm的正方形区域；(A3)(小面生长区域面积的总和/特定主表面A的面积)为40％以下。
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公开(公告)号：CN105917035A
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201480073300.0
申请日：2014-12-11
Applicant: 三菱化学株式会社
IPC: C30B29/38 , H01L21/205 , H01L29/20 , H01L33/32
CPC classification number: C30B25/20 , C30B7/005 , C30B7/105 , C30B23/025 , C30B29/406 , H01L21/02389 , H01L21/02433 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02642 , H01L21/02647 , H01L29/2003 , H01L33/0075 , H01L33/32
Abstract: 本发明提供一种用于在圆盘形GaN基板中将构成该基板的结晶区域的个数削减为4个以下的技术，该圆盘形GaN基板是利用覆瓦法制造的，主表面的法线与m轴之间的角度为0°以上20°以下，直径为45mm～55mm。根据优选实施方式，提供一种GaN基板，该GaN基板具有第1主表面和其相反侧的第2主表面，上述第1主表面的法线与m轴之间的角度为0°以上20°以下，该GaN基板是直径为45mm以上的圆盘形GaN基板，该GaN基板由各自在上述第1主表面和第2主表面两者露出的4个以下的结晶区域构成，该4个以下的结晶区域沿着上述第1主表面上的c轴的正投影的方向排成一列。
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公开(公告)号：CN109563641B
公开(公告)日：2021-08-27
申请号：CN201780048862.3
申请日：2017-08-04
Applicant: 三菱化学株式会社
IPC: H01L21/20 , H01L21/205 , C30B29/38 , C30B7/10 , C30B33/06
Abstract: 本发明的主要目的在于提供一种用于使作为包括C面GaN基板的GaN基板的材料合适的GaN结晶生长的新型方法。本发明的另一目的在于提供一种能够适合用于氮化物半导体器件的制造等的新型的C面GaN基板。通过下述GaN结晶生长方法，提供一种能够适合用于氮化物半导体器件的制造等的新型的C面GaN基板，该GaN结晶生长方法包括下述步骤：第一步骤，准备具有氮极性表面的GaN晶种；第二步骤，其为在该GaN晶种的该氮极性表面上配置图案掩模的步骤，在该图案掩模中设有由线状开口构成并包含交叉部的周期性开口图案，并且，按照该线状开口的至少一部分的长度方向与该氮极性表面和M面的交线的方向成±3°以内的方式来配置该图案掩模；以及，第三步骤，其为通过该图案掩模使GaN结晶在该GaN晶种的该氮极性表面上氨热生长的步骤，在该GaN结晶与该图案掩模之间形成间隙。
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公开(公告)号：CN102695823A
公开(公告)日：2012-09-26
申请号：CN201080053298.2
申请日：2010-11-25
Applicant: 三菱化学株式会社 , 国立大学法人东北大学 , 株式会社日本制钢所
CPC classification number: C30B29/406 , C30B7/105 , C30B29/403
Abstract: 本发明提供一种氮化物结晶的制造方法，其能够抑制在晶种上以外的部分析出氮化物结晶，提高在晶种上生长的氮化镓单晶的生产效率。在装有含有矿化剂的溶液的容器内通过氨热法制造氮化物结晶时，在容器和设置于容器内的构件的表面中，与溶液接触的部分的至少一部分由含有选自钽（Ta）、钨（W）和钛（Ti）中的一种以上原子的金属或者合金构成，并且，表面粗糙度（Ra）小于1.80μm。
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公开(公告)号：CN102272357A
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN201080004166.0
申请日：2010-01-07
Applicant: 三菱化学株式会社 , 国立大学法人东北大学
CPC classification number: B01J19/02 , B01J2219/0236 , C30B7/105 , C30B29/403 , H01L21/02389 , H01L21/02425 , H01L21/02433 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , Y10T117/1096
Abstract: 本发明涉及氮化物结晶的制造方法、氮化物结晶及其制造装置。利用氨热法使氧浓度低的高纯度氮化物结晶高效地生长。一种氮化物结晶的制造方法，其特征在于，在反应容器内或者与反应容器连接的封闭回路内，使和氨反应生成矿化剂的反应性气体与氨接触生成矿化剂，在上述氨和上述矿化剂的存在下利用氨热法使氮化物结晶生长。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109563642A
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201780048923.6
申请日：2017-08-04
Applicant: 三菱化学株式会社
IPC: C30B29/38 , C30B7/10 , C30B33/06 , H01L21/20 , H01L21/205
Abstract: 导电性C面GaN基板可优选用于氮化物半导体器件的制造等。在室温下导电性C面GaN基板的电阻率为2×10-2Ωcm以下或n型载流子浓度为1×1018cm-3以上，进而在至少一个主表面上能够绘制至少一条满足下述条件(A1)和(B1)中的至少一者的长度40mm的作为假想线段的第一线段。(A1)在该第一线段上，使各ω扫描时的X射线入射面平行于该第一线段并以1mm间隔测定(004)反射的XRC时，在全部测定点间的XRC的FWHM的最大值小于30arcsec；(B1)在该第一线段上，使各ω扫描时的X射线入射面平行于该第一线段并以1mm间隔测定(004)反射的XRC时，在全部测定点间的XRC的峰角度的最大值与最小值之差小于0.2°。
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公开(公告)号：CN109563641A
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201780048862.3
申请日：2017-08-04
Applicant: 三菱化学株式会社
IPC: C30B29/38 , C30B7/10 , C30B33/06 , H01L21/20 , H01L21/205
Abstract: 本发明的主要目的在于提供一种用于使作为包括C面GaN基板的GaN基板的材料合适的GaN结晶生长的新型方法。本发明的另一目的在于提供一种能够适合用于氮化物半导体器件的制造等的新型的C面GaN基板。通过下述GaN结晶生长方法，提供一种能够适合用于氮化物半导体器件的制造等的新型的C面GaN基板，该GaN结晶生长方法包括下述步骤：第一步骤，准备具有氮极性表面的GaN晶种；第二步骤，其为在该GaN晶种的该氮极性表面上配置图案掩模的步骤，在该图案掩模中设有由线状开口构成并包含交叉部的周期性开口图案，并且，按照该线状开口的至少一部分的长度方向与该氮极性表面和M面的交线的方向成±3°以内的方式来配置该图案掩模；以及，第三步骤，其为通过该图案掩模使GaN结晶在该GaN晶种的该氮极性表面上氨热生长的步骤，在该GaN结晶与该图案掩模之间形成间隙。
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公开(公告)号：CN103282554A
公开(公告)日：2013-09-04
申请号：CN201180062724.3
申请日：2011-12-26
Applicant: 三菱化学株式会社
CPC classification number: C30B7/10 , C30B7/00 , C30B7/105 , C30B29/403 , C30B29/406
Abstract: 本发明提供一种半导体结晶的制造方法。在反应容器中，在超临界和/或亚临界状态的溶剂存在下进行结晶生长来制造半导体结晶时，将该反应容器表面以及在该反应容器内部使用的构件的表面的至少一部分用铂族-第13族金属合金被膜覆盖。
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公开(公告)号：CN113604885B
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202110907715.5
申请日：2017-08-04
Applicant: 三菱化学株式会社
IPC: C30B29/40 , C30B7/10 , C30B33/06 , H01L21/20 , H01L21/205
Abstract: 本发明涉及C面GaN基板和氮化物半导体器件的制造方法，提供一种能够适合用于氮化物半导体器件的制造等的C面GaN基板。一种C面GaN基板，其特征在于，其为在至少一个主表面具有周期性地配置的两个以上的位错阵列、并且除了该两个以上的位错阵列外在该一个主表面不具有周期性地存在的位错群的基板，并且，该两个以上的位错阵列均来自在构成该基板的GaN结晶的生长时发生的聚结。氮化物半导体器件的制造方法包括：准备C面GaN基板的步骤；和在该准备出的C面GaN基板上使一种以上的氮化物半导体进行外延生长的步骤。
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公开(公告)号：CN113604885A
公开(公告)日：2021-11-05
申请号：CN202110907715.5
申请日：2017-08-04
Applicant: 三菱化学株式会社
IPC: C30B29/40 , C30B7/10 , C30B33/06 , H01L21/20 , H01L21/205
Abstract: 本发明涉及C面GaN基板和氮化物半导体器件的制造方法，提供一种能够适合用于氮化物半导体器件的制造等的C面GaN基板。一种C面GaN基板，其特征在于，其为在至少一个主表面具有周期性地配置的两个以上的位错阵列、并且除了该两个以上的位错阵列外在该一个主表面不具有周期性地存在的位错群的基板，并且，该两个以上的位错阵列均来自在构成该基板的GaN结晶的生长时发生的聚结。氮化物半导体器件的制造方法包括：准备C面GaN基板的步骤；和在该准备出的C面GaN基板上使一种以上的氮化物半导体进行外延生长的步骤。
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