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公开(公告)号：CN1510732A
公开(公告)日：2004-07-07
申请号：CN200310123916.8
申请日：2003-12-22
IPC: H01L21/66
CPC classification number: G01B21/30 , G01B11/306 , H01L22/12 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 揭示了晶片平坦度评价方法。在该晶片平坦度评价方法中，测量晶片的表面形状及其背面形状。将测量的晶片表面划分为段。然后，根据评价的段的位置来选择平坦度的计算方法，从而获得晶片面内的平坦度。
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公开(公告)号：CN100530586C
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：CN200310123916.8
申请日：2003-12-22
IPC: H01L21/66
CPC classification number: G01B21/30 , G01B11/306 , H01L22/12 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 揭示了晶片平坦度评价方法。在该晶片平坦度评价方法中，测量晶片的表面形状及其背面形状。将测量的晶片表面划分为段。然后，根据评价的段的位置来选择平坦度的计算方法，从而获得晶片面内的平坦度。
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公开(公告)号：CN1535476A
公开(公告)日：2004-10-06
申请号：CN02814731.6
申请日：2002-09-06
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/66
CPC classification number: G01B11/24
Abstract: 本发明是要提供一种从与习知的SFQR等不同的观点来评价晶片的形状质量所用的晶片的形状评价方法及在曝光装置产生问题少的晶片，以及可拣选具有良好质量的晶片的拣选方法。为此，本发明乃作成以规定角度间隔从晶片中心部直至边缘部求出遍及晶片全周的多个晶片形状轮廓(形状)，且设定要算出在各每一轮廓的基准线用的第1区域于晶片中央侧，再在该第1区域外的晶片外周侧设定第2区域，并延长在该第1区域所算出的基准线直至该第2区域为止，以分析该第2区域形状(测定值)和在第2区域内的该基准线(基准值)的差(测定值—基准值)，而算出该值的最大值作为表面特性A及最小值作为表面特性B，并从该等遍及全周所获得的多个表面特性A及表面特性B来评价晶片的外周部分形状的均匀性。
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公开(公告)号：CN1599050A
公开(公告)日：2005-03-23
申请号：CN200410068344.2
申请日：2001-11-15
IPC: H01L21/66
CPC classification number: G01B21/30 , H01L22/12 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种新的晶片形状评价方法及晶片形状评价装置，它在晶片内以规定的间隔测量晶片的形状，由该测量的晶片形状、在晶片面内设定为算出基准线或者基准面的第1区域(W1)，算出在该第1区域(W1)的基准线(10a)或者基准面(10b)，在该第1区域外设定准备评价的第2区域(W2)，将该基准线(10a)或者基准面(10b)外插到该第2区域(W2)，分析该第2区域的形状和在该第2区域内的该基准线或者基准面的差、算出表面特性，由此，得到比现有的SFQR等更能正确的评价晶片外周部的晶片形状。
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公开(公告)号：CN111033707B
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN201880053033.9
申请日：2018-07-27
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/66 , G01B11/24 , H01L21/304
Abstract: 本发明提供一种硅晶圆的边缘形状评价方法，定义径向基准(L1)、径向基准(L2)、交点(P1)、高度基准面(L3)、h1[μm]、h2[μm]、点(Px3)、直线(Lx)、角(θx)、点(Px0)、δ[μm]、点(Px1)、半径(Rx[μm])作为晶圆截面的形状参数，此时测量硅晶圆的边缘形状，设定h1、h2及δ的形状参数值，基于边缘形状的测量数据，按照定义计算Rx及θx的形状参数，根据计算出的Rx及θx判定硅晶圆的边缘形状而进行评价。由此，提供能够预先防止在例如使用光阻材的成膜处理中发生生成膜破裂的问题的、硅晶圆的边缘形状的评价方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111033707A
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：CN201880053033.9
申请日：2018-07-27
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/66 , G01B11/24 , H01L21/304
Abstract: 本发明提供一种硅晶圆的边缘形状评价方法，定义径向基准(L1)、径向基准(L2)、交点(P1)、高度基准面(L3)、h1[μm]、h2[μm]、点(Px3)、直线(Lx)、角(θx)、点(Px0)、δ[μm]、点(Px1)、半径(Rx[μm])作为晶圆截面的形状参数，此时测量硅晶圆的边缘形状，设定h1、h2及δ的形状参数值，基于边缘形状的测量数据，按照定义计算Rx及θx的形状参数，根据计算出的Rx及θx判定硅晶圆的边缘形状而进行评价。由此，提供能够预先防止在例如使用光阻材的成膜处理中发生生成膜破裂的问题的、硅晶圆的边缘形状的评价方法。
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公开(公告)号：CN100339969C
公开(公告)日：2007-09-26
申请号：CN200410068344.2
申请日：2001-11-15
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/66
CPC classification number: G01B21/30 , H01L22/12 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种新的晶片形状评价方法及晶片形状评价装置，它在晶片内以规定的间隔测量晶片的形状，由该测量的晶片形状、在晶片面内设定为算出基准线或者基准面的第1区域(W1)，算出在该第1区域(W1)的基准线(10a)或者基准面(10b)，在该第1区域外设定准备评价的第2区域(W2)，将该基准线(10a)或者基准面(10b)外插到该第2区域(W2)，分析该第2区域的形状和在该第2区域内的该基准线或者基准面的差、算出表面特性，由此，得到比现有的SFQR等更能正确的评价晶片外周部的晶片形状。
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公开(公告)号：CN1253934C
公开(公告)日：2006-04-26
申请号：CN02814731.6
申请日：2002-09-06
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/66
CPC classification number: G01B11/24
Abstract: 本发明是要提供一种从与习知的SFQR等不同的观点来评价晶片的状质量所用的晶片的形状评价方法及在曝光装置产生问题少的晶片，以及可拣选具有良好质量的晶片的拣选方法。为此，本发明乃作成以规定角度间隔从晶片中心部直至边缘部求出遍及晶片全周的多个晶片形状轮廓(形状)，且设定要算出在各每一轮廓的基准线用的第1区域于晶片中央侧，再在该第1区域外的晶片外周侧设定第2区域，并延长在该第1区域所算出的基准线直至该第2区域为止，以分析该第2区域形状(测定值)和在第2区域内的该基准线(基准值)的差(测定值-基准值)，而算出该值的最大值作为表面特性A及最小值作为表面特性B，并从该等遍及全周所获得的多个表面特性A及表面特性B来评价晶片的外周部分形状的均匀性。
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公开(公告)号：CN1193409C
公开(公告)日：2005-03-16
申请号：CN01803299.0
申请日：2001-11-15
IPC: H01L21/304 , H01L21/66
CPC classification number: G01B21/30 , H01L22/12 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种新的晶片形状评价方法及晶片形状评价装置，它在晶片内以规定的间隔测量晶片的形状的值，由该测量的晶片形状的值、根据预定的算法在晶片面内设定为算出基准线或者基准面的第1区域(W1)，算出在该第1区域(W1)的基准线(10a)或者基准面(10b)，在该第1区域外设定准备评价的第2区域(W2)，将该基准线(10a)或者基准面(10b)外插到该第2区域(W2)，分析该第2区域的形状和在该第2区域内的该基准线或者基准面的差、算出表面特性，由此，得到比现有的SFQR等更能正确的评价晶片外周部的晶片形状。
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公开(公告)号：CN1394356A
公开(公告)日：2003-01-29
申请号：CN01803299.0
申请日：2001-11-15
IPC: H01L21/304 , H01L21/66
CPC classification number: G01B21/30 , H01L22/12 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种新的晶片形状评价方法及晶片形状评价装置，它在晶片内以规定的间隔测量晶片的形状，由该测量的晶片形状、在晶片面内设定为算出基准线或者基准面的第1区域(W1)，算出在该第1区域(W1)的基准线(10a)或者基准面(10b)，在该第1区域外设定准备评价的第2区域(W2)，将该基准线(10a)或者基准面(10b)外插到该第2区域(W2)，分析该第2区域的形状和在该第2区域内的该基准线或者基准面的差、算出表面特性，由此，得到比现有的SFQR等更能正确的评价晶片外周部的晶片形状。
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