检查曝光装置、补正焦点位置和制造半导体装置的方法

    公开(公告)号:CN1261823C

    公开(公告)日:2006-06-28

    申请号:CN02149225.5

    申请日:2002-11-06

    CPC classification number: G03F7/70516

    Abstract: 提供一种能够以低成本、快速、高精度、并且容易地调查曝光装置的光学系统的状态的曝光装置的检查方法。在掩膜1上,形成由线宽度WT是0.15的线形状的第1掩膜图案4a、与该图案4a平行的线宽度WF是1.0μm的线形状的第2掩膜图案组成的掩膜图案4。在曝光装置5的二次光源面一侧上配置照明孔径12,照明光源6从光轴16开始以实际上偏移0.3σ的偏轴状态照明掩膜1,在把各图案4a、4b的像曝光投影在半导体基片13上的光致抗蚀剂17上进行复制后,显影形成第1以及第2抗蚀剂图案14a、14b。测定各抗蚀剂图案14a、14b的相对距离D1W,求出和各掩膜图案4a、4b的相对距离D1M的差,求出半导体基片13的散焦量d。

    图形处理方法与装置
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1577723A

    公开(公告)日:2005-02-09

    申请号:CN200410059454.2

    申请日:2004-06-28

    CPC classification number: G06T7/0004 G06K9/48 G06T7/66 G06T2207/20044

    Abstract: 一种图形处理方法,在此图形处理方法中:它相对由点集表示的于数字图像中反映的物体形状轮廓的图形,应用中间轴与芯线中的至少一个,计算由此图形的轮廓在到图形的中心方向上按等距离离开的第一图形骨架;将计算出的上述第一图形骨架中上述图形的顶点到该骨架的枝状直线删除求出第二图形骨架;相对以上述第二图形骨架一方的端点为始点以另一方的端点为终点绕上述图形轮廓一周求得的数据,将上述第二图形骨架作为一方的坐标轴并将从上述第二图形骨架到上述图形轮廓的距离作为另一方的坐标轴由此定义曲线坐标系;将上述图形轮廓上的点坐标变换到该曲线坐标系的上述另一方坐标轴上,根据图像来处理其上述物体形状的图形。

    检查曝光装置、补正焦点位置和制造半导体装置的方法

    公开(公告)号:CN1417646A

    公开(公告)日:2003-05-14

    申请号:CN02149225.5

    申请日:2002-11-06

    CPC classification number: G03F7/70516

    Abstract: 提供一种能够以低成本、快速、高精度、并且容易地调查曝光装置的光学系统的状态的曝光装置的检查方法。在掩膜1上,形成由线宽度WT是0.15的线形状的第1掩膜图案4a、与该图案4a平行的线宽度WF是1.0μm的线形状的第2掩膜图案组成的掩膜图案4。在曝光装置5的二次光源面一侧上配置照明孔径12,照明光源6从光轴16开始以实际上偏移0.3σ的偏轴状态照明掩膜1,在把各图案4a、4b的像曝光投影在半导体基片13上的光致抗蚀剂17上进行复制后,显影形成第1以及第2抗蚀剂图案14a、14b。测定各抗蚀剂图案14a、14b的相对距离D1W,求出和各掩膜图案4a、4b的相对距离D1M的差,求出半导体基片13的散焦量d。

    集成电路图形检验装置和检验方法

    公开(公告)号:CN1279329C

    公开(公告)日:2006-10-11

    申请号:CN200410080073.2

    申请日:2004-09-24

    CPC classification number: G06F17/5081

    Abstract: 一种集成电路图形检验装置和方法。要短时间而且正确地检验图形是困难的。解决方式是:公差数据产生部分(16)产生与根据设计数据设定的目标图形对应的公差数据。摄像装置(18)产生根据目标图形形成的半导体器件的图形的图像数据。轮廓抽出部分(19)从由摄像装置(18)供给的图像数据中抽出图形的轮廓数据。数据合成部分(17)合成由公差数据产生部分(16)供给的公差数据,和由轮廓抽出部分(19)供给轮廓数据,判定这些数据的交叉部分的有无。

    微细图形检查装置和方法、CD-SEM的管理装置和方法

    公开(公告)号:CN1226781C

    公开(公告)日:2005-11-09

    申请号:CN02143912.5

    申请日:2002-09-27

    Inventor: 池田隆洋

    Abstract: 本发明公开了一种微细图形检查装置,具备:第1运算单元,用来接受向在与要形成被检查图形的基板同一基板上边以不同的断面形状形成的多个测试图形照射电子束得到的第1个2次电子信号的数据,和上述测试图形的断面的轮廓形状数据,把上述第1个2次电子信号变数分离成把上述断面的轮廓形状包括在自变数内的第1函数,和根据每个构成上述测试图形的材质用阶跃函数定义的第2函数,和表示信号的失真的大小的第3函数;存储单元,具有存放由该第1运算单元得到的上述第1到第3函数的第1存储区域;第2运算单元,用来接受向上述被检查图形照射上述电子束得到的第2个2次电子信号,执行用存放在上述存储单元中的上述第1到第3函数从上述第2个电子信号中调出以上述被检查图形的断面形状为基础的成分的运算。

    集成电路图形检验装置和检验方法

    公开(公告)号:CN1601225A

    公开(公告)日:2005-03-30

    申请号:CN200410080073.2

    申请日:2004-09-24

    CPC classification number: G06F17/5081

    Abstract: 一种集成电路图形检验装置和方法。要短时间而且正确地检验图形是困难的。解决方式是:公差数据产生部分(16)产生与根据设计数据设定的目标图形对应的公差数据。摄像装置(18)产生根据目标图形形成的半导体器件的图形的图像数据。轮廓抽出部分(19)从由摄像装置(18)供给的图像数据中抽出图形的轮廓数据。数据合成部分(17)合成由公差数据超短波法(16)供给的公差数据,和由轮廓抽出部分(19)供给轮廓数据,判定这些数据的交叉部分的有无。

    微细图形检查装置和方法、CD-SEM的管理装置和方法

    公开(公告)号:CN1411047A

    公开(公告)日:2003-04-16

    申请号:CN02143912.5

    申请日:2002-09-27

    Inventor: 池田隆洋

    Abstract: 本发明公开了一种微细图形检查装置,具备:第1运算单元,用来接受向在与要形成被检查图形的基板同一基板上边以不同的断面形状形成的多个测试图形照射电子束得到的第1个2次电子信号的数据,和上述测试图形的断面的轮廓形状数据,把上述第1个2次电子信号变数分离成把上述断面的轮廓形状包括在自变数内的第1函数,和根据每个构成上述测试图形的材质用阶跃函数定义的第2函数,和表示信号的失真的大小的第3函数;存储单元,具有存放由该第1运算单元得到的上述第1到第3函数的第1存储区域;第2运算单元,用来接受向上述被检查图形照射上述电子束得到的第2个2次电子信号,执行用存放在上述存储单元中的上述第1到第3函数从上述第2个电子信号中调出以上述被检查图形的断面形状为基础的成分的运算。

    掩模交易系统及方法

    公开(公告)号:CN1410926A

    公开(公告)日:2003-04-16

    申请号:CN02142751.8

    申请日:2002-09-20

    CPC classification number: G06Q30/06 G06Q50/188

    Abstract: 本发明的掩模交易系统和方法通过掩模购买者与掩模销售者之间密切的信息交换,可以更正确地判断掩模可否。掩模交易系统的主机装置20,具有通过网络与购买者进行信息交换的购买代理22、和与销售者进行信息交换的销售代理24。将通过购买代理22输入的包括掩模规格的掩模制作订购,存储于制作订购文件42中。主机装置20还具有存储显示掩模制品中图案拐角部的二维形状的形状图像的图像数据文件50。形状图像通过销售代理24输入。形状图像通过销售代理22,由图像提供部36提供给掩模购买者。

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