-
公开(公告)号：CN106098885A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201610557382.7
申请日：2016-07-15
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种量子点白光发光二极管，包括衬底、N‑GaN层、有源层和P‑GaN层、N电极、P电极和透明电接触层，衬底上依次设置N‑GaN层、有源层、P‑GaN层和透明电接触层，N‑GaN层和P‑GaN层分别与N电极和P电极连接，透明电接触层内具有导电颗粒以及红光、黄光和绿光量子点。本发明将具有红光、黄光、绿光的量子点及导电颗粒的透明电接触层置于P型层之上，形成能够产生多波长荧光的透明电接触层，透明电接触层由氮化镓基发光二级管本身发出的蓝光激发后，实现单颗芯片的白光发光。
-
公开(公告)号：CN105932122A
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201610426653.5
申请日：2016-06-16
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
CPC classification number: H01L33/02 , H01L33/005 , H01L2933/0008
Abstract: 本发明公开一种LED，在衬底上生长外延层，在外延层上制作可变电阻率的透明导电层，在透明导电层上制作P电极，而在外延层上制作N电极；透明导电层由导电高分子复合材料构成，导电高分子复合材料由高分子基体材料和导电填料按体积比为1:0.01‑1:1组成，高分子基体材料为环氧树脂、硅氧树脂、聚乙烯、偏二氟乙烯中的一种，导电填料为炭黑、石墨烯、碳纳米管、金属颗粒、金属纤维、金属氧化物颗粒中的一种或几种。本发明还公开所述LED制造方法。本发明可以解决LED芯片在恒压驱动模式下所对应的驱动电流随温度的上升而急剧升高的问题。
-
公开(公告)号：CN105633243A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201610145435.4
申请日：2016-03-15
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L33/38
CPC classification number: H01L33/38 , H01L2933/0016
Abstract: 采用金属纳米线电极的氮化镓基发光二极管及其生产方法，涉及发光二极管的生产技术领域。本发明通过铺设金属纳米线层，在电流扩展层表面形成阻挡面积小且稳定的网格状P电极，制作工艺简单、合理。本发明通过设置于电流扩展层表面的金属纳米线P电极代替原来设计的集中的单一P电极，网格状金属纳米线P电极为纳米尺寸，使电流分布更均匀的同时，还能大大降低电极引脚对出射光的阻挡作用，提高LED的发光效率和亮度。
-
公开(公告)号：CN105552191A
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201610071720.6
申请日：2016-02-02
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Inventor： 陈亮 , 李俊贤 , 吴奇隆 , 魏振东 , 刘英策 , 李小平 , 邬新根 , 黄新茂 , 蔡立鹤 , 吕奇孟 , 陈凯轩 , 张永 , 林志伟 , 姜伟 , 卓祥景 , 方天足
IPC: H01L33/40
CPC classification number: H01L33/405
Abstract: 能增进横向电流扩散并拥有双反射表面的LED芯片电极结构，涉及LED芯片的生产技术领域。本发明包括在GaN层的表层向上依次包覆式设置由Cr层、第一Al层、至少一对TiN/Pt层、Au层、第二Al层和TiN外层组成的梯形结构电极扩展条。本发明的电极结构可以增加电流的横向扩散，并且达到光的多面反射的效果。
-
公开(公告)号：CN119997689A
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202510217243.9
申请日：2025-02-26
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H10H20/841 , H10H20/856 , H10H20/84 , H10H20/01 , H10H29/30
Abstract: 本发明提供了一种倒装LED芯片及其制备方法、设备，涉及半导体技术领域。在DBR层背离衬底的一侧设置堆叠膜层，所述堆叠膜层包括在所述第一方向上依次层叠设置的N层第一膜层，N≥2，且N为正整数；其中第i层第一膜层的折射率大于第i+1层第一膜层的折射率，N＞i≥1，且i为正整数。换言之，在DBR层上设置折射率逐渐减小的N层第一膜层，使得光在通过内部界面时进行多次反射与透射，进一步增强了对内部光的反射作用，进而对DBR层在大角度掠射情况下反射较差的情况进行改善，提高DBR层对大角度入射的光的反射性能。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109192830B
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN201810784329.X
申请日：2018-07-17
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一用于发光二极管的半导体芯片，其包括一外延单元、至少一电流阻挡层、一透明导电层、一N型电极以及一P型电极，其中所述电流阻挡层层叠于所述外延单元的N型半导体层，所述透明导电层以包覆所述电流阻挡层的方式层叠于所述外延单元的P型半导体层，并且所述透明导电层的一列穿孔分别对应于所述电流阻挡层的不同位置，并且一列所述穿孔中的至少一个所述穿孔和相邻所述穿孔不同，所述N型电极层叠于所述N型半导体层，所述P型电极层叠于所述透明导电层，并且所述P型电极的每个P型叉指分别形成于和被保持在所述透明导电层的每个所述穿孔。
-
公开(公告)号：CN108831976B
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN201810783043.X
申请日：2018-07-17
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一发光二极管的芯片及其制造方法，其中所述芯片包括依次层叠的一衬底、一N型半导体层、一有源区和一P型半导体层以及具有自所述P型半导体层延伸至所述N型半导体层的至少一半导体裸露部，所述芯片还包括一电流阻挡层、一透明导电层、一N型电极和一P型电极，其中所述电流阻挡层层叠于所述P型半导体层，所述透明导电层以包覆所述电流阻挡层的方式层叠于所述P型半导体层，且所述透明导电层的穿孔对应于所述电流阻挡层，所述N型电极层叠于所述N型半导体层，所述P型电极层叠于所述透明导电层，且所述P型电极的P型叉指被保持在所述透明导电层的所述穿孔。
-
公开(公告)号：CN116243558A
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202310245841.8
申请日：2023-03-15
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: G03F7/00 , G03F7/004 , H01L33/00 , H01L27/15 , H01L21/027
Abstract: 本发明提供了一种基于厚光阻应用的光刻方法、LED芯片及其制作方法，在厚光阻应用时，通过弱曝光减弱图形交叉点的泊松光斑影响，在避免图形失真的同时，在后续的刻蚀工艺过程中可取消SiO2/金属的硬掩膜工艺，极大地降低生产成本；并通过低温固化、显影的循环操作，以改善厚光阻的均匀性及显影后线宽的均匀性。进一步地，通过铝盘作为承载盘进行ICP刻蚀使所述待刻蚀结构形成所述预设图形的设置，使用成本低、可塑性强、导热性能更高的铝材质的承载盘，可以很好地解决传统碳化硅载盘导热性能差、蚀刻速率低的问题；从而大大提高产能，有效地降低制造成本。
-
公开(公告)号：CN116065124A
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202211685513.1
申请日：2022-12-27
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本申请公开了一种蒸镀装置及蒸镀方法，在对LED芯片的电极中的各材料进行蒸镀的过程中，对于任一材料膜层，通过旋转监控系统中的晶振片转盘使晶振片转盘上的多个晶振片中的一个晶振片位于蒸发系统的蒸汽开口内的预设位置上，监控该材料膜层的镀膜过程，不同材料膜层对应的晶振片不同，以避免不同材料膜层因材料密度、应力等差异造成的晶振片对膜层监控的差异，提高晶振片监控精度，提升蒸镀形成LED芯片电极中的各材料膜层的均匀性和稳定性，同时降低由于晶振片监控不同材料镀膜应力失配造成的晶振片跳频概率，提升晶振片的可靠性，并且，相同材料膜层采用相同晶振片监控，提升晶振控制精度，使相同材料膜层的蒸镀均匀性、稳定性较好。
-
公开(公告)号：CN115938988A
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202211535831.X
申请日：2022-12-02
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种发光芯片的分选方法及系统，将同一发光圆片分选的母BIN细分为更多的子BIN，而后将子BIN对应的发光芯片按照预设固晶图分选至对应母BIN方片上固晶，由此将发光圆片进行充足的混分，使得由相同发光圆片得到的不同方片的光电性能一致性高，提高了显示屏的整面屏显示亮度的均匀性，提高了显示屏的显示效果。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
180
records
(took 0.035 seconds)
