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公开(公告)号：CN100337239C
公开(公告)日：2007-09-12
申请号：CN03153202.0
申请日：2003-08-05
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G03F7/705 , G03F7/70525 , G03F7/70541 , G03F7/70591 , G03F7/70991
Abstract: 本发明迅速而且容易判定多台曝光装置是否可应用作为产品开展装置群，提供一种能应用于产品开展的曝光装置判定系统。本曝光装置判定系统具备：计算多台曝光装置相互光学系统误差信息的光学系统误差计算单元10a；按照计算的光学系统误差信息，模拟每台曝光装置所描绘的器件图形的模拟单元10b；以及按照模拟的器件图形，分别对多台曝光装置，判定是否具有可用作产品开展装置群的特性的装置判定单元10c。
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公开(公告)号：CN1254848C
公开(公告)日：2006-05-03
申请号：CN200310115276.6
申请日：2003-11-26
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L21/027 , H01L21/00 , G03F1/00
Abstract: 本发明提供一种能够适当选取判定光掩模好坏时所用管理部位的光掩模制造方法。该方法具备：准备应在掩模基板上形成的掩模图形数据的工序；根据所述数据，分别对所述掩模图形中包括的多个图形，计算边缘移动灵敏度的工序，其中，该边缘移动灵敏度对应于，从图形边缘变动时应设定的适宜曝光量偏移的偏移量；根据所述计算出的边缘移动灵敏度，决定所述掩模基板上应形成的掩模图形的管理部位的工序；在所述掩模基板上形成掩模图形的工序；取得与所述掩模基板上形成的掩模图形的所述管理部位对应的区域中所包括的图形的尺寸的工序；以及根据所述取得的尺寸，判定所述掩模基板上形成的掩模图形的曝光裕度是否满足预定条件的工序。
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公开(公告)号：CN1505102A
公开(公告)日：2004-06-16
申请号：CN200310115276.6
申请日：2003-11-26
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L21/027 , H01L21/00 , G03F1/00
Abstract: 本发明提供一种能够适当选取判定光掩模好坏时所用管理部位的光掩模制造方法。该方法具备：准备在掩模基板上应形成的掩模图形的数据的工序；按照数据，分别对所述掩模图形中包括的多个图形变动图形边缘时，计算与应该设定曝光量的适宜曝光量的偏移量对应的边缘移动灵敏度的工序；按照计算的边缘移动灵敏度，特定在掩模基板上应形成的掩模图形的管理部位的工序；在掩模基板上实际形成掩模图形的工序；取得与掩模基板上形成掩模图形的管理部位对应的区域中包括的图形尺寸的工序；以及按照取得的尺寸，判定掩模基板上形成的掩模图形是否满足规定条件的工序。
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公开(公告)号：CN1324512C
公开(公告)日：2007-07-04
申请号：CN200410097003.8
申请日：2004-12-08
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G03F1/36
Abstract: 本发明提供一种从用来制作在光刻工序中使用的光掩模的掩模数据中抽出危险图形的危险图形抽出方法，至少包括：以在上述掩模数据中作为判定对象的着眼部分为基准从上述掩模数据中抽出处于预定的范围内的周边部分的掩模数据，把构成上述周边部分的各个部分定义为参照部分，在上述光刻工序中，借助于模拟计算从上述各个参照部分发生的工序发生量，用上述工序发生量和上述着眼部分与上述参照部分间的距离进行预定的运算，进行在上述预定的运算中所得到的运算值在上述预定的范围内的面积分或与之等同的运算，计算工序影响因子量，上述工序影响因子量与预定的阈值进行比较。
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公开(公告)号：CN1645377A
公开(公告)日：2005-07-27
申请号：CN200410099747.3
申请日：2004-12-16
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G06F17/5081 , H01L21/0271
Abstract: 本发明提供一种通过使设计规则、工艺邻近效应修正(process proximity correction)参数和工艺参数的至少1个最优化制作设计布局的方法，包括：根据设计布局和工艺参数计算加工图形形状(processed pattern shape)的工序；抽取相对于所述加工图形形状的评价值不满足指定的公差(tolerance)的危险部位(dangerous spot)的工序；根据包含在所述危险部位的图形生成所述设计布局的修正指导的工序；根据所述修正指导进行与所述设计布局的所述危险部位对应的部分的修正的工序。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1480788A
公开(公告)日：2004-03-10
申请号：CN03153202.0
申请日：2003-08-05
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G03F7/705 , G03F7/70525 , G03F7/70541 , G03F7/70591 , G03F7/70991
Abstract: 本发明迅速而且容易判定多台曝光装置是否可应用作为产品开展装置群，提供一种能应用于产品开展的曝光装置判定系统。本曝光装置判定系统具备：计算多台曝光装置相互光学系统误差信息的光学系统误差计算单元10a；按照计算的光学系统误差信息，模拟每台曝光装置所描绘的器件图形的模拟单元10b；以及按照模拟的器件图形，分别对多台曝光装置，判定是否具有可用作产品开展装置群的特性的装置判定单元10c。
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公开(公告)号：CN1284205C
公开(公告)日：2006-11-08
申请号：CN200310113236.8
申请日：2003-11-07
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L21/00 , H01L21/027 , H01L21/82 , G03F1/00
CPC classification number: G03F1/36 , G06F17/5009 , G06F17/5081 , G06F2217/12 , Y02P90/265
Abstract: 本发明提供即便是在余裕度窄的光刻工序中也可以提高晶片的成品率，可以降低集成电路器件的造价的集成电路的图形设计方法。对用来设计集成电路的电路图形的第1设计数据之中的至少一部分的部分数据计算出来的在被处理衬底上进行的光刻工序的余裕度和在被处理衬底上实际上被认为是必要的光刻工序的余裕度进行比较。在所计算的光刻工序的余裕度比被认为是必要的余裕度小的情况下，使得在被处理衬底上的光刻工序的余裕度成为与被认为是必要的光刻工序的余裕度同等以上的大小那样地修正部分数据。用修正后的部分数据更新第1设计数据以制作第2设计数据。
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公开(公告)号：CN1702549A
公开(公告)日：2005-11-30
申请号：CN200510073472.0
申请日：2005-05-30
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G03F1/08 , G03F7/00 , H01L21/027
CPC classification number: G03F1/36
Abstract: 本发明提供一种图形数据的制作方法，包括：准备含有设计图形的集成电路图形；设定复制所述设计图形时形成在处理基板上的第1图形、或将第1图形用作掩模加工所述处理基板所形成的第2图形的容许误差范围；在所述容许误差范围内，制作目标图形；在考虑到复制所述设计图形时的影响、形成第1图形时的影响及形成第2图形时的影响中的一种或一种以上的影响的预定条件下，对所述目标图形进行修正，制作第1修正图形。
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公开(公告)号：CN1702549B
公开(公告)日：2011-10-12
申请号：CN200510073472.0
申请日：2005-05-30
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G03F1/08 , G03F7/00 , H01L21/027
CPC classification number: G03F1/36
Abstract: 本发明提供一种图形数据的制作方法，包括：准备含有设计图形的集成电路图形；设定复制所述设计图形时形成在处理基板上的第1图形、或将第1图形用作掩模加工所述处理基板所形成的第2图形的容许误差范围；在所述容许误差范围内，制作目标图形；在考虑到复制所述设计图形时的影响、形成第1图形时的影响及形成第2图形时的影响中的一种或一种以上的影响的预定条件下，对所述目标图形进行修正，制作第1修正图形。
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公开(公告)号：CN100392662C
公开(公告)日：2008-06-04
申请号：CN200410099747.3
申请日：2004-12-16
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G06F17/5081 , H01L21/0271
Abstract: 本发明提供一种通过使设计规则、工艺邻近效应修正(processproximity correction)参数和工艺参数的至少1个最优化制作设计布局的方法，包括：根据设计布局和工艺参数计算加工图形形状(processed patternshape)的工序；抽取相对于所述加工图形形状的评价值不满足指定的公差(tolerance)的危险部位(dangerous spot)的工序；根据包含在所述危险部位的图形生成所述设计布局的修正指导的工序；根据所述修正指导进行与所述设计布局的所述危险部位对应的部分的修正的工序。
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