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发明公开
氮化镓晶体、氮化镓衬底及氮化镓衬底的制造方法审中-实审

公开(公告)号：CN116917558A

公开(公告)日：2023-10-20

申请号：CN202280017084.2

申请日：2022-02-25

Applicant: 三菱化学株式会社 , 株式会社日本制钢所 , 国立大学法人东北大学

Inventor： 三川丰 , 池田宏隆 , 包全喜 , 栗本浩平 , 岛纮平 , 小岛一信 , 石黒徹 , 秩父重英

IPC: C30B29/38

Abstract: 本发明的课题在于提供一种由时间分辨光致发光测定得到的发光寿命长的GaN晶体，以及提供一种影响该发光寿命的特定的晶体缺陷少的高品质的GaN晶体和GaN衬底。一种氮化镓晶体，其由时间分辨光致发光测定得到的发光寿命为5ps以上且200ps以下，并满足下述必要条件(i)和必要条件(ii)中的至少一个：(i)004衍射X射线摇摆曲线的FWHM在晶体的至少一处为50arcsec以下；(ii)位错密度为5×106cm‑2以下。

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