公开(公告)号：CN105917035A

公开(公告)日：2016-08-31

申请号：CN201480073300.0

申请日：2014-12-11

Applicant: 三菱化学株式会社

Inventor： 塚田悠介 ,  长尾哲 ,  镰田和典 ,  田代雅之 ,  藤户健史 ,  藤泽英夫 ,  三川丰 ,  梶本哲治 ,  深田崇

IPC: C30B29/38 ,  H01L21/205 ,  H01L29/20 ,  H01L33/32

CPC classification number: C30B25/20 ,  C30B7/005 ,  C30B7/105 ,  C30B23/025 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02642 ,  H01L21/02647 ,  H01L29/2003 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/32

Abstract: 本发明提供一种用于在圆盘形GaN基板中将构成该基板的结晶区域的个数削减为4个以下的技术，该圆盘形GaN基板是利用覆瓦法制造的，主表面的法线与m轴之间的角度为0°以上20°以下，直径为45mm～55mm。根据优选实施方式，提供一种GaN基板，该GaN基板具有第1主表面和其相反侧的第2主表面，上述第1主表面的法线与m轴之间的角度为0°以上20°以下，该GaN基板是直径为45mm以上的圆盘形GaN基板，该GaN基板由各自在上述第1主表面和第2主表面两者露出的4个以下的结晶区域构成，该4个以下的结晶区域沿着上述第1主表面上的c轴的正投影的方向排成一列。

公开(公告)号：CN105917035B

公开(公告)日：2019-06-18

申请号：CN201480073300.0

申请日：2014-12-11

Applicant: 三菱化学株式会社

Inventor： 塚田悠介 ,  长尾哲 ,  镰田和典 ,  田代雅之 ,  藤户健史 ,  藤泽英夫 ,  三川丰 ,  梶本哲治 ,  深田崇

IPC: C30B29/38 ,  H01L21/205 ,  H01L29/20 ,  H01L33/32

CPC classification number: C30B25/20 ,  C30B7/005 ,  C30B7/105 ,  C30B23/025 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02642 ,  H01L21/02647 ,  H01L29/2003 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/32

Abstract: 本发明提供一种用于在圆盘形GaN基板中将构成该基板的结晶区域的个数削减为4个以下的技术，该圆盘形GaN基板是利用覆瓦法制造的，主表面的法线与m轴之间的角度为0°以上20°以下，直径为45mm～55mm。根据优选实施方式，提供一种GaN基板，该GaN基板具有第1主表面和其相反侧的第2主表面，上述第1主表面的法线与m轴之间的角度为0°以上20°以下，该GaN基板是直径为45mm以上的圆盘形GaN基板，该GaN基板由各自在上述第1主表面和第2主表面两者露出的4个以下的结晶区域构成，该4个以下的结晶区域沿着上述第1主表面上的c轴的正投影的方向排成一列。

公开(公告)号：CN103502514A

公开(公告)日：2014-01-08

申请号：CN201280018140.0

申请日：2012-04-13

Applicant: 三菱化学株式会社

Inventor： 松本创 ,  洲崎训任 ,  藤户健史 ,  长尾哲

IPC: C30B29/38 ,  C30B33/02

CPC classification number: H01L21/0254 ,  C30B29/406 ,  C30B33/02 ,  H01L29/2003

Abstract: 本发明提供加工性优异的高品质III族氮化物结晶。通过将III族氮化物单晶在1000℃以上进行热处理，形成含有含III族元素的氧化物、氢氧化物和/或羟基氧化物的覆膜；将该覆膜除去；从而制造出III族氮化物结晶。