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公开(公告)号：CN1324512C
公开(公告)日：2007-07-04
申请号：CN200410097003.8
申请日：2004-12-08
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G03F1/36
Abstract: 本发明提供一种从用来制作在光刻工序中使用的光掩模的掩模数据中抽出危险图形的危险图形抽出方法，至少包括：以在上述掩模数据中作为判定对象的着眼部分为基准从上述掩模数据中抽出处于预定的范围内的周边部分的掩模数据，把构成上述周边部分的各个部分定义为参照部分，在上述光刻工序中，借助于模拟计算从上述各个参照部分发生的工序发生量，用上述工序发生量和上述着眼部分与上述参照部分间的距离进行预定的运算，进行在上述预定的运算中所得到的运算值在上述预定的范围内的面积分或与之等同的运算，计算工序影响因子量，上述工序影响因子量与预定的阈值进行比较。
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公开(公告)号：CN1261823C
公开(公告)日：2006-06-28
申请号：CN02149225.5
申请日：2002-11-06
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70516
Abstract: 提供一种能够以低成本、快速、高精度、并且容易地调查曝光装置的光学系统的状态的曝光装置的检查方法。在掩膜1上，形成由线宽度WT是0.15的线形状的第1掩膜图案4a、与该图案4a平行的线宽度WF是1.0μm的线形状的第2掩膜图案组成的掩膜图案4。在曝光装置5的二次光源面一侧上配置照明孔径12，照明光源6从光轴16开始以实际上偏移0.3σ的偏轴状态照明掩膜1，在把各图案4a、4b的像曝光投影在半导体基片13上的光致抗蚀剂17上进行复制后，显影形成第1以及第2抗蚀剂图案14a、14b。测定各抗蚀剂图案14a、14b的相对距离D1W，求出和各掩膜图案4a、4b的相对距离D1M的差，求出半导体基片13的散焦量d。
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公开(公告)号：CN100347816C
公开(公告)日：2007-11-07
申请号：CN200510008834.8
申请日：2005-02-23
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L21/00 , H01L21/027 , G03F7/00 , G06F17/50
CPC classification number: G03F7/705 , G03F1/36 , G03F1/70 , G03F7/70133 , G03F7/70433
Abstract: 本发明提供一种考虑了实际曝光装置的特性的掩膜数据的修正方法、光掩膜、掩膜数据的修正程序。在制作在光刻工序中使用的光掩膜时所使用的掩膜数据的修正方法，根据使用包含使用光掩膜的曝光装置中的照明亮度分布的不均匀性的信息的仿真进行掩膜数据的修正，其中上述光掩膜是使用上述修正结果得到的掩膜数据制作的光掩膜。
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公开(公告)号：CN1322546C
公开(公告)日：2007-06-20
申请号：CN200410070564.9
申请日：2004-08-06
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L21/00
CPC classification number: H01L21/0274 , G03F7/40
Abstract: 一种设计图形的制作方法，该方法具备如下的工序：准备含有第1孔图形的第1设计图形的工序；求上述第1孔图形和与第1孔图形相邻的图形之间的距离的工序；根据上述距离和形成在光刻胶膜上的孔图形在加热光刻胶膜时的缩小量，求上述第1孔图形的扩大量的工序；制作具有用上述扩大量扩大了上述第1孔图形的第2孔图形的第2设计图形的工序。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100342489C
公开(公告)日：2007-10-10
申请号：CN03134790.8
申请日：2003-09-29
Applicant: 株式会社东芝
Inventor： 三本木省次
IPC: H01L21/027 , H01L21/66 , G03F7/20
CPC classification number: G03F7/705
Abstract: 可以提供可以正确地评价工艺余量的工艺余量的评价方法。对在被曝光衬底上形成图形的工艺，设定多个曝光量的设定值和多个焦点位置的设定值。对每一个曝光量的设定值和焦点位置的设定值的组合，计算图形的多个模拟测定尺寸。根据每一种组合的模拟测定尺寸，计算多个ED-tree，计算多个工艺余量。计算在相当于被曝光衬底的最大的高低差的焦点深度处的多个余量曲线的曝光量的余量的分散。
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公开(公告)号：CN101042526A
公开(公告)日：2007-09-26
申请号：CN200710096371.4
申请日：2005-02-23
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G03F1/00 , G03F1/14 , G03F7/20 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/705 , G03F1/36 , G03F1/70 , G03F7/70133 , G03F7/70433
Abstract: 本发明提供一种考虑了实际曝光装置的特性的掩膜数据的修正方法、光掩膜、掩膜数据的修正程序。在制作在光刻工序中使用的光掩膜时所使用的掩膜数据的修正方法，根据使用包含使用光掩膜的曝光装置中的照明亮度分布的不均匀性的信息的仿真进行掩膜数据的修正，其中上述光掩膜是使用上述修正结果得到的掩膜数据制作的光掩膜。
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公开(公告)号：CN1254848C
公开(公告)日：2006-05-03
申请号：CN200310115276.6
申请日：2003-11-26
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L21/027 , H01L21/00 , G03F1/00
Abstract: 本发明提供一种能够适当选取判定光掩模好坏时所用管理部位的光掩模制造方法。该方法具备：准备应在掩模基板上形成的掩模图形数据的工序；根据所述数据，分别对所述掩模图形中包括的多个图形，计算边缘移动灵敏度的工序，其中，该边缘移动灵敏度对应于，从图形边缘变动时应设定的适宜曝光量偏移的偏移量；根据所述计算出的边缘移动灵敏度，决定所述掩模基板上应形成的掩模图形的管理部位的工序；在所述掩模基板上形成掩模图形的工序；取得与所述掩模基板上形成的掩模图形的所述管理部位对应的区域中所包括的图形的尺寸的工序；以及根据所述取得的尺寸，判定所述掩模基板上形成的掩模图形的曝光裕度是否满足预定条件的工序。
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公开(公告)号：CN1661773A
公开(公告)日：2005-08-31
申请号：CN200510008834.8
申请日：2005-02-23
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L21/00 , H01L21/027 , G03F7/00 , G06F17/50
CPC classification number: G03F7/705 , G03F1/36 , G03F1/70 , G03F7/70133 , G03F7/70433
Abstract: 本发明提供一种考虑了实际曝光装置的特性的掩膜数据的修正方法、光掩膜、掩膜数据的修正程序。在制作在光刻工序中使用的光掩膜时所使用的掩膜数据的修正方法，根据使用包含使用光掩膜的曝光装置中的照明亮度分布的不均匀性的信息的仿真进行掩膜数据的修正，其中上述光掩膜是使用上述修正结果得到的掩膜数据制作的光掩膜。
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公开(公告)号：CN1505102A
公开(公告)日：2004-06-16
申请号：CN200310115276.6
申请日：2003-11-26
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L21/027 , H01L21/00 , G03F1/00
Abstract: 本发明提供一种能够适当选取判定光掩模好坏时所用管理部位的光掩模制造方法。该方法具备：准备在掩模基板上应形成的掩模图形的数据的工序；按照数据，分别对所述掩模图形中包括的多个图形变动图形边缘时，计算与应该设定曝光量的适宜曝光量的偏移量对应的边缘移动灵敏度的工序；按照计算的边缘移动灵敏度，特定在掩模基板上应形成的掩模图形的管理部位的工序；在掩模基板上实际形成掩模图形的工序；取得与掩模基板上形成掩模图形的管理部位对应的区域中包括的图形尺寸的工序；以及按照取得的尺寸，判定掩模基板上形成的掩模图形是否满足规定条件的工序。
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