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公开(公告)号：CN113937087A
公开(公告)日：2022-01-14
申请号：CN202111107317.1
申请日：2021-09-22
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L23/498 , H01L23/08 , H01L23/15
Abstract: 本发明提供了一种基于HTCC技术的布线结构及其制备方法、陶瓷外壳，属于高频高速陶瓷封装技术领域，基于HTCC技术的布线结构包括：下层陶瓷件；以及上层陶瓷件，与所述下层陶瓷件共同围合形成空气腔；其中，在所述下层陶瓷件构成所述空气腔的上表面形成有至少一条的平面GCPW传输线，在所述下层陶瓷件于所述空气腔之外部分的上表面、所述上层陶瓷件的上表面及侧表面共同形成有至少一条的立式GCPW传输线，所述立式GCPW传输线在所述下层陶瓷件上的投影与所述平面GCPW传输线交叉设置。本发明提供的基于HTCC技术的布线结构，相较于具有相同特性阻抗的埋层GCPW结构，中心导带线宽加宽，更加方便加工制造，减小工艺生产难度，且易于实现。
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公开(公告)号：CN113707634A
公开(公告)日：2021-11-26
申请号：CN202110812455.3
申请日：2021-07-19
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明提供了一种片式封装外壳，包括陶瓷体和引线；陶瓷体形成用于容置芯片的容置腔，陶瓷体底部设有焊盘；引线的上表面与焊盘连接，引线具有从上至下顺次连接的引线上部、引线中部和引线下部，引线中部的宽度小于引线上部的宽度，且引线中部的宽度小于引线下部的宽度。本发明提供的片式封装外壳，当环境温度发生变化时，更容易发生变形，更有利于释放应力，缓解应力带来的不良效果，避免板级焊接焊点产生裂缝，有效提高了板级组装的可靠性。
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公开(公告)号：CN105845581B
公开(公告)日：2018-05-08
申请号：CN201610191264.9
申请日：2016-03-30
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L21/48 , H01L23/055
Abstract: 本发明公开了一种高频高速陶瓷封装外壳用陶瓷件、外壳、层压模具及烧结模具，涉及半导体微电子器件制备技术领域。所述陶瓷件至少包括第一陶瓷件和第二陶瓷件，所述第一陶瓷件包括第一水平陶瓷件和第二水平陶瓷件，所述第一水平陶瓷件与所述第二水平陶瓷件之间通过第一过渡陶瓷件连接，第二陶瓷件包括第三水平陶瓷件和第四水平陶瓷件，所述第三水平陶瓷件与所述第四水平陶瓷件之间通过第二过渡陶瓷件连接，所述第二陶瓷件整体贴合于所述第一陶瓷件的上表面。通过使用所述陶瓷件将位于外壳内芯片的引脚引出外壳，降低了射频传输损耗，可获得无波动的RF射频信号传输。
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公开(公告)号：CN115435749B
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202210960722.6
申请日：2022-08-11
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01C9/00
Abstract: 本发明提供一种键合指倾斜角度的测量方法、装置、终端及存储介质。该方法包括：获取包含键合指的图像；基于视觉检测技术和图像确定键合指的位置；基于键合指的位置确定测试点的位置；测试点为键合指上的点；通过激光传感器对测试点进行测量，得到键合指的倾斜角度。本发明通过视觉检测技术确定键合指的位置，然后确定测试点，比人工选取的测试点位置更准确，因此基于此测试点进行的倾斜角度测量结果也更加准确。
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公开(公告)号：CN118841330A
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202410918945.5
申请日：2024-07-10
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L21/48 , H01L23/055
Abstract: 本发明提供一种高温共烧陶瓷封装外壳及其制备方法，属于陶瓷封装外壳技术领域。方法包括：在高温共烧后的陶瓷基板中，制备贯穿陶瓷基板的通孔。在通孔制备后的陶瓷基板表面制备第一种子层和第二种子层。在陶瓷基板的正面覆盖开槽干膜，并采用激光在开槽干膜中进行开槽、去除槽内干膜，制备凹槽。基于凹槽底部暴露的第二种子层，以及通孔侧壁的第一种子层和通孔上端的第二种子层，电镀填充凹槽和通孔，得到电镀填充后的基板。将电镀填充后的基板去胶，制备得到带铜围坝的高温共烧陶瓷封装外壳。本发明将铜围坝制备工艺与陶瓷基板制备工艺相结合，利用陶瓷基板的通孔电镀填充步骤，同时制备铜围坝。提升了高温共烧陶瓷封装外壳的制备效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118610186A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410758408.9
申请日：2024-06-13
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L23/498 , H01L23/13 , H01L23/04 , H01L21/48
Abstract: 本发明提供了一种小尺寸双面BGA双面腔陶瓷封装外壳及制作方法，属于陶瓷外壳制备技术领域，其中一种小尺寸双面BGA双面腔陶瓷封装外壳包括陶瓷基板和BGA焊盘；陶瓷基板的正反两面上分别开设有正面腔槽和反面腔槽，正面腔槽与反面腔槽交错设置；BGA焊盘均匀分布于正面腔槽和反面腔槽的周围。本发明提供的小尺寸双面BGA双面腔陶瓷封装外壳，该陶瓷基板的正面和反面均开设有腔槽，使芯片可安装于陶瓷基板的正反两侧，以提高外壳上可安装的芯片数量，提高了空间利用率；而BGA焊盘均匀分布在正反两面，可实现上下安装面的堆叠，提高空间利用率；同时正面腔槽和反面腔槽交错设置，减少了腔体重叠导致的基底较薄的问题，保证了结构强度。
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公开(公告)号：CN118464314A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410529379.9
申请日：2024-04-29
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明提供了一种零件烧结位置气密性检测方法及电子器件组装工艺，零件烧结位置气密性检测方法包括以下步骤：确定待测零件的各个玻璃烧结位置所共同形成的最小边界；制作第一密封垫，并在第一密封垫上开设与最小边界的尺寸相匹配的空腔；将待测零件密封贴放于第一密封垫上，并使各个玻璃烧结位置全部处于空腔的边界范围内，待测零件和第一密封垫共同形成检测目标物；将检测目标物通过氦质谱测漏仪进行气密性检测；电子器件组装工艺包括以下步骤：通过零件烧结位置气密性检测方法对各个玻璃烧结零件进行气密性检测；剔除检测判断不满足气密性要求的玻璃烧结零件，装配并获得待检器件成品；对待检器件成品进行整体气密性检测。
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公开(公告)号：CN118380328A
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202410276800.X
申请日：2024-03-12
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Inventor： 杨振涛 , 刘林杰 , 张会欣 , 于斐 , 李娜 , 段强 , 余希猛 , 张倩 , 刘洋 , 郭志伟 , 刘冰倩 , 陈江涛 , 刘瑶瑶 , 淦作腾 , 刘旭 , 任赞 , 赵继晓 , 樊荣
IPC: H01L21/48 , H01L23/04 , H01L23/498
Abstract: 本发明提供了一种四边引线平直引出的扁平外壳及其制备方法，属于陶瓷封装外壳技术领域，包括：在生瓷上，按预设的成型外壳尺寸划出网格线；沿网格线制作空心孔；沿所述网格线对生瓷的上下面进行预切割，且不切透；将生瓷四周的半圆孔与电镀线相连，在生瓷上同时电镀形成金属化图形，进行烧结；沿预切割线裂片分开，形成瓷件单体；在瓷件单体上焊接引线，引线平直引出，制备外壳。本发明提供的四边引线平直引出的扁平外壳的制备方法，引线无需折弯，直接从瓷件上平直引出，能够提升制备器件的工作高可靠性能；而且，采用此种方式可以实现引线与外壳焊接焊盘的尺寸在0.8mm以下，利于器件的小型化。
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公开(公告)号：CN118073211A
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202410114515.8
申请日：2024-01-26
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L21/56 , H01L21/48 , H01L23/29 , H01L23/373 , H01L23/498
Abstract: 本发明提供了一种IC载板的制备工艺及IC载板，属于IC载板技术领域，IC载板的制备工艺包括以下步骤：在陶瓷基板上加工多个第一通孔；在陶瓷基板的上下两面分别沉积第一导电金属层；并在第一通孔的内壁上沉积第二导电金属层；将第一导电金属层划分为刻蚀部分和预留部分，在刻蚀部分上设置感光干膜层，以暴露出预留部分；在预留部分内电镀铜层，并形成多对环形铜层；在第二导电金属层围设的柱形区域内填充铜柱，并使铜柱上下延伸；去除感光干膜层，并对感光干膜层覆盖的刻蚀部分进行刻蚀和清洁处理；在陶瓷基板的上下两侧分别叠加线路覆盖层。本发明提供的IC载板的制备工艺及IC载板具有可靠性高，热传导效率高，且上下层电气互联稳定的优点。
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公开(公告)号：CN116558413A
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202310450449.7
申请日：2023-04-24
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本申请适用于陶瓷封装外壳技术领域，提供了侧面焊盘测量方法、装置、电子设备及存储介质，该侧面焊盘测量方法包括：获取待测量侧面焊盘的第一侧面焊盘图形和第二侧面焊盘图形；基于第一和第二侧面焊盘图形，分别确定第一侧面焊盘和第二侧面焊盘的轮廓，为后续测量尺寸数据提供清晰可靠的焊盘轮廓；根据第一侧面焊盘和第二侧面焊盘的轮廓，选择相应的测试基准和测试位置，以获得第一侧面焊盘和第二侧面焊盘的尺寸数据；根据第一侧面焊盘和第二侧面焊盘的尺寸数据，判断第一侧面焊盘与第二侧面焊盘是否尺寸匹配。本申请的侧面焊盘测量方法可以保证陶瓷封装外壳的侧面焊盘的尺寸一致性，从而避免陶瓷封装外壳出现引线焊接偏移、虚焊等情况。
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