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公开(公告)号：CN109563641B
公开(公告)日：2021-08-27
申请号：CN201780048862.3
申请日：2017-08-04
Applicant: 三菱化学株式会社
IPC: H01L21/20 , H01L21/205 , C30B29/38 , C30B7/10 , C30B33/06
Abstract: 本发明的主要目的在于提供一种用于使作为包括C面GaN基板的GaN基板的材料合适的GaN结晶生长的新型方法。本发明的另一目的在于提供一种能够适合用于氮化物半导体器件的制造等的新型的C面GaN基板。通过下述GaN结晶生长方法，提供一种能够适合用于氮化物半导体器件的制造等的新型的C面GaN基板，该GaN结晶生长方法包括下述步骤：第一步骤，准备具有氮极性表面的GaN晶种；第二步骤，其为在该GaN晶种的该氮极性表面上配置图案掩模的步骤，在该图案掩模中设有由线状开口构成并包含交叉部的周期性开口图案，并且，按照该线状开口的至少一部分的长度方向与该氮极性表面和M面的交线的方向成±3°以内的方式来配置该图案掩模；以及，第三步骤，其为通过该图案掩模使GaN结晶在该GaN晶种的该氮极性表面上氨热生长的步骤，在该GaN结晶与该图案掩模之间形成间隙。
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公开(公告)号：CN105917035A
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201480073300.0
申请日：2014-12-11
Applicant: 三菱化学株式会社
IPC: C30B29/38 , H01L21/205 , H01L29/20 , H01L33/32
CPC classification number: C30B25/20 , C30B7/005 , C30B7/105 , C30B23/025 , C30B29/406 , H01L21/02389 , H01L21/02433 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02642 , H01L21/02647 , H01L29/2003 , H01L33/0075 , H01L33/32
Abstract: 本发明提供一种用于在圆盘形GaN基板中将构成该基板的结晶区域的个数削减为4个以下的技术，该圆盘形GaN基板是利用覆瓦法制造的，主表面的法线与m轴之间的角度为0°以上20°以下，直径为45mm～55mm。根据优选实施方式，提供一种GaN基板，该GaN基板具有第1主表面和其相反侧的第2主表面，上述第1主表面的法线与m轴之间的角度为0°以上20°以下，该GaN基板是直径为45mm以上的圆盘形GaN基板，该GaN基板由各自在上述第1主表面和第2主表面两者露出的4个以下的结晶区域构成，该4个以下的结晶区域沿着上述第1主表面上的c轴的正投影的方向排成一列。
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公开(公告)号：CN105917035B
公开(公告)日：2019-06-18
申请号：CN201480073300.0
申请日：2014-12-11
Applicant: 三菱化学株式会社
IPC: C30B29/38 , H01L21/205 , H01L29/20 , H01L33/32
CPC classification number: C30B25/20 , C30B7/005 , C30B7/105 , C30B23/025 , C30B29/406 , H01L21/02389 , H01L21/02433 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02642 , H01L21/02647 , H01L29/2003 , H01L33/0075 , H01L33/32
Abstract: 本发明提供一种用于在圆盘形GaN基板中将构成该基板的结晶区域的个数削减为4个以下的技术，该圆盘形GaN基板是利用覆瓦法制造的，主表面的法线与m轴之间的角度为0°以上20°以下，直径为45mm～55mm。根据优选实施方式，提供一种GaN基板，该GaN基板具有第1主表面和其相反侧的第2主表面，上述第1主表面的法线与m轴之间的角度为0°以上20°以下，该GaN基板是直径为45mm以上的圆盘形GaN基板，该GaN基板由各自在上述第1主表面和第2主表面两者露出的4个以下的结晶区域构成，该4个以下的结晶区域沿着上述第1主表面上的c轴的正投影的方向排成一列。
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公开(公告)号：CN103443337A
公开(公告)日：2013-12-11
申请号：CN201280014475.5
申请日：2012-03-21
Applicant: 三菱化学株式会社
CPC classification number: C30B7/10 , C30B7/105 , C30B7/14 , C30B29/403 , C30B29/406
Abstract: 本发明涉及氮化物结晶的制造方法，该制造方法的特征在于，其包含下述工序：在反应容器中加入具有六方晶系结晶结构的晶种、含有氮的溶剂、原料、以及含有选自氯、溴和碘的1种以上的卤素元素并含有氟的矿化剂，对于该反应容器内的温度和压力进行控制以使得上述溶剂达到超临界状态和/或亚临界状态，使氮化物结晶在上述晶种的表面生长。
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公开(公告)号：CN113604885B
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202110907715.5
申请日：2017-08-04
Applicant: 三菱化学株式会社
IPC: C30B29/40 , C30B7/10 , C30B33/06 , H01L21/20 , H01L21/205
Abstract: 本发明涉及C面GaN基板和氮化物半导体器件的制造方法，提供一种能够适合用于氮化物半导体器件的制造等的C面GaN基板。一种C面GaN基板，其特征在于，其为在至少一个主表面具有周期性地配置的两个以上的位错阵列、并且除了该两个以上的位错阵列外在该一个主表面不具有周期性地存在的位错群的基板，并且，该两个以上的位错阵列均来自在构成该基板的GaN结晶的生长时发生的聚结。氮化物半导体器件的制造方法包括：准备C面GaN基板的步骤；和在该准备出的C面GaN基板上使一种以上的氮化物半导体进行外延生长的步骤。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113604885A
公开(公告)日：2021-11-05
申请号：CN202110907715.5
申请日：2017-08-04
Applicant: 三菱化学株式会社
IPC: C30B29/40 , C30B7/10 , C30B33/06 , H01L21/20 , H01L21/205
Abstract: 本发明涉及C面GaN基板和氮化物半导体器件的制造方法，提供一种能够适合用于氮化物半导体器件的制造等的C面GaN基板。一种C面GaN基板，其特征在于，其为在至少一个主表面具有周期性地配置的两个以上的位错阵列、并且除了该两个以上的位错阵列外在该一个主表面不具有周期性地存在的位错群的基板，并且，该两个以上的位错阵列均来自在构成该基板的GaN结晶的生长时发生的聚结。氮化物半导体器件的制造方法包括：准备C面GaN基板的步骤；和在该准备出的C面GaN基板上使一种以上的氮化物半导体进行外延生长的步骤。
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公开(公告)号：CN109563642B
公开(公告)日：2021-04-13
申请号：CN201780048923.6
申请日：2017-08-04
Applicant: 三菱化学株式会社
IPC: H01L21/20 , H01L21/205 , C30B29/38 , C30B7/10 , C30B33/06
Abstract: 导电性C面GaN基板可优选用于氮化物半导体器件的制造等。在室温下导电性C面GaN基板的电阻率为2×10‑2Ωcm以下或n型载流子浓度为1×1018cm‑3以上，进而在至少一个主表面上能够绘制至少一条满足下述条件(A1)和(B1)中的至少一者的长度40mm的作为假想线段的第一线段。(A1)在该第一线段上，使各ω扫描时的X射线入射面平行于该第一线段并以1mm间隔测定(004)反射的XRC时，在全部测定点间的XRC的FWHM的最大值小于30arcsec；(B1)在该第一线段上，使各ω扫描时的X射线入射面平行于该第一线段并以1mm间隔测定(004)反射的XRC时，在全部测定点间的XRC的峰角度的最大值与最小值之差小于0.2°。
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公开(公告)号：CN109563642A
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201780048923.6
申请日：2017-08-04
Applicant: 三菱化学株式会社
IPC: C30B29/38 , C30B7/10 , C30B33/06 , H01L21/20 , H01L21/205
Abstract: 导电性C面GaN基板可优选用于氮化物半导体器件的制造等。在室温下导电性C面GaN基板的电阻率为2×10-2Ωcm以下或n型载流子浓度为1×1018cm-3以上，进而在至少一个主表面上能够绘制至少一条满足下述条件(A1)和(B1)中的至少一者的长度40mm的作为假想线段的第一线段。(A1)在该第一线段上，使各ω扫描时的X射线入射面平行于该第一线段并以1mm间隔测定(004)反射的XRC时，在全部测定点间的XRC的FWHM的最大值小于30arcsec；(B1)在该第一线段上，使各ω扫描时的X射线入射面平行于该第一线段并以1mm间隔测定(004)反射的XRC时，在全部测定点间的XRC的峰角度的最大值与最小值之差小于0.2°。
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公开(公告)号：CN109563641A
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201780048862.3
申请日：2017-08-04
Applicant: 三菱化学株式会社
IPC: C30B29/38 , C30B7/10 , C30B33/06 , H01L21/20 , H01L21/205
Abstract: 本发明的主要目的在于提供一种用于使作为包括C面GaN基板的GaN基板的材料合适的GaN结晶生长的新型方法。本发明的另一目的在于提供一种能够适合用于氮化物半导体器件的制造等的新型的C面GaN基板。通过下述GaN结晶生长方法，提供一种能够适合用于氮化物半导体器件的制造等的新型的C面GaN基板，该GaN结晶生长方法包括下述步骤：第一步骤，准备具有氮极性表面的GaN晶种；第二步骤，其为在该GaN晶种的该氮极性表面上配置图案掩模的步骤，在该图案掩模中设有由线状开口构成并包含交叉部的周期性开口图案，并且，按照该线状开口的至少一部分的长度方向与该氮极性表面和M面的交线的方向成±3°以内的方式来配置该图案掩模；以及，第三步骤，其为通过该图案掩模使GaN结晶在该GaN晶种的该氮极性表面上氨热生长的步骤，在该GaN结晶与该图案掩模之间形成间隙。
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公开(公告)号：CN103282554A
公开(公告)日：2013-09-04
申请号：CN201180062724.3
申请日：2011-12-26
Applicant: 三菱化学株式会社
CPC classification number: C30B7/10 , C30B7/00 , C30B7/105 , C30B29/403 , C30B29/406
Abstract: 本发明提供一种半导体结晶的制造方法。在反应容器中，在超临界和/或亚临界状态的溶剂存在下进行结晶生长来制造半导体结晶时，将该反应容器表面以及在该反应容器内部使用的构件的表面的至少一部分用铂族-第13族金属合金被膜覆盖。
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