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公开(公告)号：CN101034667A
公开(公告)日：2007-09-12
申请号：CN200710085579.6
申请日：2007-03-12
申请人： 精工爱普生株式会社
CPC分类号： H01L51/0005 , H01L21/0337 , H01L51/0037 , H01L2251/105 , Y10T156/1039
摘要： 本发明涉及电子器件的制造。本发明公开了一种用于制造电子器件的方法，所述方法包括：使用压印设备204压印工件200、202的表面，以在所述工件表面上形成具有至少两级厚度反差的微结构；和在所述微结构上沉积包含功能材料的流体208。在一个优选实施方案中，所述沉积流体208的步骤包括喷墨印刷。本发明还公开了一种用于在工件200、202上产生微结构的压印设备204，压印设备204包含第一表面和相对于第一表面的至少两种不同高度的阶梯。
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公开(公告)号：CN1937275A
公开(公告)日：2007-03-28
申请号：CN200610138944.0
申请日：2006-09-20
申请人： 精工爱普生株式会社
CPC分类号： H01L51/0012 , H01L51/0004 , H01L51/0036 , H01L51/0053 , H01L51/0545 , H01L51/0566
摘要： 根据第一方面，本发明提供了半导体膜的形成方法，包含在衬底表面上提供包含第一有机半导体和第二有机半导体的溶液的第一步骤。然后将所述溶液干燥而形成半导体膜，以使它包含在第二有机半导体基体中的第一有机半导体离散畴，所述的第二有机半导体基体电连接第一有机半导体的邻近畴。第一和第二半导体是相同的导电型。第一有机半导体的畴中电荷载流子迁移率高于第二有机半导体基体中电荷载流子迁移率。在备选的方面中，本发明提供了形成相似半导体膜产物的方法，但是其中第一有机半导体溶液从第二有机半导体分开地沉积，并干燥而形成离散畴。本发明也提供了例如通过上述方法生产的半导体膜，其中第一和第二有机半导体都是噻吩。
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公开(公告)号：CN100454601C
公开(公告)日：2009-01-21
申请号：CN200510092161.9
申请日：2005-08-22
申请人： 精工爱普生株式会社
CPC分类号： H01L51/0545 , H01L51/0019 , H01L51/0034 , H01L51/0035 , H01L51/0036 , H01L51/0541 , H01L51/105
摘要： 提供了一种场效应晶体管(10)，其包括金属或碳的源极(14)和功能有机半导体层(28)。注入材料的柱状物(48)延伸通过功能有机半导体层(28)，柱状物与源极(14)和功能有机半导体层(28)同时接触。所述柱状物(48)促进了载流子在源极(14)和半导体层(28)之间的迁移。优选地，注入材料是有机化合物，例如聚-3-己基噻吩、聚芳基胺、聚(3，4-亚乙基二氯基噻吩)-聚苯乙烯硫酸或聚苯胺。
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公开(公告)号：CN1832104A
公开(公告)日：2006-09-13
申请号：CN200610054986.6
申请日：2006-02-27
申请人： 精工爱普生株式会社
IPC分类号： H01L21/00 , H01L21/28 , H01L21/336 , H01L21/8234
CPC分类号： H01L21/0338 , H01L21/0272 , H01L21/0331 , H01L21/0337 , H01L21/3086 , H01L21/3088 , H01L21/31144 , H01L27/1292 , H01L27/285 , H01L51/0021 , H01L51/0036 , H01L51/0516 , H01L51/0541 , H01L51/105
摘要： 提供一种图案化方法，包括：(i)预先图案化衬底上的一层材料，(ii)在预图案化的衬底上旋涂薄膜形成物质的溶液，(iii)干燥被旋涂的溶液以在衬底的未图案化区域和被预图案化的材料的表面和侧面上形成薄膜形成物质的薄膜，(iv)以这种方式蚀刻干燥后的薄膜：即仅保留在预图案化的材料的侧面周围，及(v)去除预图案化的材料以在衬底上留下脊状薄膜形成物质，脊的图案对应预图案化的材料的轮廓。然后在所得图案化衬底上沉积金属层，随后除去脊，剩下离散的金属区域，这些金属区域形成薄膜晶体管的潜在源极和漏极。然后通过选择性地沉积半导体、绝缘体和导体区而形成薄膜晶体管阵列，其中导体区形成了与每对源极和漏极相关的栅极。
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公开(公告)号：CN1725455A
公开(公告)日：2006-01-25
申请号：CN200510083398.0
申请日：2005-07-18
申请人： 精工爱普生株式会社
IPC分类号： H01L21/368 , H01L21/208 , H01L51/40
CPC分类号： H01L21/02568 , H01L21/0256 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/02601 , H01L21/02628 , H01L51/0003 , H01L51/0037 , H01L51/0053 , H01L51/007 , H01L51/0545
摘要： 一种用于形成例如薄膜的半导体器件的方法。该方法包括以下步骤：在基底的表面上沉积第一半导体颗粒的悬浮液和第二半导体或其前体溶液，使得在其上产生包含悬浮在含有第二半导体或其前体的液相中的第一半导体颗粒的混合物；和使该混合物凝固，以形成第二半导体基质中包含第一半导体颗粒的半导体器件，其中该基质与相邻的第一半导体颗粒电连接，第一和第二半导体为相同导电型并由相同或不同材料制成。本方法不需要任何真空沉积或烧结步骤。同时还提供一种半导体器件本身。该部件包括在半导体粘合剂的基质中的半导体颗粒，基质具有和半导体颗粒相同的导电型并是和形成颗粒相同或不同的材料，该半导体粘合剂和相邻的半导体颗粒电连接。
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公开(公告)号：CN1693993A
公开(公告)日：2005-11-09
申请号：CN200510068750.3
申请日：2005-04-28
申请人： 精工爱普生株式会社
IPC分类号： G03F7/20 , G03F7/00 , H01L21/027
CPC分类号： H01L51/0023 , H01L51/0022 , H01L51/0037 , H01L51/0541
摘要： 本发明提供一种在基片(1)上形成电子功能材料(3)需求图案的方法，其包括的步骤如下：在基片上生成形成图案材料(2)的第一层，同时暴露基片剩余区域以限定所述需求图案；在所述图案材料和暴露的基片上印刷包括在液体分散剂中的电子功能材料的颗粒的悬浮液，其中所述图案材料不渗透该悬浮液；从悬浮液中去除至少一些液体分散剂，以便能够使颗粒固结；以及将第一溶剂施加于所述固结颗粒上，所述第一溶剂可以使所述图案材料(2)溶解，并且所述固结颗粒可渗透所述第一溶剂，这样，所述图案材料与覆盖的电子功能材料(3)一同从基片上被去除。
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公开(公告)号：CN1937275B
公开(公告)日：2011-01-19
申请号：CN200610138944.0
申请日：2006-09-20
申请人： 精工爱普生株式会社
CPC分类号： H01L51/0012 , H01L51/0004 , H01L51/0036 , H01L51/0053 , H01L51/0545 , H01L51/0566
摘要： 根据第一方面，本发明提供了半导体膜的形成方法，包含在衬底表面上提供包含第一有机半导体和第二有机半导体的溶液的第一步骤。然后将所述溶液干燥而形成半导体膜，以使它包含在第二有机半导体基体中的第一有机半导体离散畴，所述的第二有机半导体基体电连接第一有机半导体的邻近畴。第一和第二半导体是相同的导电型。第一有机半导体的畴中电荷载流子迁移率高于第二有机半导体基体中电荷载流子迁移率。在备选的方面中，本发明提供了形成相似半导体膜产物的方法，但是其中第一有机半导体溶液从第二有机半导体分开地沉积，并干燥而形成离散畴。本发明也提供了例如通过上述方法生产的半导体膜，其中第一和第二有机半导体都是噻吩。
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公开(公告)号：CN1960022A
公开(公告)日：2007-05-09
申请号：CN200610143635.2
申请日：2006-11-06
申请人： 精工爱普生株式会社
CPC分类号： H01L51/0003 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , G03F7/0002 , H01L51/0012 , H01L51/0529 , H01L51/56
摘要： 公开了一种用于制造电子器件的方法，所述方法包括：在衬底上创建表面能图案；以及将第一流体刷涂到衬底上以形成与衬底上的表面能图案相对应的流体图案。同样公开了一种薄膜晶体管，包括：导电层；在导电层上形成的绝缘体层；在绝缘体层上形成的导电材料图案和第一自组装单层SAM；在导电材料上形成的第二SAM；以及在第一SAM和第二SAM上形成的半导体层。还公开了一种刷涂装置，包括：墨吸收刷头；通过墨流通道与刷头相连的墨容器；以及传送带，其中传送带的表面面向刷头。
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公开(公告)号：CN1744342A
公开(公告)日：2006-03-08
申请号：CN200510092161.9
申请日：2005-08-22
申请人： 精工爱普生株式会社
CPC分类号： H01L51/0545 , H01L51/0019 , H01L51/0034 , H01L51/0035 , H01L51/0036 , H01L51/0541 , H01L51/105
摘要： 提供了一种场效应晶体管(10)，其包括金属或碳的源极(14)和功能有机半导体层(28)。注入材料的柱状物(48)延伸通过功能有机半导体层(28)，柱状物与源极(14)和功能有机半导体层(28)同时接触。所述柱状物(48)促进了载流子在源极(14)和半导体层(28)之间的迁移。优选地，注入材料是有机化合物，例如聚－3－己基噻吩、聚芳基胺、聚(3，4－亚乙基二氯基噻吩)－聚苯乙烯硫酸或聚苯胺。
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