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公开(公告)号：CN103999229A
公开(公告)日：2014-08-20
申请号：CN201380004304.9
申请日：2013-06-19
申请人： 韩国ENERGY技术硏究院
IPC分类号： H01L31/032 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/0725 , H01L21/02422 , H01L21/02474 , H01L21/02477 , H01L21/02485 , H01L21/02491 , H01L21/02557 , H01L21/0256 , H01L21/02568 , H01L31/0326 , H01L31/18 , Y02E10/50
摘要： 本发明提供具有双重带隙倾斜度的CZTS系薄膜的制造方法，包括以下步骤：形成Cu2ZnSnS4薄膜层；形成Cu2ZnSn(S,Se)4薄膜层；及形成Cu2ZnSnS4薄膜层。根据本发明的另一方面的具有双重带隙倾斜度的CZTS系太阳能电池的制造方法，包括以下步骤：形成后面电极；在上述后面电极上，通过上述方法中的一种方法形成CZTS系薄膜层。根据本发明的又一方法，CZTS系太阳能电池，包括后面电极及形成于上述后面电极之上的CZTS系薄膜层，而上述CZTS系薄膜层依次包括Cu2ZnSnS4薄膜层、Cu2ZnSn(S,Se)4薄膜层及Cu2ZnSnS4薄膜层，而且，Cu2ZnSn(S,Se)4薄膜层的带隙能量低于Cu2ZnSnS4薄膜层的带隙能量。本发明的形成有双重带隙倾斜度的CZTS系薄膜层因表面侧的带隙高，从而增加开路电压，减少再结合，且因后面侧带隙高，从而增加电子迁移率，提高太阳能电池的效率。
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公开(公告)号：CN100438088C
公开(公告)日：2008-11-26
申请号：CN02811083.8
申请日：2002-04-25
申请人： 信越半导体株式会社
发明人： 石崎顺也
IPC分类号： H01L33/00 , H01L21/365 , C23C16/30
CPC分类号： C30B25/183 , C23C16/40 , C30B25/02 , C30B25/105 , C30B29/16 , H01L21/0242 , H01L21/02472 , H01L21/02477 , H01L21/0248 , H01L21/02483 , H01L21/02507 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02579 , H01L21/0262 , H01L33/0083
摘要： 当采用有机金属汽相生长法生长p型MgxZn1-xO时，在生长期间和/或完成生长以后，在含氧气氛中对MgxZn1-xO进行热处理。此外，在汽相生长半导体层时，采用紫外线照射待生长的基片表面和材料气体。另外，当采用原子层外延(exitaxy)形成具有x轴取向沿层的厚度方向的MgxZn1-xO缓冲层时，首先生长金属单原子层。再有，采用主要由含有Se或Te的ZnO的半导体材料，来形成ZnO半导体有源层。采用这些技术形成发光元件。
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公开(公告)号：CN1513210A
公开(公告)日：2004-07-14
申请号：CN02811083.8
申请日：2002-04-25
申请人： 信越半导体株式会社
发明人： 石崎顺也
IPC分类号： H01L33/00 , H01L21/365 , C23C16/30
CPC分类号： C30B25/183 , C23C16/40 , C30B25/02 , C30B25/105 , C30B29/16 , H01L21/0242 , H01L21/02472 , H01L21/02477 , H01L21/0248 , H01L21/02483 , H01L21/02507 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02579 , H01L21/0262 , H01L33/0083
摘要： 当采用有机金属汽相生长法生长p型MgxZn1－xO时，在生长期间和/或完成生长以后，在含氧气氛中对MgxZn1－xO进行热处理。此外，在汽相生长半导体层时，采用紫外线照射待生长的基片表面和材料气体。另外，当采用原子层外延(exitaxy)形成具有x轴取向沿层的厚度方向的MgxZn1－xO缓冲层时，首先生长金属单原子层。再有，采用主要由含有Se或Te的ZnO的半导体材料，来形成ZnO半导体有源层。采用这些技术形成发光元件。
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公开(公告)号：CN103999229B
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：CN201380004304.9
申请日：2013-06-19
申请人： 韩国ENERGY技术硏究院
IPC分类号： H01L31/032 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/0725 , H01L21/02422 , H01L21/02474 , H01L21/02477 , H01L21/02485 , H01L21/02491 , H01L21/02557 , H01L21/0256 , H01L21/02568 , H01L31/0326 , H01L31/18 , Y02E10/50
摘要： 本发明提供具有双重带隙倾斜度的CZTS系薄膜的制造方法，包括以下步骤：形成Cu2ZnSnS4薄膜层；形成Cu2ZnSn(S,Se)4薄膜层；及形成Cu2ZnSnS4薄膜层。根据本发明的另一方面的具有双重带隙倾斜度的CZTS系太阳能电池的制造方法，包括以下步骤：形成后面电极；在上述后面电极上，通过上述方法中的一种方法形成CZTS系薄膜层。根据本发明的又一方法，CZTS系太阳能电池，包括后面电极及形成于上述后面电极之上的CZTS系薄膜层，而上述CZTS系薄膜层依次包括Cu2ZnSnS4薄膜层、Cu2ZnSn(S,Se)4薄膜层及Cu2ZnSnS4薄膜层，而且，Cu2ZnSn(S,Se)4薄膜层的带隙能量低于Cu2ZnSnS4薄膜层的带隙能量。本发明的形成有双重带隙倾斜度的CZTS系薄膜层因表面侧的带隙高，从而增加开路电压，减少再结合，且因后面侧带隙高，从而增加电子迁移率，提高太阳能电池的效率。
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公开(公告)号：CN103025910A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201180036079.8
申请日：2011-07-22
申请人： 第一太阳能有限公司
发明人： 马库斯·E·比克
IPC分类号： C23C14/06 , C23C14/24 , H01L31/032
CPC分类号： C23C14/24 , C23C14/0623 , C23C14/228 , C23C14/246 , H01L21/02472 , H01L21/02474 , H01L21/02477 , H01L21/02485 , H01L21/02568 , H01L21/02631 , H01L31/0322 , H01L31/0749 , H01L31/18 , Y02E10/541 , Y02P70/521
摘要： 制造光伏器件可以包括气相传输沉积工艺。
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公开(公告)号：CN1081027A
公开(公告)日：1994-01-19
申请号：CN93105939.9
申请日：1993-05-21
申请人： 明尼苏达州采矿制造公司
发明人： 程华 , 詹姆斯·M·德普伊特 , 迈克尔·A·哈泽 , 邱军
CPC分类号： H01S5/347 , B82Y20/00 , H01L21/02395 , H01L21/02474 , H01L21/02477 , H01L21/0248 , H01L21/02491 , H01L21/02507 , H01L21/02557 , H01L21/0256 , H01L21/02562 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/02631 , H01L33/0087 , H01L2924/0002 , H01S5/3403 , H01S5/3406 , H01S5/342 , H01L2924/00
摘要： 用原子层外延(ALE)和/或迁移增强外延(MEE)生长II-VI族激光二极管的高效率量子阱的方法。激光二极管衬底和初始生长层在MBE生长室内被加热至小于或等于约200℃的温度。Cd、Zn和Se被交替注入生长室以生长短周期应变层超晶格(SPSLS)量子阱层，其中包含重叠的Cd、Zn和Se单原子层。量子阱层用式[(CdSe)m(ZnSe)n]p表述，其中m、n和p为整数。
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公开(公告)号：CN107819078B
公开(公告)日：2019-07-02
申请号：CN201710820556.9
申请日：2017-09-13
申请人： 乐金显示有限公司
CPC分类号： H01L31/035209 , C08K3/28 , C09K11/00 , C09K11/02 , C09K11/0811 , C09K11/56 , C09K11/883 , G02B5/3025 , G02B6/0056 , G02F1/1335 , G02F1/3556 , G02F2001/01791 , G02F2202/36 , G09F9/30 , H01L21/02474 , H01L21/02477 , H01L21/02521 , H01L21/02557 , H01L21/0256 , H01L21/02603 , H01L21/02628 , H01L33/50 , H01L33/502 , H01L51/0094 , H01L51/5203
摘要： 量子棒、量子棒的合成方法和量子棒显示装置。量子棒包括：核；覆盖所述核的第一壳；以及覆盖所述第一壳的侧面的第二壳。在该量子棒中，所述第一壳的第一厚度大于所述第二壳的第二厚度，并且所述第一壳的第一长度小于所述第二壳的第二长度。
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公开(公告)号：CN105144402A
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201480015130.0
申请日：2014-03-14
申请人： 纳米技术有限公司
发明人： 斯蒂芬·怀特莱格
IPC分类号： H01L31/032 , H01L31/18
CPC分类号： H01L21/02568 , H01L21/02474 , H01L21/02477 , H01L21/02485 , H01L21/02557 , H01L21/0256 , H01L21/02628 , H01L31/0322 , H01L31/0749 , Y02E10/541 , Y02P70/521
摘要： 在本文中所公开的是置于基板上的CIGS系光子吸收层。所述光子吸收层可用于光伏器件中。所述光子吸收层由具有经验式AB1-xB’xC2-yC’y的半导体材料制成，其中A是Cu、Zn、Ag或Cd；B和B’独立地为Al、In或Ga；C和C’独立地为S或Se，并且其中0≤x≤1；且0≤y≤2。所述半导体材料的粒度和所述半导体材料的组成二者均作为沿着所述层的深度的函数而变化。在本文中所描述的层展现出改善的光伏性能，包括增加的分流电阻和减小的背面电荷载流子复合。
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公开(公告)号：CN1034455C
公开(公告)日：1997-04-02
申请号：CN93105939.9
申请日：1993-05-21
申请人： 明尼苏达州采矿制造公司
发明人： 程华 , 詹姆斯·M·德普伊特 , 迈克尔·A·哈泽 , 邱军
CPC分类号： H01S5/347 , B82Y20/00 , H01L21/02395 , H01L21/02474 , H01L21/02477 , H01L21/0248 , H01L21/02491 , H01L21/02507 , H01L21/02557 , H01L21/0256 , H01L21/02562 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/02631 , H01L33/0087 , H01L2924/0002 , H01S5/3403 , H01S5/3406 , H01S5/342 , H01L2924/00
摘要： 用原子层外延(ALE)和/或迁移增强外延(MEE)生长II-VI族激光二极管的高效率量子阱的方法。激光二极管衬底和初始生长层在MBE生长室内被加热至小于或等于约200℃的温度。Cd、Zn和Se被交替注入生长室以生长短周期应变层超晶格(SPSLS)量子阱层，其中包含重迭的Cd、Zn和Se单原子层。量子阱层用式[(CdSe)m(ZnSe)n]p表述，其中m、n和p为整数。
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公开(公告)号：CN107819078A
公开(公告)日：2018-03-20
申请号：CN201710820556.9
申请日：2017-09-13
申请人： 乐金显示有限公司
CPC分类号： H01L31/035209 , C08K3/28 , C09K11/00 , C09K11/02 , C09K11/0811 , C09K11/56 , C09K11/883 , G02B5/3025 , G02B6/0056 , G02F1/1335 , G02F1/3556 , G02F2001/01791 , G02F2202/36 , G09F9/30 , H01L21/02474 , H01L21/02477 , H01L21/02521 , H01L21/02557 , H01L21/0256 , H01L21/02603 , H01L21/02628 , H01L33/50 , H01L33/502 , H01L51/0094 , H01L51/5203 , H01L51/502 , H01L51/005 , H01L2251/301
摘要： 量子棒、量子棒的合成方法和量子棒显示装置。量子棒包括：核；覆盖所述核的第一壳；以及覆盖所述第一壳的侧面的第二壳。在该量子棒中，所述第一壳的第一厚度大于所述第二壳的第二厚度，并且所述第一壳的第一长度小于所述第二壳的第二长度。
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