公开(公告)号：CN119812010A

公开(公告)日：2025-04-11

申请号：CN202411410714.X

申请日：2024-10-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈勇达 ,  胡宽侃 ,  刘俊佑 ,  石哲齐 ,  杨固峰 ,  廖思雅

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/60 ,  H01L21/48 ,  H01L23/367 ,  H01L23/373 ,  H01L23/498 ,  H01L23/522

Abstract: 一种形成半导体器件的方法包括在半导体结构上形成包含导热通孔(也称为热通孔、导热柱或热柱)的接合结构。热通孔的材料热导率大于约10W/m·K，被嵌入到接合结构中，该接合结构提供了一从热点区域到衬底的快速散热路径。本申请的实施例还公开了一种半导体器件。

公开(公告)号：CN119789521A

公开(公告)日：2025-04-08

申请号：CN202411840459.2

申请日：2024-12-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄咸志 ,  陈冠霖 ,  王培宇 ,  余家濠 ,  王志豪

IPC: H10D84/85 ,  H10D62/10 ,  H10D62/13 ,  H10D84/03

Abstract: 本申请的实施例公开了一种半导体器件及其形成方法，半导体器件包括：多个第一纳米结构，形成在第一堆叠件中。该器件还包括：多个第二纳米结构，形成在第二堆叠件中。该器件还包括：第一源极/漏极结构，邻近多个第一纳米结构，第一源极/漏极结构包括具有硅和锗的第一半导体。该器件还包括：第二源极/漏极结构，垂直地堆叠在第一源极/漏极结构上方，并且邻近多个第二纳米结构，第二源极/漏极结构具有其中锗浓度超过第一半导体的锗浓度的第二半导体。

公开(公告)号：CN119789492A

公开(公告)日：2025-04-08

申请号：CN202411852685.2

申请日：2024-12-16

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 何彦忠 ,  姜慧如 ,  魏惠娴 ,  杨子庆 ,  赖昕钰 ,  蒋国璋 ,  吴咏捷

IPC: H10D30/67 ,  H10D30/01

Abstract: 本公开的各个实施例涉及具有氢吸收层的薄膜晶体管(TFT)及其形成方法。TFT包括堆叠的半导体沟道、栅电极和栅极介电层，其中栅极介电层将栅电极与半导体沟道分隔开。第一源极/漏极电极和第二源极/漏极电极分别位于半导体沟道的不同部分上。此外，氢吸收层与栅电极、第一源极/漏极电极、第二源极/漏极电极或它们的组合相邻。氢吸收层捕获氢和其它游离粒子而使它们不与TFT的半导体材料相互作用，以防止性能和可靠性降低。本申请的实施例还涉及包括半导体器件的集成电路、半导体器件及其形成方法。

公开(公告)号：CN119781731A

公开(公告)日：2025-04-08

申请号：CN202411841557.8

申请日：2024-12-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 石井宏明

IPC: G06F7/498 ,  G06F7/485 ,  G06F7/487 ,  G11C19/38

Abstract: 一种存储器中计算电路(CIM)电路，包括输入电路，其被配置为接收N个第一输入和N个第二输入；N个乘法器电路，每个乘法器电路被配置为将相应的输入对相乘以生成N个乘积中的相应一个；移位电路，被配置为根据最大指数和对齐N个乘积，以生成N个对齐乘积中的相应一个；加法器电路，被配置为对N个对齐乘积中的相应一对求和以生成求和结果；以及填充电路，其被配置为：(i)基于求和结果中最大非零值的位位置确定填充数，(ii)将求和结果移位与填充数对应的位数量以生成移位后的求和结果，以及(iii)将具有填充数长度的填充模式应用于移位后的相加结果以生成填充和。本申请的实施例还公开了执行乘法累加操作的方法。

公开(公告)号：CN119781730A

公开(公告)日：2025-04-08

申请号：CN202411840450.1

申请日：2024-12-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 石井宏明

IPC: G06F7/487 ,  G06F7/498 ,  G11C7/10

Abstract: 一种存储器中计算(CIM)电路，包括：输入电路，用于接收N个第一和N个第二输入；N个求和电路，被配置为组合N个输入对中的一个的第一指数和第二指数，以生成N个指数和中的一个；选择器电路，用于选择最大指数和；N个减法器电路，被配置为计算N个指数差中的一个，每个指数差等于N个指数和中的一个与最大指数和之间的差；N个比较器电路，被配置为：将指数差与指数和阈值进行比较，并基于比较结果生成N个控制信号中的一个；以及N个乘法器电路，被配置为基于相应的控制信号选择性地将相应的第一尾数乘以相应的输入对的相应的第二尾数，以产生N个尾数乘积中的相应一个。本申请的实施例还公开了一种操作存储器中计算电路的方法。

公开(公告)号：CN112490253B

公开(公告)日：2025-04-08

申请号：CN202010946568.8

申请日：2020-09-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郑有宏 ,  吴政达 ,  江振豪 ,  亚历山大卡尔尼斯基 ,  杜友伦 ,  陈逸群

IPC: H10D86/00 ,  H01L21/762

Abstract: 在一些实施例中，本公开涉及一种高电阻率绝缘体上硅(SOI)衬底及其形成方法。高电阻率绝缘体上硅衬底包括配置在半导体衬底之上的第一多晶硅层、第二多晶硅层、第三多晶硅层、绝缘体层以及有源半导体层。第二多晶硅层配置在第一多晶硅层之上，且第三多晶硅层配置在第二多晶硅层之上。位于绝缘体层之上的有源半导体层可配置在第三多晶硅层之上。第二多晶硅层与第一多晶硅层及第三多晶硅层相比具有较高的氧浓度。

公开(公告)号：CN112447904B

公开(公告)日：2025-04-08

申请号：CN202010652708.0

申请日：2020-07-08

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 金海光 ,  吴启明 ,  林杏莲 ,  蔡子中 ,  江法伸 ,  李璧伸

IPC: H10N70/20 ,  H10B63/00

Abstract: 本公开的各种实施例涉及一种包括经共掺杂的数据储存结构的存储单元。底部电极上覆在衬底上，而顶部电极上覆在底部电极上。数据储存结构设置在顶部电极与底部电极之间。数据储存结构包含掺杂有第一掺杂剂及第二掺杂剂的介电材料。

公开(公告)号：CN119767710A

公开(公告)日：2025-04-04

申请号：CN202411540039.2

申请日：2024-10-31

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李尚融 ,  李致葳

IPC: H10D30/01 ,  H10D30/62 ,  H10D64/27 ,  H10D64/00

Abstract: 本公开的实施例提供一种半导体装置的制造方法。具体来说，本公开的实施例提供一种用于将填充元素掺入至栅极结构之中的高介电常数介电层的方法。此填充元素减少了高介电常数介电层之中的空位，从而改善了阈值电压控制以及装置性能。

公开(公告)号：CN119758679A

公开(公告)日：2025-04-04

申请号：CN202510183754.3

申请日：2018-08-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 许峻嘉 ,  谢劼 ,  简上杰 ,  陈立锐 ,  郑博中 ,  傅中其 ,  刘柏村

IPC: G03F7/20

Abstract: 一种极紫外线辐射源模块，包含一目标液滴产生器，配置于产生复数个目标液滴；一第一激光光源，配置于产生复数个第一激光脉冲，第一激光脉冲加热目标液滴以产生复数个目标云雾团；一第二激光光源，配置于产生复数个第二激光脉冲，第二激光脉冲加热目标云雾团以产生一等离子体发射极紫外线辐射；一第三和激光光源及一第四激光光源，分别配置于产生一第一激光光束和一第二激光光束，第一激光光束和一第二激光光束被引导至目标云雾团的一行进路径上，且第一激光光束和一第二激光光束基本上平行；以及一监视器，配置于接收由目标云雾团反射的第一激光光束和一第二激光光束。

公开(公告)号：CN112420646B

公开(公告)日：2025-04-04

申请号：CN201911126604.X

申请日：2019-11-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈明发 ,  陈宪伟 ,  叶松峯

IPC: H01L23/485 ,  H01L23/48 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60

Abstract: 封装包括第一管芯、第二管芯、包封体、以及绝缘层穿孔。第一管芯具有第一接合结构。第一接合结构包括第一介电层及嵌置在第一介电层中的第一连接件。第二管芯具有第二接合结构。第二接合结构包括第二介电层及嵌置在第二介电层中的第二连接件。第一介电层与第二介电层混合接合。第一连接件与第二连接件混合接合。包封体侧向包封第二管芯。绝缘层穿孔穿透包封体且与第一接合结构连接。