-
公开(公告)号:CN1599050A
公开(公告)日:2005-03-23
申请号:CN200410068344.2
申请日:2001-11-15
IPC: H01L21/66
CPC classification number: G01B21/30 , H01L22/12 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种新的晶片形状评价方法及晶片形状评价装置,它在晶片内以规定的间隔测量晶片的形状,由该测量的晶片形状、在晶片面内设定为算出基准线或者基准面的第1区域(W1),算出在该第1区域(W1)的基准线(10a)或者基准面(10b),在该第1区域外设定准备评价的第2区域(W2),将该基准线(10a)或者基准面(10b)外插到该第2区域(W2),分析该第2区域的形状和在该第2区域内的该基准线或者基准面的差、算出表面特性,由此,得到比现有的SFQR等更能正确的评价晶片外周部的晶片形状。
-
公开(公告)号:CN1193409C
公开(公告)日:2005-03-16
申请号:CN01803299.0
申请日:2001-11-15
IPC: H01L21/304 , H01L21/66
CPC classification number: G01B21/30 , H01L22/12 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种新的晶片形状评价方法及晶片形状评价装置,它在晶片内以规定的间隔测量晶片的形状的值,由该测量的晶片形状的值、根据预定的算法在晶片面内设定为算出基准线或者基准面的第1区域(W1),算出在该第1区域(W1)的基准线(10a)或者基准面(10b),在该第1区域外设定准备评价的第2区域(W2),将该基准线(10a)或者基准面(10b)外插到该第2区域(W2),分析该第2区域的形状和在该第2区域内的该基准线或者基准面的差、算出表面特性,由此,得到比现有的SFQR等更能正确的评价晶片外周部的晶片形状。
-
公开(公告)号:CN1394356A
公开(公告)日:2003-01-29
申请号:CN01803299.0
申请日:2001-11-15
IPC: H01L21/304 , H01L21/66
CPC classification number: G01B21/30 , H01L22/12 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种新的晶片形状评价方法及晶片形状评价装置,它在晶片内以规定的间隔测量晶片的形状,由该测量的晶片形状、在晶片面内设定为算出基准线或者基准面的第1区域(W1),算出在该第1区域(W1)的基准线(10a)或者基准面(10b),在该第1区域外设定准备评价的第2区域(W2),将该基准线(10a)或者基准面(10b)外插到该第2区域(W2),分析该第2区域的形状和在该第2区域内的该基准线或者基准面的差、算出表面特性,由此,得到比现有的SFQR等更能正确的评价晶片外周部的晶片形状。
-
公开(公告)号:CN100339969C
公开(公告)日:2007-09-26
申请号:CN200410068344.2
申请日:2001-11-15
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/66
CPC classification number: G01B21/30 , H01L22/12 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种新的晶片形状评价方法及晶片形状评价装置,它在晶片内以规定的间隔测量晶片的形状,由该测量的晶片形状、在晶片面内设定为算出基准线或者基准面的第1区域(W1),算出在该第1区域(W1)的基准线(10a)或者基准面(10b),在该第1区域外设定准备评价的第2区域(W2),将该基准线(10a)或者基准面(10b)外插到该第2区域(W2),分析该第2区域的形状和在该第2区域内的该基准线或者基准面的差、算出表面特性,由此,得到比现有的SFQR等更能正确的评价晶片外周部的晶片形状。
-
公开(公告)号:CN101385130B
公开(公告)日:2010-12-22
申请号:CN200680053221.9
申请日:2006-02-24
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L21/322 , H01L29/78 , H01L29/744 , H01L29/861
CPC classification number: H01L21/3221 , H01L29/66348 , H01L29/7397
Abstract: 本发明涉及半导体装置及其制造方法。器件制造步骤开始后,在硅衬底(1)的背面形成吸气层(3a)。之后,在硅衬底(1)的主面上形成MOS结构的栅极(5),除去吸气层(3a)。通过上述制造方法形成MOS结构的栅极结构时,包含在硅衬底(1)中的溶解氧被吸气层(3a)捕捉,使硅衬底(1)的溶解氧浓度下降。由此,使硅衬底(1)的溶解氧浓度下降,能够得到良好的元件特性。
-
公开(公告)号:CN101385130A
公开(公告)日:2009-03-11
申请号:CN200680053221.9
申请日:2006-02-24
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L21/322 , H01L29/78 , H01L29/744 , H01L29/861
CPC classification number: H01L21/3221 , H01L29/66348 , H01L29/7397
Abstract: 本发明涉及半导体装置及其制造方法。器件制造步骤开始后,在硅衬底(1)的背面形成吸气层(3a)。之后,在硅衬底(1)的主面上形成MOS结构的栅极(5),除去吸气层(3a)。通过上述制造方法形成MOS结构的栅极结构时,包含在硅衬底(1)中的溶解氧被吸气层(3a)捕捉,使硅衬底(1)的溶解氧浓度下降。由此,使硅衬底(1)的溶解氧浓度下降,能够得到良好的元件特性。
-
-
-
-
-