发明公开
CN1685090A Ⅲ－V化合物半导体晶体
无效 - 撤回
- 专利标题： Ⅲ－V化合物半导体晶体
- 专利标题（英）： III-V compound semiconductor crystal
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申请号： CN03822501.8申请日： 2003-09-19
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公开(公告)号： CN1685090A公开(公告)日： 2005-10-19
- 发明人: 栗原香 , 下山谦司
- 申请人： 三菱化学株式会社
- 申请人地址： 日本东京都
- 专利权人： 三菱化学株式会社
- 当前专利权人： 三菱化学株式会社
- 当前专利权人地址： 日本东京都
- 代理机构： 北京市柳沈律师事务所
- 代理商 范明娥; 巫肖南
- 优先权： 274905/2002 2002.09.20 JP; 274906/2002 2002.09.20 JP; 274907/2002 2002.09.20 JP; 130264/2003 2003.05.08 JP; 130265/2003 2003.05.08 JP
- 国际申请： PCT/JP2003/012007 2003.09.19
- 国际公布： WO2004/027126 JA 2004.04.01
- 进入国家日期： 2005-03-21
- 主分类号： C30B29/40
- IPC分类号： C30B29/40 ; H01L21/205 ; H01S5/323
摘要：
本发明公开一种掺杂碳的III－V族化合物的新颖半导体晶体以及其制备方法。特别是III－V族化合物含Al和In作为III族的主要组成元素、并且也含V族组成元素，其特征在于，III－V族化合物半导体晶体中的碳浓度为1×1016cm－3或更高，并且氧浓度为1×1018cm－3或更低，其氧浓度不高于碳浓度；并公开一种其制备方法。利用该III－V化合物半导体晶体，可以提供具有优良的电导性能的半导体设备、和具有优良的高速调制性能的半导体激光器。
IPC分类:
