公开(公告)号：CN117897521A

公开(公告)日：2024-04-16

申请号：CN202280057716.8

申请日：2022-08-23

Applicant: 三菱化学株式会社 ,  株式会社日本制钢所

Inventor： 三川丰 ,  栗本浩平 ,  包全喜

IPC: C30B29/38 ,  C30B7/10

Abstract: 一种特定的晶体缺陷少的高品质的氮化镓晶体，其含F，F以外的卤素元素的含量合计为F的含量的1/100以下，所述氮化镓晶体具有相对于(000‑1)晶面的倾斜度为0度以上且10度以下的主表面1，该主表面1为满足条件(A1)～(A3)中的至少任一个的特定主表面A；能够画出第一线段和第二线段，所述第一线段是在特定主表面A上沿第一方向延伸的长40mm的假想线段，所述第二线段是在该特定主表面A上沿与该第一方向垂直的第二方向延伸的长40mm的假想线段，(A1)在特定主表面A上的任意10mm×10mm的正方形区域中的小面生长区域密度不超过500cm‑2；(A2)在特定主表面A中发现至少一个小面生长区域密度小于5cm‑2的20mm×20mm的正方形区域；(A3)(小面生长区域面积的总和/特定主表面A的面积)为40％以下。

公开(公告)号：CN116917558A

公开(公告)日：2023-10-20

申请号：CN202280017084.2

申请日：2022-02-25

Applicant: 三菱化学株式会社 ,  株式会社日本制钢所 ,  国立大学法人东北大学

Inventor： 三川丰 ,  池田宏隆 ,  包全喜 ,  栗本浩平 ,  岛纮平 ,  小岛一信 ,  石黒徹 ,  秩父重英

IPC: C30B29/38

Abstract: 本发明的课题在于提供一种由时间分辨光致发光测定得到的发光寿命长的GaN晶体，以及提供一种影响该发光寿命的特定的晶体缺陷少的高品质的GaN晶体和GaN衬底。一种氮化镓晶体，其由时间分辨光致发光测定得到的发光寿命为5ps以上且200ps以下，并满足下述必要条件(i)和必要条件(ii)中的至少一个：(i)004衍射X射线摇摆曲线的FWHM在晶体的至少一处为50arcsec以下；(ii)位错密度为5×106cm‑2以下。

公开(公告)号：CN110475914A

公开(公告)日：2019-11-19

申请号：CN201880023029.8

申请日：2018-04-05

Applicant: 株式会社日本制钢所 ,  国立大学法人东北大学

Inventor： 栗本浩平 ,  包全喜 ,  植田睦男 ,  笹川雄二 ,  森元雅也 ,  石黑彻 ,  秩父重英

IPC: C30B7/10 ,  C30B29/38

Abstract: 本发明涉及具有优异耐腐蚀性的晶体制造用压力容器。该压力容器在容器内使用晶种、矿化剂、原料、和作为溶剂的处于超临界状态和/或亚临界状态的氨而制造晶体。所述压力容器至少在其露出的内表面的整个表面上存在Ag。可以通过例如Ag加衬、Ag焊接和Ag镀敷中的一种或两种以上的组合而配置Ag。矿化剂优选为不含氟以外的卤素原子的氟矿化剂。