公开(公告)号：CN1510732A

公开(公告)日：2004-07-07

申请号：CN200310123916.8

申请日：2003-12-22

Applicant: 株式会社东芝 ,  信越半导体株式会社 ,  株式会社尼康

Inventor： 藤泽忠仁 ,  井上壮一 ,  小林诚 ,  市川雅志 ,  萩原恒幸 ,  児玉贤一

IPC: H01L21/66

CPC classification number: G01B21/30 ,  G01B11/306 ,  H01L22/12 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 揭示了晶片平坦度评价方法。在该晶片平坦度评价方法中，测量晶片的表面形状及其背面形状。将测量的晶片表面划分为段。然后，根据评价的段的位置来选择平坦度的计算方法，从而获得晶片面内的平坦度。

公开(公告)号：CN100530586C

公开(公告)日：2009-08-19

申请号：CN200310123916.8

申请日：2003-12-22

Applicant: 株式会社东芝 ,  信越半导体株式会社 ,  株式会社尼康

Inventor： 藤泽忠仁 ,  井上壮一 ,  小林诚 ,  市川雅志 ,  萩原恒幸 ,  児玉贤一

IPC: H01L21/66

CPC classification number: G01B21/30 ,  G01B11/306 ,  H01L22/12 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 揭示了晶片平坦度评价方法。在该晶片平坦度评价方法中，测量晶片的表面形状及其背面形状。将测量的晶片表面划分为段。然后，根据评价的段的位置来选择平坦度的计算方法，从而获得晶片面内的平坦度。

公开(公告)号：CN101526759B

公开(公告)日：2013-07-24

申请号：CN200910129712.2

申请日：2004-09-29

Applicant: 株式会社尼康

Inventor： 西永寿 ,  引间郁雄 ,  丰田光纪 ,  中川正弘 ,  萩原恒幸 ,  水野恭志 ,  北尚宪 ,  谷津修 ,  江村望

IPC: G03F7/20

Abstract: 本发明提供一种曝光装置，通过将曝光光经由液体照射在基板上而将所述基板曝光，其中，具备：投影光学系统；以及计测装置，具有设置在所述投影光学系统的像面侧的光透过部，以及经由该光透过部而接收通过了所述投影光学系统的曝光光的光接收器，所述计测装置的光接收器，在所述投影光学系统和所述光透过部之间没有液体的状态下，接收通过了所述光透过部以及投影光学系统的曝光光。

公开(公告)号：CN101031997B

公开(公告)日：2011-11-02

申请号：CN200580032860.2

申请日：2005-09-30

Applicant: 株式会社尼康

Inventor： 萩原恒幸

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/20

CPC classification number: G03F7/7085 ,  G03F7/70591 ,  G03F7/70666 ,  G03F7/70683 ,  G03F7/70941

Abstract: 本发明由于向配置于投影光学系统(PL)的物体面侧的遮光图案(MPn)照射光，一边使配置于投影光学系统的像面侧的空间像计测装置的狭缝(29x、29y)在与投影光学系统的光轴垂直的面内移动，一边检测通过了投影光学系统及狭缝的光的光强度分布，根据该光强度分布计算与所述投影光学系统的眩光相关的信息，因此可以排除在以往的印相法中所用的涂敷于晶片上的抗蚀剂的影响，可以实现高精度的与眩光相关的信息的计测。另外，由于不需要晶片的显影工序等，因此可以在比印相法更短的时间内进行与眩光相关的信息的计测。

公开(公告)号：CN1868032A

公开(公告)日：2006-11-22

申请号：CN200480029973.2

申请日：2004-09-29

Applicant: 株式会社尼康

Inventor： 西永寿 ,  引间郁雄 ,  丰田光纪 ,  中川正弘 ,  萩原恒幸 ,  水野恭志 ,  北尚宪 ,  谷津修 ,  江村望

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/20

Abstract: 从投影光学系统PL入射到液体LQ上的曝光光之中，入射到光透过部44上的曝光光，不通过气体中地入射到光学部件41上而被集中。曝光装置，即便投影光学系统的数值孔径增大，也可以接收来自投影光学系统的曝光光，从而进行各种计测。

公开(公告)号：CN101526759A

公开(公告)日：2009-09-09

申请号：CN200910129712.2

申请日：2004-09-29

Applicant: 株式会社尼康

Inventor： 西永寿 ,  引间郁雄 ,  丰田光纪 ,  中川正弘 ,  萩原恒幸 ,  水野恭志 ,  北尚宪 ,  谷津修 ,  江村望

IPC: G03F7/20

Abstract: 本发明提供一种曝光装置，通过将曝光光经由液体照射在基板上而将所述基板曝光，其中，具备：投影光学系统；以及计测装置，具有设置在所述投影光学系统的像面侧的光透过部，以及经由该光透过部而接收通过了所述投影光学系统的曝光光的光接收器，所述计测装置的光接收器，在所述投影光学系统和所述光透过部之间没有液体的状态下，接收通过了所述光透过部以及投影光学系统的曝光光。

公开(公告)号：CN100490064C

公开(公告)日：2009-05-20

申请号：CN200480029973.2

申请日：2004-09-29

Applicant: 株式会社尼康

Inventor： 西永寿 ,  引间郁雄 ,  丰田光纪 ,  中川正弘 ,  萩原恒幸 ,  水野恭志 ,  北尚宪 ,  谷津修 ,  江村望

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/20

Abstract: 从投影光学系统PL入射到液体LQ上的曝光光之中，入射到光透过部44上的曝光光，不通过气体中地入射到光学部件41上而被集中。曝光装置，即便投影光学系统的数值孔径增大，也可以接收来自投影光学系统的曝光光，从而进行各种计测。

公开(公告)号：CN101031997A

公开(公告)日：2007-09-05

申请号：CN200580032860.2

申请日：2005-09-30

Applicant: 株式会社尼康

Inventor： 萩原恒幸

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/20

CPC classification number: G03F7/7085 ,  G03F7/70591 ,  G03F7/70666 ,  G03F7/70683 ,  G03F7/70941

Abstract: 本发明由于向配置于投影光学系统(PL)的物体面侧的遮光图案(MPn)照射光，一边使配置于投影光学系统的像面侧的空间像计测装置的狭缝(29x、29y)在与投影光学系统的光轴垂直的面内移动，一边检测通过了投影光学系统及狭缝的光的光强度分布，根据该光强度分布计算与所述投影光学系统的眩光相关的信息，因此可以排除在以往的印相法中所用的涂敷于晶片上的抗蚀剂的影响，可以实现高精度的与眩光相关的信息的计测。另外，由于不需要晶片的显影工序等，因此可以在比印相法更短的时间内进行与眩光相关的信息的计测。

公开(公告)号：CN1507649A

公开(公告)日：2004-06-23

申请号：CN02804844.X

申请日：2002-02-13

Applicant: 株式会社尼康

Inventor： 萩原恒幸 ,  吉元宏充 ,  堀川浩人 ,  水谷英夫

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/20 ,  G03F1/14 ,  H01L21/68

CPC classification number: G03F7/707 ,  G03F7/70833 ,  H01L21/6838

Abstract: 在本发明的保持装置中，标线片保持座(18)备有第1吸引部(63)、第2吸引部(64)、与吸引装置相连的细孔(70a)、与吸引装置(72)相连的细孔(70b)。第1吸引部(63)与标线片(R)的下面(Ra)中的、具有规定面精度的精度保证区域(AR1)相对。第2吸引部(64)与精度保证区域(AR1)以外的精度非保证区域(AR2)相对。吸引装置用于吸引标线片(R)的下面(Ra)与第1吸引部(63)之间空间的气体。吸引装置(72)用于吸引标线片(R)的下面(Ra)与第2吸引部(64)之间空间的气体。这样，不使精度保证区域的面精度恶化，可稳定地保持住标线片。