公开(公告)号：CN1510732A

公开(公告)日：2004-07-07

申请号：CN200310123916.8

申请日：2003-12-22

Applicant: 株式会社东芝 ,  信越半导体株式会社 ,  株式会社尼康

Inventor： 藤泽忠仁 ,  井上壮一 ,  小林诚 ,  市川雅志 ,  萩原恒幸 ,  児玉贤一

IPC: H01L21/66

CPC classification number: G01B21/30 ,  G01B11/306 ,  H01L22/12 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 揭示了晶片平坦度评价方法。在该晶片平坦度评价方法中，测量晶片的表面形状及其背面形状。将测量的晶片表面划分为段。然后，根据评价的段的位置来选择平坦度的计算方法，从而获得晶片面内的平坦度。

公开(公告)号：CN100530586C

公开(公告)日：2009-08-19

申请号：CN200310123916.8

申请日：2003-12-22

Applicant: 株式会社东芝 ,  信越半导体株式会社 ,  株式会社尼康

Inventor： 藤泽忠仁 ,  井上壮一 ,  小林诚 ,  市川雅志 ,  萩原恒幸 ,  児玉贤一

IPC: H01L21/66

CPC classification number: G01B21/30 ,  G01B11/306 ,  H01L22/12 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 揭示了晶片平坦度评价方法。在该晶片平坦度评价方法中，测量晶片的表面形状及其背面形状。将测量的晶片表面划分为段。然后，根据评价的段的位置来选择平坦度的计算方法，从而获得晶片面内的平坦度。

公开(公告)号：CN100414438C

公开(公告)日：2008-08-27

申请号：CN03156002.4

申请日：2003-08-28

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 福原和也 ,  井上壮一

IPC: G03F7/20 ,  G03F9/00 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/70591 ,  G03F7/70133 ,  G03F7/70141 ,  G03F7/70191 ,  G03F7/706 ,  G03F7/70641

Abstract: 本发明的目的在于不增加成本进行曝光装置的照明轴偏移的检查。借助于光掩模1，使感光基板18的表面和二次光源14的面变成为光学共轭状态，在该状态下，对不包括投影光学系统17的光瞳的边缘的区域，和与该区域不重叠的、包括投影光学系统17的光瞳的边缘的区域进行照明以使感光基板18曝光，然后，根据使感光基板18显影得到的图案对照明轴偏移进行检查。

公开(公告)号：CN100382242C

公开(公告)日：2008-04-16

申请号：CN200510002715.1

申请日：2003-03-04

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 伊藤信一 ,  东木达彦 ,  奥村胜弥 ,  川野健二 ,  井上壮一

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/00 ,  G03F7/00

CPC classification number: G03F7/70625 ,  G03F7/70633 ,  G03F7/70641 ,  G03F7/70675 ,  H01J2237/30438

Abstract: 提供一种半导体器件的制造方法和半导体器件的制造装置。在半导体衬底主面上形成感光性膜把半导体衬底送到曝光装置；给上述感光性膜选择性曝光掩模上检查标记，在该感光性膜上形成检查标记的潜像；加热至少检查标记的潜像形成区的上述感光性膜，浮现第2检查标记的潜像；测量浮现的检查标记像；根据测量结果，变更选择性曝光时上述曝光装置的设定值，使其曝光条件为设计值；按照变更后的设定值，给上述感光性膜曝光上述感光性膜上掩模上器件图形，使该感光性膜形成器件图形的潜像；加热整个上述感光性膜；以及使上述感光性膜显影。

公开(公告)号：CN1645377A

公开(公告)日：2005-07-27

申请号：CN200410099747.3

申请日：2004-12-16

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 小谷敏也 ,  野岛茂树 ,  姜帅现 ,  出羽恭子 ,  小川龙二 ,  田中聪 ,  井上壮一 ,  高川裕隆

IPC: G06F17/50 ,  H01L21/82

CPC classification number: G06F17/5081 ,  H01L21/0271

Abstract: 本发明提供一种通过使设计规则、工艺邻近效应修正(process proximity correction)参数和工艺参数的至少1个最优化制作设计布局的方法，包括：根据设计布局和工艺参数计算加工图形形状(processed pattern shape)的工序；抽取相对于所述加工图形形状的评价值不满足指定的公差(tolerance)的危险部位(dangerous spot)的工序；根据包含在所述危险部位的图形生成所述设计布局的修正指导的工序；根据所述修正指导进行与所述设计布局的所述危险部位对应的部分的修正的工序。

公开(公告)号：CN1488999A

公开(公告)日：2004-04-14

申请号：CN03156002.4

申请日：2003-08-28

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 福原和也 ,  井上壮一

IPC: G03F7/20 ,  G03F9/00 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/70591 ,  G03F7/70133 ,  G03F7/70141 ,  G03F7/70191 ,  G03F7/706 ,  G03F7/70641

Abstract: 本发明的目的在于不增加成本进行曝光装置的照明轴偏移的检查。借助于光掩模1，使感光基板18的表面和二次光源14的面变成为光学共轭状态，在该状态下，对不包括投影光学系统17的光瞳的边缘的区域，和与该区域不重叠的、包括投影光学系统17的光瞳的边缘的区域进行照明以使感光基板18曝光，然后，根据使感光基板18显影得到的图案对照明轴偏移进行检查。

公开(公告)号：CN100526997C

公开(公告)日：2009-08-12

申请号：CN200710096417.2

申请日：2003-08-28

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 福原和也 ,  井上壮一

IPC: G03F7/20 ,  G03F1/00 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/70591 ,  G03F7/70133 ,  G03F7/70141 ,  G03F7/70191 ,  G03F7/706 ,  G03F7/70641

Abstract: 本发明的目的在于不增加成本进行曝光装置的照明轴偏移的检查。借助于光掩模1，使感光基板18的表面和二次光源14的面变成为光学共轭状态，在该状态下，对不包括投影光学系统17的光瞳的边缘的区域，和与该区域不重叠的、包括投影光学系统17的光瞳的边缘的区域进行照明以使感光基板18曝光，然后，根据使感光基板18显影得到的图案对照明轴偏移进行检查。

公开(公告)号：CN101063827A

公开(公告)日：2007-10-31

申请号：CN200710096417.2

申请日：2003-08-28

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 福原和也 ,  井上壮一

IPC: G03F7/20 ,  G03F1/00 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/70591 ,  G03F7/70133 ,  G03F7/70141 ,  G03F7/70191 ,  G03F7/706 ,  G03F7/70641

Abstract: 本发明的目的在于不增加成本进行曝光装置的照明轴偏移的检查。借助于光掩模1，使感光基板18的表面和二次光源14的面变成为光学共轭状态，在该状态下，对不包括投影光学系统17的光瞳的边缘的区域，和与该区域不重叠的、包括投影光学系统17的光瞳的边缘的区域进行照明以使感光基板18曝光，然后，根据使感光基板18显影得到的图案对照明轴偏移进行检查。

公开(公告)号：CN1244958C

公开(公告)日：2006-03-08

申请号：CN03156085.7

申请日：2003-08-29

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 山口真司 ,  井上壮一 ,  田中聪 ,  井上麻里

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/00

CPC classification number: G03F1/84

Abstract: 一种掩模缺陷检查方法包括：关于包括掩模图形的光掩模，就所述掩模图形的多个地点，各自准备根据上述地点上的缺陷对晶片的影响度决定的在所述地点的缺陷检测灵敏度；以及按照所述检测灵敏度，检查所述多个地点上的缺陷。

公开(公告)号：CN1237396C

公开(公告)日：2006-01-18

申请号：CN03121360.X

申请日：2003-03-26

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 酢谷拓路 ,  出羽恭子 ,  藤泽忠仁 ,  井上壮一

IPC: G03F1/16 ,  G03F7/20 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/70641 ,  G03F1/44

Abstract: 本发明的目的在于以高灵敏度，高精度，监视曝光光源相对焦点位置的偏离，或曝光量变化。在光掩模上，具有器件图案，该器件图案具有开口部与掩模部；聚焦监视图案，或曝光量监视图案，该聚焦监视图案或曝光量监视图案具有开口部和掩模部，具有与器件图案中的至少一部分区域相同的平面图案形状。聚焦监视图案的开口部与掩模部的透射曝光光的相位差，与上述器件图案的开口部与掩模部的透射曝光光的相位差不同。另外，曝光量监视图案的开口部与器件图案的开口部的曝光光透射率不同。