公开(公告)号：CN1702549B

公开(公告)日：2011-10-12

申请号：CN200510073472.0

申请日：2005-05-30

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 野岛茂树 ,  田中聪 ,  小谷敏也 ,  出羽恭子 ,  井上壮一

IPC: G03F1/08 ,  G03F7/00 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F1/36

Abstract: 本发明提供一种图形数据的制作方法，包括：准备含有设计图形的集成电路图形；设定复制所述设计图形时形成在处理基板上的第1图形、或将第1图形用作掩模加工所述处理基板所形成的第2图形的容许误差范围；在所述容许误差范围内，制作目标图形；在考虑到复制所述设计图形时的影响、形成第1图形时的影响及形成第2图形时的影响中的一种或一种以上的影响的预定条件下，对所述目标图形进行修正，制作第1修正图形。

公开(公告)号：CN100582934C

公开(公告)日：2010-01-20

申请号：CN200610002085.2

申请日：2003-03-26

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 浅野昌史 ,  小峰信洋 ,  井上壮一

IPC: G03F7/00 ,  G03F7/20 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/70625 ,  G03F7/70633

Abstract: 提供一种监测方法，可以高精度地测定微细图形加工尺寸。该监测方法包括以下步骤：在衬底膜(2)上形成至少一边有对衬底膜(2)的表面倾斜的倾斜侧壁(20)的监测抗蚀剂图形(13)，测定与倾斜侧壁(20)和衬底膜相交方向垂直的方向上的监测抗蚀剂图形(13)的宽度；以监测抗蚀剂图形(13)作为掩模，选择性腐蚀衬底膜(2)来形成监测衬底膜图形(12)，测定与倾斜侧壁(20)和衬底膜相交方向垂直的方向上的所述监测衬底膜图形(12)的宽度；以及根据监测抗蚀剂图形(13)的宽度和监测衬底膜图形(12)的宽度之差，获得偏移宽度Δs。

公开(公告)号：CN100530586C

公开(公告)日：2009-08-19

申请号：CN200310123916.8

申请日：2003-12-22

Applicant: 株式会社东芝 ,  信越半导体株式会社 ,  株式会社尼康

Inventor： 藤泽忠仁 ,  井上壮一 ,  小林诚 ,  市川雅志 ,  萩原恒幸 ,  児玉贤一

IPC: H01L21/66

CPC classification number: G01B21/30 ,  G01B11/306 ,  H01L22/12 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 揭示了晶片平坦度评价方法。在该晶片平坦度评价方法中，测量晶片的表面形状及其背面形状。将测量的晶片表面划分为段。然后，根据评价的段的位置来选择平坦度的计算方法，从而获得晶片面内的平坦度。

公开(公告)号：CN100422856C

公开(公告)日：2008-10-01

申请号：CN200410101124.5

申请日：2002-04-26

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 佐藤和也 ,  井上壮一 ,  田中聪

IPC: G03F7/20 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/70125 ,  G01J1/26 ,  G03F7/70133

Abstract: 一种曝光装置的照度不匀度的测定方法，向光掩膜照射从照明光学系统射出的照明光，对于通过投影光学系统而在感光衬底上的有限区域内投影并曝光通过该光掩膜的光的曝光装置，进行所述投影光学系统引起的、在所述感光衬底上的有限区域内的照度不匀度的测定，其特征在于，包括：按在所述感光衬底上的有限区域内的多个成像点的每一个，计算从所述光掩膜的一点射出并到达成像点的光线的、在所述投影光学系统的透射率的平均值，根据按所述成像点求出的透射率的平均值，算出所述感光衬底上的有限区域内的照度不匀度。

公开(公告)号：CN100392662C

公开(公告)日：2008-06-04

申请号：CN200410099747.3

申请日：2004-12-16

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 小谷敏也 ,  野岛茂树 ,  姜帅现 ,  出羽恭子 ,  小川龙二 ,  田中聪 ,  井上壮一 ,  市川裕隆

IPC: G06F17/50 ,  H01L21/82

CPC classification number: G06F17/5081 ,  H01L21/0271

Abstract: 本发明提供一种通过使设计规则、工艺邻近效应修正(processproximity correction)参数和工艺参数的至少1个最优化制作设计布局的方法，包括：根据设计布局和工艺参数计算加工图形形状(processed patternshape)的工序；抽取相对于所述加工图形形状的评价值不满足指定的公差(tolerance)的危险部位(dangerous spot)的工序；根据包含在所述危险部位的图形生成所述设计布局的修正指导的工序；根据所述修正指导进行与所述设计布局的所述危险部位对应的部分的修正的工序。

公开(公告)号：CN1294624C

公开(公告)日：2007-01-10

申请号：CN03105143.X

申请日：2003-03-04

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 伊藤信一 ,  东木达彦 ,  奥村胜弥 ,  川野健二 ,  井上壮一

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/00

CPC classification number: G03F7/70625 ,  G03F7/70633 ,  G03F7/70641 ,  G03F7/70675 ,  H01J2237/30438

Abstract: 提供一种半导体器件的制造方法和半导体器件的制造装置。在半导体衬底主面上形成感光性膜把半导体衬底送到曝光装置；给上述感光性膜选择性曝光掩模上检查标记，在该感光性膜上形成检查标记的潜像；加热至少检查标记的潜像形成区的上述感光性膜，浮现第2检查标记的潜像；测量浮现的检查标记像；根据测量结果，变更选择性曝光时上述曝光装置的设定值，使其曝光条件为设计值；按照变更后的设定值，给上述感光性膜曝光上述感光性膜上掩模上器件图形，使该感光性膜形成器件图形的潜像；加热整个上述感光性膜；以及使上述感光性膜显影。

公开(公告)号：CN1278382C

公开(公告)日：2006-10-04

申请号：CN02119812.8

申请日：2002-03-29

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 桥本耕治 ,  井上壮一 ,  高畑和宏 ,  吉川圭

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/70 ,  G03F7/00

CPC classification number: G03F7/0035 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/28123 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/823456 ,  H01L21/823475 ,  H01L27/10873 ,  H01L27/10894 ,  H01L27/10897

Abstract: 一种半导体器件的制造方法，在被加工膜(3)上的硬掩模材料膜(4)上按曝光分辨极限尺寸形成抗蚀剂图案(5)，将抗蚀剂图案(5)作为掩模加工材料膜(4)，形成硬掩模图案(6)，形成具有露出掩模图案(6)的选择区域(6a)的开口(7a)，并覆盖非选择区域(6b)的抗蚀剂图案(7)。仅选择蚀刻加工并细化开口(7a)内露出的掩模图案部(6a)，使用掩模图案(6)蚀刻加工被加工膜(3)，形成具有曝光分辨极限尺寸宽度宽的图案部(8b)和分辨极限以下的细小的图案部(8a)的被加工膜图案(8)。

公开(公告)号：CN1275176C

公开(公告)日：2006-09-13

申请号：CN03119489.3

申请日：2003-03-12

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 小谷敏也 ,  田中聪 ,  桥本耕治 ,  井上壮一 ,  森一郎

IPC: G06F17/50 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L22/20 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种用来决定在半导体集成电路器件的制造中使用的加工参数的方法，具备：根据加工参数信息对与半导体集成电路的设计布图对应的第1图案进行修正，得到第2图案的步骤；用上述加工参数信息，预测与上述第2图案对应而且应当用刻蚀加工在半导体晶片上边形成的第3图案的步骤；通过将上述第3图案与上述第1图案进行比较，得到评价值的步骤；判断上述评价值是否满足规定的条件的步骤；在上述评价值被判断为不满足规定的条件的情况下，变更上述加工参数信息的步骤。

公开(公告)号：CN1808270A

公开(公告)日：2006-07-26

申请号：CN200610002085.2

申请日：2003-03-26

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 浅野昌史 ,  小峰信洋 ,  井上壮一

IPC: G03F7/00 ,  G03F7/20 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/70625 ,  G03F7/70633

Abstract: 提供一种监测方法，可以高精度地测定微细图形加工尺寸。该监测方法包括以下步骤：在衬底膜(2)上形成至少一边有对衬底膜(2)的表面倾斜的倾斜侧壁(20)的监测抗蚀剂图形(13)，测定与倾斜侧壁(20)和衬底膜相交方向垂直的方向上的监测抗蚀剂图形(13)的宽度；以监测抗蚀剂图形(13)作为掩模，选择性腐蚀衬底膜(2)来形成监测衬底膜图形(12)，测定与倾斜侧壁(20)和衬底膜相交方向垂直的方向上的所述监测衬底膜图形(12)的宽度；以及根据监测抗蚀剂图形(13)的宽度和监测衬底膜图形(12)的宽度之差，获得偏移宽度Δs。

公开(公告)号：CN1766609A

公开(公告)日：2006-05-03

申请号：CN200510114825.7

申请日：2003-08-29

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 山口真司 ,  井上壮一 ,  田中聪 ,  井上麻里

IPC: G01N33/00 ,  G01N9/36 ,  G01N21/84 ,  H01L21/66 ,  G06F19/00

Abstract: 一种光掩模评价方法，包括：利用检查光掩模上的缺陷时使用的缺陷检查信息，生成缺陷考虑图形数据，所述缺陷考虑图形数据反映所述光掩模的设计图形数据中有关所述缺陷的信息；对所述缺陷考虑图形数据，计算关键区分布，而且，估计有关所述光掩模上的缺陷尺寸与该尺寸缺陷在所述光掩模上每单位面积个数之关系的缺陷密度分布；按照所述关键区分布和所述缺陷密度分布，取得有关所述光掩模上缺陷数的信息；以及按照有关所述光掩模上缺陷数的信息，评价所述光掩模。